Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE3080K оригінал, D-PAK
117,50 ₴
23 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
23 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NCE3080K – N-канальний польовий транзистор виробництва NCE Power (Wuxi NCE Power Semiconductor) у корпусі D-PAK. Оригінал, для силових ключів і джерел живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 50 А |
| Rds(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 30 А) | 6.5 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 51 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2330 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 83 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | NCE Power (Wuxi NCE Power Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
NCE3080K – N-канальний MOSFET у корпусі TO-252-2L (D-PAK). За даташитом: напруга Vds 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА), струм стоку Id 80 А при TC = 25 °C і 50 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) не більше 6.5 мОм при VGS = 10 В, ID = 30 А (типово 5,5 мОм); при VGS = 5 В, ID = 24 А – не більше 10 мОм. Заряд затвора Qg типово 51 нКл (VDS = 10 В, ID = 30 А, VGS = 10 В), потужність розсіювання Pd 83 Вт при TC = 25 °C, температура переходу до 175 °C. Вхідна ємність Ciss типово 2330 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц).
Стан товару – оригінал. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) при однаковій напрузі на затворі та корпус. Якщо в схемі стоїть драйвер із запасом по заряду затвора, перевірте Qg нової деталі. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Силові ключі
- Жорстко комутовані та високочастотні схеми
- Джерела безперебійного живлення
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| CS100N03 | канал N = N, Vds 30 ≥ 30, Id(25 °C) 100 ≥ 0.8×80=64, Rds(on) Vgs 10 В max 5.3 ≤ 1.3×6.5=8.45 мОм, корпус DPAK = DPAK | порівняйте datasheet перед заміною | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити NCE3080K?
У каталозі є CS100N03 (D-PAK, N-канал, Vds 30 В, Id 100 А, Rds(on) не більше 5.3 мОм при VGS = 10 В). Перед заміною порівняйте datasheet.
Який Rds(on) у NCE3080K?
Не більше 6.5 мОм при VGS = 10 В, ID = 30 А; типово 5,5 мОм. При VGS = 5 В, ID = 24 А – не більше 10 мОм.
Який струм витримує NCE3080K?
80 А при TC = 25 °C і 50 А при TC = 100 °C – це межі за даташитом, на практиці струм залежить від тепловідведення.
Документація виробника: NCE3080K (NCE).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.