Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор 6R099 ( IPW60R099CP ) оригінал демонтаж, TO247( 650V, 31A , 0.099R )

244,40 ₴

3 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

3 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

IPW60R099CP (6R099) – N-канальний MOSFET Infineon CoolMOS CP, 600 В, 31 А, в корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
КорпусTO-247
Напруга Vds (мін.)600 В (ID = 250 мкА)
Струм Id (TC = 25 °C)31 А
Струм Id (TC = 100 °C)19 А
Імпульсний струм Id,pulse93 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 18 А, Tj = 25 °C)0,099 Ом (макс.)
Заряд затвора Qg60 нКл (тип.), 80 нКл (макс.)
Вхідна ємність Ciss2800 пФ (VGS = 0 В, VDS = 100 В, f = 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2,5–3,5 В
Напруга затвор-витік VGS±20 В (статично)
Потужність Ptot (TC = 25 °C)255 Вт
Тепловий опір Rth(j-c) (макс.)0,5 К/Вт
Тепловий опір Rth(j-a) (макс.)62 К/Вт
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

IPW60R099CP (на корпусі 6R099) – N-канальний польовий транзистор Infineon серії CoolMOS CP в корпусі PG-TO247-3. За datasheet (Rev. 2.1) напруга Vds – не менше 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА); у таблиці Product Summary вказано 650 В при максимальній температурі переходу. Струм стоку Id – 31 А при TC = 25 °C і 19 А при TC = 100 °C, імпульсний струм Id,pulse – 93 А. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0,09 Ом, не більше 0,099 Ом (VGS = 10 В, ID = 18 А, Tj = 25 °C). Заряд затвора Qg типово 60 нКл, не більше 80 нКл (VDD = 400 В, ID = 18 А, VGS від 0 до 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 2800 пФ (VGS = 0 В, VDS = 100 В, f = 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – від 2,5 до 3,5 В, типово 3 В (VDS = VGS, ID = 1,2 мА). Напруга затвор-витік VGS – ±20 В (статично) і ±30 В (змінна, f > 1 Гц). Потужність Ptot до 255 Вт (TC = 25 °C). Тепловий опір Rth(j-c) не більше 0,5 К/Вт, Rth(j-a) не більше 62 К/Вт. Робоча температура і температура зберігання – від -55 до 150 °C.

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Infineon позначає цей транзистор як не рекомендований для нових розробок. За datasheet серія CoolMOS CP призначена для жорстко комутованих імпульсних блоків живлення серверів і телекому. Підбираючи заміну, порівнюйте за датащитом канал, Vds, Id, Rds(on), заряд затвора (при більшому заряді може знадобитися інший драйвер) і корпус TO-247 з розпіновкою. Магазин у Запоріжжі відправляє Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити IPW60R099CP?

Шукайте N-канальний MOSFET в корпусі TO-247 з тією самою розпіновкою, з Vds не нижче 600 В, струмом і опором каналу не гіршими. Готового списку замін у картці немає, порівнюйте параметри за датащитом.

Як перевірити такий транзистор?

Мультиметром у режимі перевірки діодів прозвоніть перехід між стоком і витоком, а затвор має бути ізольований від інших виводів. Пробій або обрив виводів означає несправну деталь.

Datasheet

Документація виробника: IPW60R099CP CoolMOS Power Transistor, Rev. 2.1 (Infineon).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IPW60R099CP CoolMOS Power Transistor, Rev. 2.1 (Infineon) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Тип каналуN (UniFET)
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id16 А (температура не вказана)
Rds(on)0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Vgs(th)3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.