Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор K75EEH5 ( IKW75N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
188,00 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
K75EEH5 (IKW75N65EH5) – IGBT Infineon з вбудованим швидким діодом для перетворювачів і джерел живлення. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Номер | IKW75N65EH5 |
| Маркування | K75EEH5 |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Tvj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 75 А (Tc 100 °C); 90 А (Tc 25 °C, обмежено виводами) |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,10 В макс. (Vge 15 В, Ic 75 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 395 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл (Vcc 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Діод | вбудований, RAPID 1 |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IKW75N65EH5 (маркування K75EEH5) – IGBT Infineon серії High speed 5 (TRENCHSTOP 5) з вбудованим швидким діодом RAPID 1 на повний струм. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В при Tvj 25 °C. Струм колектора Ic – 75 А при Tc 100 °C і 90 А при Tc 25 °C (обмежено виводами). Напруга насичення Vce(sat) – 1,65 В типово, 2,10 В максимум при Vge 15 В, Ic 75 А, Tvj 25 °C. Потужність розсіювання Ptot – 395 Вт при Tc 25 °C. Максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Корпус PG-TO247-3: 1 – затвор, 2 і фланець – колектор, 3 – емітер.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте не лише Vces та Ic, а й Vce(sat), заряд затвора Qg 160 нКл (Vcc 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В), наявність вбудованого діода і розпіновку корпусу. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Джерела безперебійного живлення
- Сонячні перетворювачі
- Зварювальні перетворювачі
- Перетворювачі із середньою та високою частотою перемикання
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, її перевіряє інженер тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити IKW75N65EH5?
Дивіться на Vces не нижче 650 В, струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), наявність вбудованого діода та однаковий корпус з тією самою розпіновкою. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Як розпізнати виводи в корпусі PG-TO247-3?
Вивід 1 – затвор, вивід 2 і металевий фланець – колектор, вивід 3 – емітер. Маркування на корпусі – K75EEH5.
Чи є в цьому IGBT вбудований діод?
Так, вбудований швидкий діод RAPID 1 з м'яким відновленням на повний струм: If 75 А при Tc 100 °C. Пряма напруга Vf – 1,35 В типово при If 75 А, Vge 0 В, Tvj 25 °C.
Документація виробника: IKW75N65EH5 Datasheet V2.2.
Параметри наведено за datasheet Infineon IKW75N65EH5 (V2.2).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.