Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG2113D оригінал, SOW-16 широкий корпус
64,86 ₴
47 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
47 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
EG2113D – мікросхема-драйвер затворів напівмоста EGmicro для верхнього й нижнього ключів, 600 В, 2 А. Оригінал, корпус SOW16 (широкий).
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro (Electronic Giant) |
| Тип | Драйвер затворів напівмоста |
| Напруга VB | 600 В |
| Напруга живлення Vcc | 10–20 В |
| Вихідний струм IO+/IO- | 2 / 2 А (PW 10 мкс) |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Статичний струм | 50 мкА типово, макс. 100 мкА (входи не підключені, Vcc 15 В) |
| Мертвий час | 130 нс (TA 25 °C, Vcc 15 В, CL 1 нФ, типовий) |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
EG2113D – одноканальний драйвер напівмоста виробництва EGmicro (Electronic Giant). Він керує затворами верхнього й нижнього силових ключів. Напруга плаваючого живлення верхнього ключа VB – 600 В, напруга живлення Vcc – 10–20 В. Вихідний струм IO+/IO- – 2 / 2 А (тривалість імпульсу 10 мкс), максимальна частота – 500 кГц, статичний струм – 50 мкА типово (макс. 100 мкА). Входи HIN, LIN і SD активні за високого рівня, кожен має внутрішній підтяг вниз 200 кОм; є блокування наскрізного струму.
Типові затримки вмикання й вимикання LO/HO – 300 нс і 180 нс (TA 25 °C, Vcc 15 В, CL 1 нФ). Час наростання – 20 нс, час спаду – 15 нс, мертвий час – 130 нс за тих самих умов. Поріг захисту за Vcc (вкл./викл.) – 8.4 / 8.0 В, за VB – 8.6 / 8.2 В. Стан: оригінал, не демонтаж. Корпус SOW16 (широкий) / SOP16: перед заміною порівняйте розпіновку і ширину корпуса з вашою платою та datasheet.
Де застосовують
- Синусоїдні та квадратні інвертори
- Контролери частотних насосів, електротранспорту, безщіткових двигунів
- Високовольтні підсилювачі Class-D
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити EG2113D?
Замінник має бути повністю сумісним за розпіновкою (pin-to-pin) і мати ті самі параметри, зокрема VB 600 В та вихідний струм 2 А. У нашому каталозі перевірених замін за datasheet для цієї мікросхеми немає, тому порівнюйте документацію самостійно.
Який корпус у цієї мікросхеми?
SOW16 (широкий) / SOP16. Перед замовленням порівняйте корпус з посадковим місцем на платі.
Чи є в неї захист від наскрізного струму?
Так, у мікросхеми є блокування наскрізного струму, а мертвий час становить 130 нс (TA 25 °C, Vcc 15 В, CL 1 нФ, типовий).
Документація виробника: EG2113D datasheet V1.1 (кит.), 9 стор..
Datasheet виробника китайською мовою; абсолютні максимуми (Vb, Tj) з нього не зчитано, тому в картці їх немає.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор G60T60AN3H оригінал ( CRG60T60AN3H , G60T60 ), TO3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 60 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.85 В тип. / 2.4 В макс. (Ic=60А, Vge=15В) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл |
| Час відновлення діода trr | 80 нс (If=30А) |
| Розсіювана потужність Pd | 403 Вт (Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE80TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power Semiconductor |
| Напруга VCES | 600 В |
| Струм IC при 25 °C | 160 А |
| Струм IC при 100 °C | 80 А |
| Імпульсний струм | 240 А |
| VCE(sat) typ. | 1.7 В при IC 80 А, VGE 15 В, Tj 25 °C |
| VGE(th) typ. | 5.0 В |
| Qg typ. | 331 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 9188 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Pd при 25 °C | 390 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSWR , NSI66 02AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Ізоляція | 5700 В (RMS), 1 хв, UL1577 |
| Піковий струм (джерело) | 4 А на кожен вихід |
| Піковий струм (стік) | 6 А на кожен вихід |
| Живлення VDDI | 3–5,5 В |
| Живлення VDDA/VDDB | 7–25 В |
| Затримка поширення | 25 нс (тип.) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (тип.) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT067N10N оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал, Trench |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 147 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 93 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) | 5.2 мОм тип., 6.7 мОм макс. |
| Заряд затвора Qg | 135 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5779 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 2.4–3.6 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 280 Вт |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Мікросхема 24C02 ( AT24C02B , ST24C02WP ) , DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність пам'яті | 2 Кбіт (256 x 8) |
| Інтерфейс | I2C (two-wire) |
| Корпус | DIP8 |
| Розмір сторінки запису | 8 байт |
| Напруга живлення (версія -1.8) | 1,8–5,5 В |
| Напруга живлення (версія -2.7) | 2,7–5,5 В |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В) |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Захист запису | вивід WP |
Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , M24C04-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність пам'яті | 4 Кбіт (512 x 8) |
| Інтерфейс | I2C (two-wire) |
| Корпус | SO-8 |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Напруга живлення (версія -1.8) | 1,8–5,5 В |
| Напруга живлення (версія -2.7) | 2,7–5,5 В |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В) |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Захист запису | вивід WP |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 24C08 ( AT24C08 , ST24C08W6 ) , DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | DIP8 |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.