Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор IXYS IXGH32N60B ( IXGH32N60A , IXGH32N60C ) оригінал, TO-247 б/в
150,40 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IXGH32N60B – оригінальний IGBT-транзистор IXYS у корпусі TO-247, б/в. Для PFC, приводів двигунів і імпульсних джерел живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 60 А |
| Струм колектора Ic (TC 90 °C) | 32 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.5 В (IC = 32 А, VGE 15 В, TJ 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 2.5–5 В (IC 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IXGH32N60B – IGBT виробництва IXYS у корпусі TO-247 AD. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (TJ 25–150 °C). Струм колектора Ic – 60 А при TC 25 °C і 32 А при TC 90 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2.5 В при IC = 32 А, VGE 15 В, TJ 25 °C. Порогова напруга Vge(th) – 2.5–5 В при IC 250 мкА. Потужність розсіювання Pd – 200 Вт при TC 25 °C. Заряд затвора Qg – 125 нКл (typ.), час спаду tf – 80 нс (typ.) і втрати вимкнення Eoff – 0.8 мДж при TJ 25 °C, індуктивне навантаження, RG = 4.7 Ом. Вхідна ємність Cies типово 2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Оригінал, б/в. В назві також вказані IXGH32N60A та IXGH32N60C. Підбираючи заміну, порівняйте Vces, Ic при 90 °C, Vce(sat), швидкість перемикання (tf, Eoff) і корпус TO-247. За даними виробника, є варіант IXGH32N60BU1. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
- Керування швидкістю двигунів змінного струму
- Серво- та робототехнічні приводи, DC-чопери, UPS
- Імпульсні та резонансні джерела живлення
Чим замінити IXGH32N60B?
За даними виробника, є варіант IXGH32N60BU1. Перед заміною порівняйте Vces, Ic при 90 °C, Vce(sat), tf, Eoff і корпус за datasheet.
Деталь нова чи б/в?
Оригінал, б/в.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Між затвором та іншими виводами опір має бути нескінченним. Між колектором і емітером не повинно бути короткого замикання.
Яка різниця між Ic 60 А і 32 А?
60 А – струм при температурі корпуса 25 °C, 32 А – при 90 °C. Для розрахунку реальної схеми беріть значення при робочій температурі.
Документація виробника: IXGH32N60B (IXYS).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.