Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор IR IRG4PF50W ( G4PF50W ) оригінал демонтаж б/в, TO247
197,40 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRG4PF50W (G4PF50W) – IGBT International Rectifier для зварювальних апаратів і імпульсних блоків живлення, TO247. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Тип | IGBT n-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 900 В |
| Струм Ic | 51 А (Tc 25 °C); 28 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 204 А |
| Vce(on) | 2,25 В тип., 2,7 В макс. (Ic 28 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл тип. (Ic 28 А, Vcc 400 В, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IRG4PF50W (G4PF50W) від International Rectifier (Infineon) – IGBT n-канал для зварювання і імпульсних блоків живлення, корпус TO-247AC. Напруга колектор-емітер Vces – 900 В. Струм колектора Ic – 51 А при Tc 25 °C і 28 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 204 А. Напруга насичення Vce(on) – 2,25 В типово (2,7 В макс.) при Ic 28 А, Vge 15 В, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 160 нКл типово при Ic 28 А, Vcc 400 В, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 3300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Сумарні втрати перемикання Ets – 1,25 мДж типово при Tj 25 °C, Ic 28 А, Vcc 720 В, Vge 15 В, Rg 5,0 Ом. Напруга затвор-емітер – до ±20 В, потужність розсіювання Pd – 200 Вт при Tc 25 °C, температура переходу -55…+150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівнюйте Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(on), втрати перемикання Ets і корпус. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Зварювальні апарати і імпульсні блоки живлення (Welding and Switch-Mode Power Supply)
- Однотактні перетворювачі і блоки живлення від 150 Вт
- Заміна потужніших MOSFET на частотах до 100 кГц
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити IRG4PF50W?
Порівнюйте за datasheet напругу Vces, струм Ic при Tc 100 °C, Vce(on) і корпус. Готових аналогів у нашому каталозі для цієї позиції не підібрано, взаємозамінність перевіряйте самостійно.
Для яких схем підходить IRG4PF50W?
Виробник оптимізував його для зварювальних апаратів і імпульсних блоків живлення, зокрема однотактних перетворювачів і блоків живлення від 150 Вт.
Чи можна поставити його замість MOSFET?
За даними виробника, зниження втрат перемикання дозволяє замінювати потужніші MOSFET на частотах до 100 кГц. Перед заміною порівняйте схему керування затвором за datasheet.
Документація виробника: PD-95230, IRG4PF50WPbF Insulated Gate Bipolar Transistor.
Параметри наведено за datasheet виробника на IRG4PF50WPbF (PD-95230); окремого документа на деталь без суфікса немає.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.