Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор Renesas RJH30E2 оригінал демонтаж б/в, TO220F
188,00 ₴
11 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
11 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
Renesas RJH30E2 – IGBT-транзистор 360 В, 30 А. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм Ic | 30 А |
| Імпульсний струм | 200 А |
| Vce(sat) | 1.5 В (тип.) |
| tr | 80 нс (тип.) |
| tf | 150 нс (тип.) |
| Vf діода | 1.4 В (тип.) |
| trr діода | 23 нс (тип.) |
| Потужність Pc | 20 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220FL (ізольований) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
RJH30E2 – IGBT-транзистор Renesas з вбудованим швидким діодом в ізольованому корпусі TO-220FL (у назві товару – TO220F). За даташитом RJH30E2: напруга колектор-емітер Vces 360 В, напруга затвор-емітер Vges ±30 В, струм колектора Ic 30 А, імпульсний струм 200 А. Напруга насичення Vce(sat) 1.5 В (тип.), час наростання tr 80 нс (тип.), час спаду tf 150 нс (тип.). У діода пряма напруга Vf 1.4 В (тип.), час зворотного відновлення trr 23 нс (тип.). Потужність розсіювання Pc 20 Вт, максимальна температура переходу 150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Для заміни дивіться на напругу Vces не нижче 360 В, струм Ic не нижче вашого, той самий корпус TO-220FL і наявність швидкого діода.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити RJH30E2?
Підтверджених аналогів у каталозі немає. Підбирайте заміну з Vces не нижче 360 В, тим самим корпусом TO-220FL і вбудованим швидким діодом, а параметри порівнюйте за даташитом.
Який корпус у RJH30E2?
За даташитом TO-220FL (ізольований). У назві товару вказано TO220F.
Чи є в RJH30E2 вбудований діод?
Так, є швидкий діод: Vf 1.4 В (тип.), trr 23 нс (тип.).
Документація виробника: RJH30E2.
Не підтверджено: температура для Ic і Pc та струм для Vce(sat) у документі не вказані.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.