Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RJP3082 оригінал , TO220F
141,00 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RJP3082 – IGBT-транзистор у корпусі TO220F, оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
RJP3082 – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) у корпусі TO220F. Корпус повністю пластиковий, тому радіатор від виводів електрично ізольований. Такі транзистори ставлять у ключові каскади: інвертори, блоки живлення та схеми керування навантаженням. Точні електричні параметри цієї позиції в каталозі не вказані, тому перед покупкою звірте їх із документацією на потрібний номер. IGBT поєднує керування затвором, як у польового транзистора, з низькими втратами провідності, як у біполярного, тому його вибирають там, де потрібно комутувати значні напруги. Дані про напругу, струм і наявність вбудованого діода беріть із документації виробника на цей номер, а не з припущень, бо помилка в цих значеннях може вивести з ладу ключ і сусідні елементи схеми. Якщо сумніваєтеся, напишіть нам, і ми допоможемо звірити позицію з вашою схемою.
Стан: оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте напругу колектор–емітер, струм колектора, напругу насичення, наявність вбудованого діода і розпіновку корпусу з даними вашої схеми. Драйвер затвора при заміні також може потребувати перегляду. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити RJP3082?
Підбирайте IGBT у тому самому корпусі TO220F з такою самою або більшою напругою і струмом, порівнюючи datasheet. Готового списку замін для цієї позиції в каталозі немає.
Як перевірити IGBT-транзистор мультиметром?
Прозвоніть перехід затвор–емітер: між ними не має бути провідності. Потім перевірте колектор–емітер: у справного транзистора без діода провідності в обидва боки немає, а вбудований діод дає провідність в одну сторону.
Чи потрібна ізолююча прокладка для корпусу TO220F?
Корпус TO220F пластиковий, металевої вкладки на радіатор не виведено, тому прокладка, як правило, не потрібна.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.