Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор AUIRF3205ZS ( заміна для IRF3205S , F3205S ) оригінал демонтаж, TO263
70,50 ₴
14 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
14 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
AUIRF3205ZS – N-канальний MOSFET Infineon на 55 В у корпусі D2-Pak (TO-263). Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 55 В, VGS = 0 В, ID = 250 мкА (мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 110 А, TC = 25 °C, VGS = 10 В (обмеження кристалом); 75 А – обмеження корпусом |
| Струм стоку Id (100 °C) | 78 А, TC = 100 °C, VGS = 10 В |
| Опір Rds(on) | 4,9 мОм (тип.), 6,5 мОм (макс.), VGS = 10 В, ID = 66 А |
| Поріг Vgs(th) | 2,0–4,0 В, VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 76 нКл (тип.), 110 нКл (макс.), ID = 66 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт, TC = 25 °C |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
AUIRF3205ZS – N-канальний HEXFET автомобільного класу виробництва Infineon у корпусі D2-Pak (TO-263). Напруга Vds – 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.). Струм стоку Id – 110 А при TC = 25 °C, VGS = 10 В (обмеження кристалом); обмеження корпусом – 75 А. При TC = 100 °C, VGS = 10 В – 78 А. Опір Rds(on) – 4,9 мОм (тип.), 6,5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 66 А. Заряд затвора Qg – 76 нКл (тип.), 110 нКл (макс.) при ID = 66 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 3450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 170 Вт при TC = 25 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. AUIRF3205ZS може замінити IRF3205S і F3205S, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбираючи іншу заміну, беріть той самий корпус TO-263, N-канал, Vds не нижче 55 В і порівняний Rds(on) при VGS = 10 В. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Автомобільна електроніка та інші застосування
- Наднизький опір, швидке перемикання, дозволена повторювана лавина до Tjmax
Чим замінити AUIRF3205ZS?
Беріть N-канальний MOSFET у корпусі TO-263 з Vds не нижче 55 В і порівняним Rds(on) при VGS = 10 В. Порівнюйте параметри за однаковими умовами вимірювання в datasheet.
Чи може AUIRF3205ZS замінити IRF3205S?
AUIRF3205ZS може замінити IRF3205S і F3205S. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Який струм витримує AUIRF3205ZS?
110 А при TC = 25 °C, VGS = 10 В (обмеження кристалом), обмеження корпусом – 75 А. При TC = 100 °C – 78 А.
Документація виробника: AUIRF3205ZS (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.