Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

IGBT-транзистор G15T60A83L ( CRG15T60A83L ) оригінал, TO220

141,00 ₴

147 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

147 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IGBT-транзистор G15T60A83L (CRG15T60A83L) у корпусі TO-220, оригінал – на напругу 600 В і струм 15 А.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (25 °C)30 А
Розсіювана потужність Pd96 Вт
Заряд затвора Qg59 нКл (Vge 15 В)
Час затримки включення td(on)30 нс
Час затримки вимкнення td(off)45 нс
Максимальна температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал
Опис

G15T60A83L (CRG15T60A83L) – оригінальний IGBT-транзистор виробника CRMICRO у корпусі TO-220. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В, струм колектора Ic – 30 А (при 25 °C) і 15 А (при 100 °C), розсіювана потужність Pd – 96 Вт. Заряд затвора Qg – 59 нКл (при Vge 15 В), час затримки включення td(on) – 30 нс, вимкнення td(off) – 45 нс. Максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Такий силовий ключ підходить для схем, де компактний корпус TO-220 важливіший за максимальну потужність.

Перед встановленням звірте маркування на корпусі з номером G15T60A83L (CRG15T60A83L) і переконайтеся, що корпус TO-220 підходить до посадкового місця на платі. Перевіреного аналога з нашого каталогу за параметрами для цієї моделі поки немає – за потреби заміни зверніться до нас, підберемо варіант вручну за вашою схемою.

Де застосовують

  • Керування двигунами (motor control)
  • Джерела безперебійного живлення / коректори коефіцієнта потужності (UPS/PFC)
Часто питають
Чим замінити G15T60A83L?

Перевіреного аналога з нашого каталогу для цієї моделі поки немає. Підбираємо заміну вручну за вашою схемою – звертайтеся.

Як перевірити IGBT перед встановленням?

Звірте маркування на корпусі з номером G15T60A83L (CRG15T60A83L) і переконайтеся, що корпус TO-220 підходить до посадкового місця на платі.

Чи підходить G15T60A83L для керування двигуном?

Так, за даними виробника цей IGBT застосовують у вузлах керування двигунами та в джерелах безперебійного живлення з коректором коефіцієнта потужності (UPS/PFC).

На який струм розрахований G15T60A83L?

Струм колектора Ic – 30 А при 25 °C і 15 А при 100 °C, розсіювана потужність Pd – 96 Вт.

Datasheet

Документація виробника: CRG15T60A83L.

Даташит виробника звірено за копією на datasheet.lcsc.com. Vce(sat) у картці не вказано.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Мікросхема EG2113D оригінал, SOW-16 широкий корпус

В наявності

64,86 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникEGmicro (Electronic Giant)
ТипДрайвер затворів напівмоста
Напруга VB600 В
Напруга живлення Vcc10–20 В
Вихідний струм IO+/IO-2 / 2 А (PW 10 мкс)
Макс. частота500 кГц
Статичний струм50 мкА типово, макс. 100 мкА (входи не підключені, Vcc 15 В)
Мертвий час130 нс (TA 25 °C, Vcc 15 В, CL 1 нФ, типовий)
КорпусSOIC-16 (wide body)
СтанОригінал

Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSWR , NSI66 02AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sow16

В наявності

86,01 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникNOVOSENSE
КорпусSOIC-16 (wide body)
Ізоляція5700 В (RMS), 1 хв, UL1577
Піковий струм (джерело)4 А на кожен вихід
Піковий струм (стік)6 А на кожен вихід
Живлення VDDI3–5,5 В
Живлення VDDA/VDDB7–25 В
Затримка поширення25 нс (тип.)
CMTI150 кВ/мкс (тип.)
Робоча температура-40…125 °C
СтанОригінал

Транзистор CRST045N10N оригінал (заміна для P045N10 , BLP045N10-P ), TO220

В наявності

54,99 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникCRMICRO (China Resources Microelectronics)
Тип каналуN
КорпусTO-220
Напруга Vds100 В мін. (VGS=0 В, ID=250 мкА; тип. 115 В)
Струм Id (25 °C)120 А (TC=25 °C, обмеження корпусом; за кремнієм 172 А)
Струм Id (100 °C)109 А (TC=100 °C, за кремнієм)
Rds(on)3.6 мОм тип., макс. 4.5 (VGS=10 В, ID=50 А)
Vgs(th)2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА; тип. 3 В)
Qg90 нКл тип. (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=20 А)
Вхідна ємність Ciss6772 пФ
Pd227 Вт (TC=25 °C)
Tj max150 °C
СтанОригінал

Транзистор OSG65R220PZ оригінал, TO220

В наявності

143,82 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникOriental Semiconductor
Тип каналуN-канал
Напруга Vds650 В
Струм стоку Id (25 °C)18 А
Струм стоку Id (100 °C)11.5 А
Імпульсний струм стоку54 А (TC=25 °C)
Опір Rds(on)220 мОм макс. (VGS=10 В, ID=9 А)
Заряд затвора Qg21.7 нКл
Вхідна ємність Ciss1493 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3.0–4.5 В
Потужність розсіювання Pd151 Вт (TC=25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Схожі товари

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Напруга колектор–емітер Vces1300 В (Tc 25 °C)
Напруга затвор–емітер Vges±25 В
Струм колектора Ic60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Icm90 А (обмежено Tj max)
Потужність розсіювання Pd500 Вт (Tc 25 °C)
Vce(sat)1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Робоча температура переходу Tj-55…+175 °C
Заряд затвора Qg372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Потужність Pd (25 °C)316 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg262 нКл
Вхідна ємність Cies7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 60 А, 25 °C)1.7 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.