Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор IRG7R313U , DPAK
69,09 ₴
11 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
11 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRG7R313U – n-канальний IGBT у корпусі DPAK, розроблений для плазмових панелей (PDP): схеми sustain і рекуперації енергії.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces (мін.) | 330 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Повторюваний піковий струм Irp | 160 А (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(on) | 1.35 В (typ., Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 2.2–4.7 В (Ic 1 мА, Vce = Vge, Tj 25 °C) |
| Час спаду tf | 68 нс (typ., Tj 25 °C, Ic 12 А, Vcc 196 В, Rg 10 Ом) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | n-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вхідна ємність Cies | 880 пФ (Vce 30 В) |
IRG7R313U (IRG7R313UPbF) – n-канальний IGBT International Rectifier (Infineon) у корпусі DPAK для поверхневого монтажу. Транзистор призначений для плазмових панелей (PDP). Мінімальна напруга колектор–емітер Vces – 330 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА). Напруга насичення Vce(on) – 1.35 В типово (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C). Повторюваний піковий струм Irp – 160 А (Tc 25 °C). Порогова напруга затвора Vge(th) – 2.2–4.7 В (Ic 1 мА, Vce = Vge, Tj 25 °C). Час спаду tf – 68 нс типово (Ic 12 А, Vcc 196 В, Rg 10 Ом, індуктивне навантаження). Максимальна температура переходу – 150 °C. Вхідна ємність Cies типово 880 пФ (Vce 30 В).
Щоб підібрати заміну, порівняйте з datasheet напругу Vces, струм колектора, напругу насичення, заряд затвора й корпус. Корпус DPAK має бути той самий, розпіновку звіряйте за документацією. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Плазмові панелі (PDP): схеми sustain і рекуперації енергії.
Для чого використовують IRG7R313U?
Це IGBT для плазмових панелей (PDP). Його ставлять у схеми sustain і рекуперації енергії.
Чим замінити IRG7R313U?
Шукайте n-канальний IGBT у корпусі DPAK з напругою Vces не нижче 330 В і не гіршою напругою насичення. Порівнюйте з datasheet, на схожу за назвою деталь не покладайтеся.
Який корпус і яка максимальна температура переходу?
Корпус DPAK, максимальна температура переходу 150 °C.
Чи є в IRG7R313U особливість для імпульсних схем?
Так: повторюваний піковий струм Irp – 160 А при Tc 25 °C, тобто деталь розрахована на великий піковий струм.
Документація виробника: IRG7R313U (International Rectifier).
Значення струму колектора Ic і потужності Pd у документі прочитані неоднозначно, тому їх не наводимо.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 240 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення діода trr | 360 нс (Tj 175 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 750 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.