Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJQ190N65GCF ( CRJQ190N65GC ) оригінал(23A,650V), TO247
202,10 ₴
49 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
49 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CRJQ190N65GCF (CRJQ190N65GC) – N-канальний MOSFET технології Super Junction у корпусі TO-247, оригінал. Для блоків живлення, зарядних пристроїв і UPS.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (Super Junction) |
| Напруга Vds | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 23 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 14.8 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 185 мОм тип., 210 мОм макс. (VGS 10 В, ID 10 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл тип. (VGS 10 В, VDS 480 В, ID 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1427 пФ |
| Потужність Pd | 229 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | CR Micro |
| Стан | Оригінал |
CRJQ190N65GCF (CRJQ190N65GC) – N-канальний польовий транзистор технології Super Junction у корпусі TO-247, оригінал. За даташитом CRJQ190N65GCF (CR Micro), Rev1.2: напруга стік–витік 650 В при Tj 25 °C, струм стоку 23 А при Tc 25 °C і 14.8 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу – 185 мОм типово, максимум 210 мОм при VGS 10 В, ID 10 А, Tj 25 °C. Заряд затвора – 41 нКл типово при VDS 480 В, ID 10 А. Вхідна ємність Ciss типово 1427 пФ. Потужність розсіювання – 229 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Стан – оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте за datasheet N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з напругою не нижче 650 В, струмом не менше 0.8× від наведеного, опором каналу не гіршим при VGS 10 В і порівнянним зарядом затвора. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Підсвітка та живлення LED/LCD/PDP-телевізорів і моніторів
- Сонячні інвертори, UPS
- Зарядні пристрої
- Блоки живлення
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити CRJQ190N65GCF?
У назві товару вказано CRJQ190N65GC. Іншу заміну підбирайте за datasheet: канал N, корпус TO-247, напруга не нижче 650 В, струм і опір каналу не гірші.
Як перевірити польовий транзистор?
Мультиметром у режимі перевірки діодів перевірте перехід витік–стік і відсутність пробою між затвором та іншими виводами. Повну перевірку роблять у схемі.
Що означає Super Junction у цьому транзисторі?
Це технологія структури кристала, яку виробник вказує в документі (SJMOS). Для заміни важливі ті самі напруга, струм, опір каналу і заряд затвора, а також корпус TO-247.
Документація виробника: CRJQ190N65GCF (CR Micro).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Запобіжник керамічний 5×20 мм 12A ( F12A ) з виводами
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Запобіжник керамічний швидкодіючий (F) |
| Номінальний струм | 12 А |
| Номінальна напруга | 250 В AC |
| Опір холодного стану | 0.005 Ом при 100% In |
| Падіння напруги | 0.09 В (макс.) при 100% In |
| Плавлення I²t (<10 мс) | 408 А²с |
| Плавлення I²t (@10 In) | 430 А²с |
| Макс. розсіювана потужність | 4.4 Вт |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Розмір | 5×20 мм |
Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSWR , NSI66 02AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Ізоляція | 5700 В (RMS), 1 хв, UL1577 |
| Піковий струм (джерело) | 4 А на кожен вихід |
| Піковий струм (стік) | 6 А на кожен вихід |
| Живлення VDDI | 3–5,5 В |
| Живлення VDDA/VDDB | 7–25 В |
| Затримка поширення | 25 нс (тип.) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (тип.) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.