IGBT-транзистор DXG75N65HS ( DXG75N65HSE ) оригінал, TO247

DXG75N65HS (у назві також DXG75N65HSE) – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Точного даташиту на DXG75N65HS не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі OST75N65HSMF-E (Oriental Semiconductor) у тому самому корпусі: напруга колектор–емітер Vces 650 В, струм колектора Ic 90 А при TC = 25 °C і 75 А при TC = 100 °C, імпульсний струм 300 А. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,4 В, не більше 1,8 В (VGE = 15 В, IC = 75 А), порогова напруга Vge(th) від 3,0 до 4,5 В. Напруга затвор–емітер ±20 В, імпульсно ±30 В. Заряд затвора Qg типово 201 нКл, вхідна ємність Cies типово 8165 пФ. Енергія перемикання при VCC = 400 В, IC = 75 А, RG = 10 Ом: Eon 2,60 мДж, Eoff 1,72 мДж, час спаду tf 59 нс. Розсіювана потужність Pd 405 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус 0,37 °C/Вт, температура переходу від -55 до +175 °C. Діод: прямий струм 75 А при TC = 100 °C, пряма напруга типово 1,55 В при IF = 75 А, час відновлення trr типово 170 нс.

Оригінал, не демонтаж. За даташитом OST75N65HSMF-E такі транзистори працюють в індукційних перетворювачах і джерелах безперебійного живлення. Заміну підбирайте за корпусом TO-247 і розпіновкою (G, C, E), з напругою не нижче 650 В, струмом не нижче 75 А при 100 °C і з вбудованим діодом. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

• індукційні перетворювачі
• джерела безперебійного живлення