Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG65R220PZ оригінал, TO220
143,82 ₴
27 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
27 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
OSG65R220PZ – N-канальний високовольтний MOSFET Oriental Semiconductor у корпусі TO220 зі швидким вбудованим діодом. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11.5 А |
| Імпульсний струм стоку | 54 А (TC=25 °C) |
| Опір Rds(on) | 220 мОм макс. (VGS=10 В, ID=9 А) |
| Заряд затвора Qg | 21.7 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1493 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–4.5 В |
| Потужність розсіювання Pd | 151 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
OSG65R220PZ – N-канальний MOSFET серії GreenMOS Z виробництва Oriental Semiconductor у корпусі TO-220. Напруга Vds – 650 В (мінімум при VGS=0 В, ID=250 мкА), 700 В при максимальній температурі переходу. Струм стоку Id при TC=25 °C – 18 А, при TC=100 °C – 11.5 А; імпульсний струм – 54 А при TC=25 °C. Опір Rds(on) максимум 220 мОм при VGS=10 В, ID=9 А, Tj 25 °C (типово 180 мОм). Заряд затвора Qg – 21.7 нКл при VGS=10 В, VDS=400 В, ID=18 А. Вхідна ємність Ciss типово 1493 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц). Вбудований діод швидкий (FRD), trr – 143.3 нс при IS=18 А, di/dt=100 А/мкс. Потужність розсіювання – 151 Вт при TC=25 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Параметри наведено за документом OSG65R220PZF (Oriental Semiconductor). Підбираючи заміну, порівнюйте Vds, Id, Rds(on) при тому самому VGS і заряд затвора, а корпус беріть той самий. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Блоки живлення ПК, телеком- і серверні блоки живлення
- Зарядні пристрої для електромобілів, драйвери двигунів
Чим замінити OSG65R220PZ?
Шукайте N-канальний MOSFET у TO-220 з Vds не нижче 650 В, Id не менше 18 А при TC=25 °C і Rds(on) не вище 220 мОм при VGS=10 В. Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який діод вбудований в OSG65R220PZ?
Швидкий діод (FRD) серії GreenMOS Z, trr – 143.3 нс при IS=18 А, di/dt=100 А/мкс.
Чи потрібна ізоляційна прокладка?
Прокладку ставлять, якщо радіатор не ізольований від схеми. Теплопровідну прокладку під транзистор TO-220 пропонуємо в каталозі.
Документація виробника: OSG65R220PZF (Oriental Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSWR , NSI66 02AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Ізоляція | 5700 В (RMS), 1 хв, UL1577 |
| Піковий струм (джерело) | 4 А на кожен вихід |
| Піковий струм (стік) | 6 А на кожен вихід |
| Живлення VDDI | 3–5,5 В |
| Живлення VDDA/VDDB | 7–25 В |
| Затримка поширення | 25 нс (тип.) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (тип.) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT067N10N оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал, Trench |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 147 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 93 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) | 5.2 мОм тип., 6.7 мОм макс. |
| Заряд затвора Qg | 135 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5779 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 2.4–3.6 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 280 Вт |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.