Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

IGBT-транзистор 75N60FL2 ( NGTB75N60FL2WG )оригінал демонтаж б/в (600V,75A),TO247

282,00 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IGBT-транзистор 75N60FL2 (NGTB75N60FL2WG) onsemi з вбудованим діодом, корпус TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
ТипIGBT з вбудованим діодом
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic (100 °C)75 А (Tc 100 °C)
Vce(sat) тип.1,75 В (Vge 15 В, Ic 75 А, Tj 25 °C)
Vge(th)5,5 В (Vge = Vce, Ic 350 мА)
Заряд затвора Qg310 нКл (Vce 480 В, Ic 75 А, Vge 15 В)
Потужність Pd595 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

75N60FL2 (NGTB75N60FL2WG) – IGBT-транзистор onsemi з вбудованим швидким діодом м’якого відновлення (soft fast recovery), корпус TO-247. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В. Струм колектора Ic – 100 А при Tc 25 °C і 75 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,75 В при Vge 15 В, Ic 75 А, Tj 25 °C (максимум 2,00 В; 2,30 В при Tj 175 °C). Заряд затвора Qg – 310 нКл при Vce 480 В, Ic 75 А, Vge 15 В. Потужність розсіювання Pd – 595 Вт при Tc 25 °C, 265 Вт при Tc 100 °C.

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте з datasheet напругу Vces, струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), наявність вбудованого діода, заряд затвора Qg і корпус TO-247. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Сонячні інвертори
  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
  • Зварювальне обладнання
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
YGW75N65HP Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×75 = 60, Vce(sat) 25 °C (тип.) 1.65 ≤ 1.3×1.75 = 2.27, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Перевірте Qg за datasheet: драйвер затвора має підходити. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити 75N60FL2?

Заміну підбирайте за datasheet: корпус TO-247, Vces не нижче 600 В, порівнянний Ic при Tc 100 °C, вбудований діод, порівнянні Vce(sat) і заряд затвора Qg. У каталозі за цими правилами є YGW75N65HP, деталь у таблиці аналогів.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Який діод вбудований в 75N60FL2?

Швидкий діод м’якого відновлення (soft fast recovery): Vf типово 2,20 В при If 75 А, Vge 0 В, Tj 25 °C; trr 80 нс при If 75 А, Vr 400 В, diF/dt 200 А/мкс, Tj 25 °C.

Для чого використовують 75N60FL2?

За даними виробника – у сонячних інверторах, джерелах безперебійного живлення (UPS) і зварювальному обладнанні.

Datasheet

Документація виробника: NGTB75N60FL2WG (onsemi).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

NGTB75N60FL2WG (onsemi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникJilin Sino-Microelectronics (JSMC)
ТипIGBT Trench FS з діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В)
Струм Ic (25 °C)100 А
Струм Ic (100 °C)50 А
Vce(sat)1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C)
Vge(th)4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd437 Вт (Tc = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

IGBT-транзистор K20T60 ( IKP20N60T ) оригінал, TO220

В наявності

213,85 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В
Струм Ic (100 °C)28 А
Струм Ic (25 °C)41 А
Імпульсний струм Icp60 А
Vce(sat)1,5 В typ, 2,05 В max (VGE = 15 В, Ic = 20 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot166 Вт (TC = 25 °C)
Tj max175 °C
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220

В наявності

122,67 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT Trench Field Stop з діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА)
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)20 А
Vce(sat)1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C)
Vge(th)4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd125 Вт (Tj = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tvj ≥25 °C)
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)275 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C)
КорпусTO-247
Вбудований діодVrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс
Максимальна температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.