Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

IGBT-транзистор H15R1203 ( IHW15N120R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

141,00 ₴

9 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

9 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IHW15N120R3 (H15R1203) – IGBT Infineon зі зворотною провідністю для резонансних схем. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга колектор-емітер Vce1200 В (VGE=0 В, IC=0,5 мА)
Струм колектора Ic30 А при Tc=25 °C; 15 А при Tc=100 °C
Імпульсний струм колектора45 А
Напруга насичення Vce(sat)1,48 В (тип.), 1,70 В (макс.) при VGE=15 В, IC=15 А, Tvj=25 °C
Пряма напруга діода Vf1,55 В (тип.), 1,75 В (макс.) при IF=15 А
Потужність розсіювання Ptot254 Вт при Tc=25 °C
Робоча температура переходу Tvj-40…+175 °C
Заряд затвора Qg165 нКл (VCC=960 В, IC=15 А, VGE=15 В)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

IHW15N120R3 (маркування H15R1203) – IGBT зі зворотною провідністю з серії Resonant Switching, TRENCHSTOP, виробник Infineon, корпус PG-TO247-3. За datasheet виробника: напруга колектор-емітер 1200 В (VGE=0 В, IC=0,5 мА); струм колектора 30 А при Tc=25 °C і 15 А при Tc=100 °C; імпульсний струм 45 А. Напруга насичення Vce(sat) 1,48 В (тип.) при VGE=15 В, IC=15 А, Tvj=25 °C. Вбудований монолітний діод має Vf 1,55 В (тип.) при IF=15 А і призначений для м’якої комутації. Потужність розсіювання – 254 Вт при Tc=25 °C.

Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Параметри вище стосуються нової деталі за datasheet. Infineon позначає цей номер як знятий з виробництва. Підбираючи заміну, порівнюйте datasheet: корпус, напруга, струм колектора і тип діода мають збігатися. Магазин у Запоріжжі, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Індукційне нагрівання (варильні поверхні)
  • Інверторні мікрохвильові печі
  • Резонансні перетворювачі
  • М’яко комутовані (soft switching) схеми
Часто питають
Чим замінити IHW15N120R3?

Виробник заміни не називає. Шукайте IGBT у корпусі TO-247 з напругою не нижче 1200 В, струмом не менше 15 А при Tc=100 °C і таким самим вбудованим діодом; порівняйте datasheet.

Чи підходить для індукційної плити?

Застосування за datasheet: індукційне нагрівання, інверторні мікрохвильові печі, резонансні перетворювачі. Діод розрахований на м’яку комутацію.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Що означає маркування H15R1203?

Це маркування на корпусі, за datasheet Infineon воно відповідає номеру IHW15N120R3.

Datasheet

Документація виробника: IHW15N120R3 Resonant Switching Series, Infineon.

Параметри datasheet стосуються нової деталі; товар – демонтаж б/в.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IHW15N120R3 Resonant Switching Series, Infineon Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Діодний міст D25XB80 (Заміна для TS25P06G )

В наявності

133,48 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникShindengen Electric Manufacturing
Повторювана напруга Vrrm800 В
Струм If(av) з радіатором25 А
Струм If(av) на платі3,5 А (Ta 25 °C)
Ударний струм Ifsm350 А (1 цикл, Tj 25 °C)
Пряме падіння напруги Vf1,05 В (If 12,5 А)
Ізоляційна напруга Vdis2,5 кВ AC (1 хв)
КорпусSIP (House Name: 5S), однорядне розташування виводів
Робоча температура-40…+150 °C

Схожі товари

IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)20 А
Струм Ic (25 °C)35 А (розрахунок за формулою виробника)
Імпульсний струм Icp75 А
Vce(sat)2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C)
Потужність Ptot125 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал

IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247

В наявності

183,77 ₴
ПараметрЗначення
НомерIHW40N120R3
МаркуванняH40R1203
ВиробникInfineon
ТипIGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом
Напруга Vces1200 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Vce(sat)1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)429 Вт
Вхідна ємність Cies2708 пФ
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247

IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникJilin Sino-Microelectronics (JSMC)
ТипIGBT Trench FS з діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В)
Струм Ic (25 °C)100 А
Струм Ic (100 °C)50 А
Vce(sat)1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C)
Vge(th)4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd437 Вт (Tc = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.