Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
IGBT-транзистор GT30F133 ( 30F133 ) , DPAK
70,50 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
3 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор GT30F133 (30F133) у корпусі DPAK – силовий ключ для імпульсних і ключових схем.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Порогова напруга Vge(th) | 2,2…4,7 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
GT30F133 (маркування 30F133) – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) у корпусі DPAK. Точного даташиту на GT30F133 не знайшли. Найближчий схожий даташит – IRG7R313UPbF (International Rectifier) у тому самому корпусі D-Pak: напруга затвор–емітер ±30 В, порогова напруга Vge(th) від 2,2 до 4,7 В, температура переходу до +150 °C. Документ описує деталь з іншими струмом і напругою, тому напругу колектор–емітер, струм колектора і потужність з нього не наводимо. За даташитом IRG7R313UPbF такі транзистори ставлять у кола керування плазмових панелей.
Щоб підібрати заміну, візьміть документацію на деталь, яка стоїть у вашому пристрої, і порівняйте корпус, напругу, струм і наявність вбудованого діода. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- кола керування плазмових панелей (PDP)
Чим замінити GT30F133?
Заміну підбирайте за документацією на вашу схему: той самий корпус DPAK, не нижча напруга й струм, той самий тип керування. Підібрати за одним лише маркуванням без параметрів не можна.
Як перевірити IGBT-транзистор?
Мультиметром у режимі перевірки діодів перевірте відсутність пробою між виводами. Щоб переконатися, що ключ відкривається, потрібна пробна схема з навантаженням.
Які параметри має GT30F133?
Точного даташиту на GT30F133 не знайшли. За найближчим схожим даташитом IRG7R313UPbF: напруга затвор–емітер ±30 В, порогова напруга від 2,2 до 4,7 В, температура переходу до +150 °C. Напругу колектор–емітер і струм не наводимо: у документі вони для іншої деталі.
Звідки параметри GT30F133?
Параметри взято з найближчого схожого даташиту – IRG7R313UPbF (International Rectifier) у корпусі D-Pak. Наведено тільки ті, що не залежать від струму й напруги деталі.
Найближчий datasheet: IRG7R313UPbF (International Rectifier).
Точного даташиту на GT30F133 не знайдено. Найближчий схожий даташит – IRG7R313UPbF (International Rectifier), корпус D-Pak. З нього взято тільки параметри, які не залежать від струму й напруги деталі.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.