Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGA90N33ATD оригінал, TO-3P
235,00 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор FGA90N33ATD Fairchild з антипаралельним діодом у корпусі TO-3P для плазмових панелей. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Тип | IGBT N-канал з діодом (PDP) |
| Напруга Vces | 330 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 90 А |
| Імпульсний струм | 220 А |
| Vce(sat) при Tc 25 °C | 1.6 В при Ic 90 А, Vge 15 В |
| Vge(th) | 4.0 В при Ic 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2200 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 180 нс |
| Pd при Tc 25 °C | 223 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | так, антипаралельний |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FGA90N33ATD – IGBT-транзистор Fairchild Semiconductor з вбудованим антипаралельним діодом у корпусі TO-3P, розрахований на плазмові панелі (PDP). Напруга колектор-емітер Vces – 330 В. Струм колектора Ic – 90 А при Tc 25 °C, імпульсний струм – 220 А (Tc 25 °C, імпульс 100 мкс, шпаруватість 0,1). Напруга насичення Vce(sat) – 1.6 В при Ic 90 А, Vge 15 В, Tc 25 °C і 1.7 В при Tc 125 °C. Заряд затвора Qg – 95 нКл (Vce 200 В, Ic 20 А, Vge 15 В). Вхідна ємність Cies типово 2200 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 180 нс (Vcc 200 В, Ic 20 А, Rg 5 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C). Діод: Vfm 1.1 В при If 10 А, trr 23 нс (If 10 А, dI/dt 200 А/мкс, Tc 25 °C). Потужність розсіювання Pd – 223 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vces, струм Ic, Vce(sat), заряд затвора Qg, параметри діода та корпус TO-3P. Пряма заміна за даними виробника – FGA90N33ATDTU. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Плазмові панелі (PDP)
Чим замінити FGA90N33ATD?
За даними виробника пряма заміна – FGA90N33ATDTU. В інших випадках підбирайте за datasheet: корпус TO-3P, Vces не нижче 330 В, порівнянні Vce(sat), Qg і параметри діода.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для чого використовують FGA90N33ATD?
Це IGBT для плазмових панелей (PDP), де потрібні малі втрати провідності та перемикання.
Який у FGA90N33ATD вбудований діод?
Антипаралельний діод: Vfm 1.1 В при If 10 А і Tc 25 °C, trr 23 нс при If 10 А, dI/dt 200 А/мкс, Tc 25 °C.
Документація виробника: FGA90N33ATD (Fairchild Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.