Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор K50EES5 ( IKW50N65ES5 )(650V,80A) , TO247 оригінал демонтаж б/в
282,00 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор K50EES5 (IKW50N65ES5) Infineon з вбудованим швидким діодом, корпус TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT N-канал з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 60.5 А |
| Vce(sat) typ | 1.35 В при Vge 15 В, Ic 50 А |
| Vge(th) typ | 4.0 В при Ic 0,5 мА |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3100 пФ |
| Ptot при Tc 25 °C | 274 Вт |
| Tvj max | 175 °C |
| Вбудований діод | так, RAPID 1 |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
K50EES5 (аналог за назвою – IKW50N65ES5) – IGBT-транзистор Infineon з вбудованим швидким діодом RAPID 1 на повний номінальний струм, у корпусі PG-TO247-3. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (VGE 0 В, Ic 0,2 мА, мінімум). Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C і 60.5 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1.35 В при Vge 15 В, Ic 50 А, максимум 1,70 В. Заряд затвора Qg – 120 нКл (Vcc 520 В, Ic 50 А, Vge 15 В). Вхідна ємність Cies типово 3100 пФ. Енергія вимкнення Eoff – 0.55 мДж, час спаду tf – 34 нс (Vcc 400 В, Ic 50 А, Vge 0/15 В, Rg 8,2 Ом). Потужність розсіювання Ptot – 274 Вт при Tc 25 °C, робоча температура переходу до 175 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vces, струм Ic при 100 °C, Vce(sat), заряд затвора Qg, наявність діода та корпус TO-247. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Резонансні перетворювачі
- Джерела безперебійного живлення
- Зварювальні інвертори
- Перетворювачі середньої та високої частоти
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×60.5=48.4, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.35=1.76, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перевірте драйвер затвора і Qg за datasheet. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити K50EES5?
Заміну підбирайте за datasheet: корпус TO-247, Vces не нижче 650 В, Ic при 100 °C не менше ніж у цієї деталі (60.5 А), порівнянний Vce(sat) і вбудований діод. У каталозі є JT050N065WED, що проходить ці умови.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в K50EES5 вбудований діод?
Так, це швидкий діод RAPID 1 на повний номінальний струм. Пряма напруга діода Vf типово 1.45 В при If 50 А, Vge 0, максимум 1,70 В.
Для чого використовують K50EES5?
За даними виробника – у резонансних перетворювачах, джерелах безперебійного живлення, зварювальних інверторах і перетворювачах середньої та високої частоти.
Документація виробника: IKW50N65ES5 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.