Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 40N60FD2 оригінал( SGT40N60FD2 , 40N60FD , TGAN40N60FD , SGT40N60FD ), TO3P
141,00 ₴
37 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
37 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор SGT40N60FD2 (40N60FD2) у корпусі TO-3P з вбудованим швидким діодом FRD і робочою напругою Vce 600 В – оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Струм колектора Icm (імпульсний) | 120 А |
| Розсіювана потужність Pd | 380 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,8 В тип. / 2,7 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0…6,5 В (тип. 5,0 В) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл |
| Вбудований діод (FRD), Vfm | 1,9 В тип. / 2,6 В макс. (If 20 А, Tc 25 °C) |
| Вбудований діод (FRD), Trr | 32 нс |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
SGT40N60FD2 (маркування на корпусі – 40N60FD2) – IGBT-транзистор Hangzhou Silan Microelectronics у корпусі TO-3P, серія Field Stop III з вбудованим швидким діодом FRD. Напруга Vce – 600 В, безперервний струм колектора Ic – 80 А при температурі корпусу 25 °C і 40 А при 100 °C, імпульсний Icm – 120 А. Типова напруга насичення Vce(sat) – 1,8 В (макс. 2,7 В) при Ic 40 А, Vge 15 В, 25 °C, а при 125 °C вона зростає до 2,5 В. Розсіювана потужність Pd – 380 Вт при 25 °C.
Вбудований діод FRD має пряму напругу Vfm 1,9 В тип. (макс. 2,6 В) при If 20 А і час відновлення Trr 32 нс – швидкодія важлива для інверторів і ДБЖ, де транзистор перемикається часто. Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, звіряйте з платою напругу Vce, струм Ic при робочій температурі, напругу насичення і корпус TO-3P; при монтажі на радіатор знадобиться ізоляційна прокладка.
Де застосовують
- Індукційний нагрів (Induction Heating)
- ДБЖ (UPS)
- Імпульсні джерела живлення (SMPS)
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| SGT50T65FD1PN (50T65FD1) | той самий корпус TO-3P, Vces 650 В ≥ 600 В, Ic(100 °C) 50 А ≥ 0.8×40 А, Vce(sat) порівнянне (2,2 В проти 1,8 В), діод є в обох | запас за напругою й струмом, Vce(sat) трохи вищий – перевірте тепловий режим у вашій схемі. | Купити |
| FGA60N65SMD | той самий корпус TO-3P (TO-3P-3/SC-65-3), Vces 650 В ≥ 600 В, Ic(100 °C) 60 А ≥ 0.8×40 А, Vce(sat) порівнянне (1,9 В проти 1,8 В), діод є в обох | близький клас за струмом і напругою насичення – придатний замінник. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити SGT40N60FD2 (40N60FD2)?
У нашому каталозі є два перевірених аналоги в корпусі TO-3P з підтвердженими параметрами – SGT50T65FD1PN (Silan, 650 В) і FGA60N65SMD (onsemi, 650 В); обидва мають запас за напругою і струмом, звірте напругу насичення перед монтажем.
Як перевірити IGBT з вбудованим діодом перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діода зміряйте перехід колектор-емітер і затвор-емітер на пробій та витік, окремо перевірте пряму напругу вбудованого діода FRD.
Чи підходить SGT40N60FD2 для індукційного нагріву?
Так, за даними виробника серія Field Stop III з вбудованим діодом FRD призначена саме для індукційного нагріву, а також для ДБЖ, SMPS і PFC.
Чому в назві товару вказано кілька номерів (40N60FD2, 40N60FD, TGAN40N60FD, SGT40N60FD)?
Це варіанти позначення однієї й тієї ж деталі: SGT40N60FD2 – офіційний номер виробника, 40N60FD2 – маркування на корпусі, інші коди зустрічаються в каталогах постачальників як альтернативні назви.
Документація виробника: SGT40N60FD2PN(P7)(PT) Datasheet, Rev.:1.2 – Hangzhou Silan Microelectronics.
Дата випуску документа не вказана – лише номер ревізії Rev.:1.2; alias-номери TGAN40N60FD і 40N60FD взяті з назви товару, у самому datasheet вони не згадуються.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема ID7S625 ( ID7S625SBC-R1 ) оригінал, SOIC-16(W)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | високовольтний швидкий драйвер MOSFET і IGBT з незалежними каналами верхнього і нижнього ключа |
| Робоча напруга плаваючого каналу | до 600 В |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В |
| Вихідний струм | 2,5 А (імпульсний струм короткого замикання виходу, джерело і стік) |
| Логічні входи | сумісні з 3,3 / 5 / 15 В |
| Захист | UVLO для обох каналів |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Виробник | Chipown |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG104R5NT ( 104R5NT ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку ID (25 °C) | 120 А |
| Струм стоку ID (100 °C) | 110 А |
| Опір Rds(on) | 3,6 мОм тип., макс. 4,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 7266 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 208 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.