Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор GW60V60DF ( STGW60V60DF , GW60V60DLF ) оригінал демонтаж б/в, TO-247(Заміна для NH28AB , HGTG20N60B3D , SGA45T60SMD )
164,50 ₴
21 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
21 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор GW60V60DF (STGW60V60DF, GW60V60DLF) у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 80 А при 25 °C |
| Vce(sat) | 1.85 В (тип.), 2.3 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 60 А, Tj 25 °C |
| Потужність Pd | 375 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 334 нКл (тип.) при Vcc 480 В, Ic 60 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 8000 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Робоча температура переходу | -55…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
GW60V60DF (також STGW60V60DF і GW60V60DLF) – IGBT-транзистор STMicroelectronics типу Trench Field Stop зі вбудованим діодом у корпусі TO-247-3. За даними datasheet: напруга Vces 600 В, струм Ic 80 А при 25 °C, Vce(sat) 1.85 В (тип.) і 2.3 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 60 А і Tj 25 °C, потужність Pd 375 Вт при Tc 25 °C, заряд затвора Qg 334 нКл (тип.) при Vcc 480 В, Ic 60 А і Vge 15 В, температура переходу від -55 до 175 °C. Вхідна ємність Cies типово 8000 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц).
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Згідно з назвою товару, GW60V60DF може замінити NH28AB, HGTG20N60B3D і SGA45T60SMD. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Параметри наведено за даними datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити GW60V60DF?
Готових аналогів у нашому каталозі для картки не підібрано. Порівняйте datasheet: напруга не нижча за 600 В, струм не нижчий за 80 А при 25 °C, корпус TO-247 і розпіновка однакові.
Що GW60V60DF може замінити?
За назвою товару – NH28AB, HGTG20N60B3D і SGA45T60SMD. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи є у GW60V60DF вбудований діод?
Так, це IGBT зі вбудованим діодом.
Документація виробника: STGW60V60DF, STGWT60V60DF, DocID024154 Rev 4 (June 2013).
Параметри наведено за datasheet STMicroelectronics STGW60V60DF (DocID024154 Rev 4).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.