Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 60T65PES оригінал ( MBQ60T65PES ) , TO247 (650V,60A,428W)
169,20 ₴
36 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
36 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
60T65PES (MBQ60T65PES) – оригінальний IGBT-транзистор MagnaChip з вбудованим діодом у корпусі TO-247 для інверторів, ДБЖ і коректорів потужності.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип | IGBT n-канал (Field Stop Trench, 2-ге покоління) із діодом |
| Напруга колектор-емітер Vce | 650 В (Ic 2 мА, VGE 0 В) |
| Струм колектора Ic | 100 А (Tc 25 °C), 60 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,85 В (тип.), 2,4 В (макс.) при Ic 60 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0–6,0 В (тип. 5,0) при VCE = VGE, Ic 0,5 мА |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл (тип.) при Vce 520 В, Ic 60 А, VGE 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2327 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Втрати вимкнення Eoff | 0,53 мДж (тип.) при Ic 60 А, Vcc 400 В, VGE 15 В, Rg 7 Ом, Tvj 25 °C |
| Час спаду tf | 40 нс (тип.) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tvj | 175 °C |
| Потужність розсіювання Pd | 535 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
60T65PES (MBQ60T65PES) – n-канальний IGBT MagnaChip, Field Stop Trench 2-го покоління, із вбудованим діодом, у корпусі TO-247. Напруга колектор-емітер – 650 В (BVCES при Ic 2 мА, VGE 0 В). Струм колектора Ic – 100 А при Tc 25 °C (обмежено Tvjmax) і 60 А при Tc 100 °C. Vce(sat) – 1,85 В (тип.) і 2,4 В (макс.) при Ic 60 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C. Заряд затвора Qg – 95 нКл (тип.) при Vce 520 В, Ic 60 А, VGE 15 В. Вхідна ємність Cies типово 2327 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 40 нс (тип.), втрати вимкнення Eoff – 0,53 мДж (тип.) при Ic 60 А, Vcc 400 В, VGE 15 В, Rg 7 Ом, Tvj 25 °C. Потужність розсіювання Pd – 535 Вт при Tc 25 °C. Максимальна температура переходу – 175 °C.
Деталь оригінальна, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), наявність діода, корпус і заряд затвора Qg: якщо він суттєво більший, перевірте драйвер. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Сонячні інвертори (PV Inverter), ДБЖ (UPS), індукційні плити (IH Cooker), зварювальні апарати (Welder), коректори коефіцієнта потужності (PFC)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити 60T65PES?
Потрібен IGBT у корпусі TO-247 з Vces не нижче 650 В, струмом при Tc 100 °C не менше ніж у цієї деталі (60 А) і вбудованим діодом. Порівняйте також Vce(sat) за однакових умов і заряд затвора Qg.
Для яких пристроїв підходить 60T65PES?
За документом виробника – для сонячних інверторів, ДБЖ, індукційних плит, зварювальних апаратів і коректорів коефіцієнта потужності.
Який струм дозволяє цей IGBT?
100 А при Tc 25 °C (обмежено Tvjmax) і 60 А при Tc 100 °C. Для розрахунку теплового режиму орієнтуйтеся на значення при Tc 100 °C.
Документація виробника: MBQ60T65PESTH (MagnaChip Semicon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSWR , NSI66 02AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Ізоляція | 5700 В (RMS), 1 хв, UL1577 |
| Піковий струм (джерело) | 4 А на кожен вихід |
| Піковий струм (стік) | 6 А на кожен вихід |
| Живлення VDDI | 3–5,5 В |
| Живлення VDDA/VDDB | 7–25 В |
| Затримка поширення | 25 нс (тип.) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (тип.) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.