Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ULN2004 ( ULN2004A , ULN2004D1 , KID65004AF ) оригінал, so-16
31,02 ₴
27 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
27 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
ULN2004 – мікросхема зі збіркою 7 транзисторів Дарлінгтона для керування навантаженням від входів CMOS. Оригінал, корпус so-16.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-16 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна напруга колектор–емітер (вихід) | 50 В |
| Струм колектора одного каналу | 500 мА (Absolute Maximum Ratings) |
| Кількість каналів (пари Дарлінгтона NPN) | 7 шт |
| Захисні діоди на виходах | є, спільний катод, для індуктивних навантажень |
| Vce(sat), макс. | 1.1 В (Ii = 250 мкА, Ic = 100 мА, TA 25 °C); 1.3 В (Ii = 350 мкА, Ic = 200 мА); 1.6 В (Ii = 500 мкА, Ic = 350 мА) |
| Струм відсічки колектора Iсех, макс. | 50 мкА (Vce = 50 В, Ii = 0, TA 25 °C) |
| Пряма напруга захисного діода Vf, макс. | 2 В (If = 350 мА, TA 25 °C) |
| Температура переходу Tj (робоча) | -40…125 °C |
| Кількість виводів | 16 шт |
| Корпус | SO-16 |
| Вхідний резистор бази | 10.5 кОм (для CMOS 6–15 В) |
| Vi(on), макс. | 5 В (Vce = 2 В, Ic = 125 мА); 6 В (Ic = 200 мА); 7 В (Ic = 275 мА); 8 В (Ic = 350 мА) |
| Вхідний струм Ii, тип. / макс. | 0.35 / 0.5 мА (Vi = 5 В); 1 / 1.45 мА (Vi = 12 В) |
| Стан | Оригінал |
ULN2004 – мікросхема Texas Instruments: збірка з 7 пар Дарлінгтона NPN з відкритим колектором. Максимальна напруга на виході – 50 В, струм одного каналу – 500 мА (Absolute Maximum Ratings). Вхідний резистор бази 10.5 кОм розрахований на входи CMOS 6–15 В. Vce(sat) до 1.1 В при Ic = 100 мА і до 1.6 В при Ic = 350 мА (TA 25 °C). На виходах стоять захисні діоди зі спільним катодом для індуктивних навантажень: пряма напруга діода до 2 В при If = 350 мА, TA 25 °C. Робоча температура переходу – від -40 до 125 °C.
У магазині – оригінал у корпусі so-16 (SOIC-16, у datasheet TI суфікс D), для поверхневого монтажу. У назві також вказано позначення ULN2004A, ULN2004D1 і KID65004AF. Взаємозамінність з іншими мікросхемами перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Драйвери реле, молоткових механізмів, ламп
- Драйвери крокових і колекторних двигунів постійного струму
- Драйвери дисплеїв (LED і газорозрядних), лінійні драйвери, буфери логіки
Чим відрізняється ULN2004 від ULN2003A?
Вхідним резистором бази: у ULN2004 він 10.5 кОм для CMOS 6–15 В, у ULN2003A вхід розрахований на TTL і 5 В CMOS.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка напруга на вході потрібна для відкриття каналу?
Vi(on) макс. 5 В при Vce = 2 В, Ic = 125 мА; 6 В при Ic = 200 мА; 7 В при Ic = 275 мА; 8 В при Ic = 350 мА.
Чи є захист від викидів індуктивного навантаження?
Так, на кожному виході є захисний діод зі спільним катодом для індуктивних навантажень, пряма напруга до 2 В при If = 350 мА, TA 25 °C.
Документація виробника: SLRS027T ULN200x, ULQ200x High-Voltage, High-Current Darlington Transistor Arrays.
Datasheet Texas Instruments SLRS027T (серія ULN200x) знайдено; параметри взято з нього.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема ACS102-6T1 ( ACS1026T ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм IT(RMS) | 0,2 А (Tamb 100 °C, повна синусоїда, SO-8 і TO-92) |
| Ударний струм ITSM | 7,6 А (f 60 Гц, t 16,7 мс, Tj початк. 25 °C) |
| Струм керування Igt | 5 мА (макс., Vout 12 В, RL 33 Ом, квадранти II–III, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 0,9 В (макс., Vout 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C) |
| Стійкість dV/dt | 300 В/мкс (мін., Vout 67 % Vdrm, керування розімкнене, Tj 125 °C) |
| Напруга Vtm | 1,2 В (макс., Itm 0,3 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Квадранти керування | II, III |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ULN2003A оригінал ( заміна для ULN2003ADR , ULN2003AG4 , ULN2003 , ULN2003D1 ) , so-16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна напруга колектор–емітер (вихід) | 50 В |
| Струм колектора одного каналу | 500 мА (Absolute Maximum Ratings) |
| Кількість каналів (пари Дарлінгтона NPN) | 7 шт |
| Захисні діоди на виходах | є, спільний катод, для індуктивних навантажень |
| Vce(sat), макс. | 1.1 В (Ii = 250 мкА, Ic = 100 мА, TA 25 °C); 1.3 В (Ii = 350 мкА, Ic = 200 мА); 1.6 В (Ii = 500 мкА, Ic = 350 мА) |
| Струм відсічки колектора Iсех, макс. | 50 мкА (Vce = 50 В, Ii = 0, TA 25 °C) |
| Пряма напруга захисного діода Vf, макс. | 2 В (If = 350 мА, TA 25 °C) |
| Температура переходу Tj (робоча) | -40…125 °C |
| Кількість виводів | 16 шт |
| Корпус | SO-16 |
| Вхідний резистор бази | 2.7 кОм (для входів TTL і 5 В CMOS) |
| Vi(on), макс. | 2.4 В (Vce = 2 В, Ic = 200 мА); 2.7 В (Ic = 250 мА); 3 В (Ic = 300 мА) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ULN2003AN оригінал ( заміна для ULN2003APG , ULN2003A , ULN2003 ), DIP16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна напруга колектор–емітер (вихід) | 50 В |
| Струм колектора одного каналу | 500 мА (Absolute Maximum Ratings) |
| Кількість каналів (пари Дарлінгтона NPN) | 7 шт |
| Захисні діоди на виходах | є, спільний катод, для індуктивних навантажень |
| Vce(sat), макс. | 1.1 В (Ii = 250 мкА, Ic = 100 мА, TA 25 °C); 1.3 В (Ii = 350 мкА, Ic = 200 мА); 1.6 В (Ii = 500 мкА, Ic = 350 мА) |
| Струм відсічки колектора Iсех, макс. | 50 мкА (Vce = 50 В, Ii = 0, TA 25 °C) |
| Пряма напруга захисного діода Vf, макс. | 2 В (If = 350 мА, TA 25 °C) |
| Температура переходу Tj (робоча) | -40…125 °C |
| Кількість виводів | 16 шт |
| Корпус | DIP16 |
| Вхідний резистор бази | 2.7 кОм (для входів TTL і 5 В CMOS) |
| Vi(on), макс. | 2.4 В (Vce = 2 В, Ic = 200 мА); 2.7 В (Ic = 250 мА); 3 В (Ic = 300 мА) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ULN2004A ( ULN2004APG , ULN2004AN ) оригінал, DIP16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Збірка транзисторів Дарлінгтона (NPN) із захисними діодами |
| Виробник | Texas Instruments |
| Кількість каналів | 7 шт. |
| Струм колектора одного каналу | 500 мА |
| Напруга колектор–емітер (макс.) | 50 В при TA 25 °C |
| Зворотна напруга захисного діода (макс.) | 50 В при TA 25 °C |
| Вхідна напруга (макс.) | 30 В відносно виводу E |
| Vce(sat) (макс.) | 1,1 В при TA 25 °C, II = 250 мкА, IC = 100 мА |
| Температура переходу (макс.) | 150 °C |
| Корпус | DIP16 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSWR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Призначення | Ізольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів |
| Піковий струм source | 4 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Піковий струм sink | 6 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Напруга VDDA, VDDB | 9,4–25 В (версія NSI6602B) |
| Напруга VDDI | 3–5,5 В |
| Затримка поширення | 25 нс (типово, VDDA=VDDB=12 В) |
| Напруга ізоляції | 5700 В (діюче), 1 хвилина, UL1577 |
| CMTI | 150 кВ/мкс (типово) |
| Температура | –40…125 °C |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.