Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор KGH15N120NDA ( 15N120NDA ) оригінал демонтаж б/в (заміна для KGT15N120NDH , 15N120NDH , MX15N120NDA ) , TO-3P
235,00 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
KGH15N120NDA (15N120NDA) – IGBT-транзистор з вбудованим діодом для індукційного нагріву й ДБЖ. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В (Vge=0 В, Ic=3 мА) |
| Струм колектора Ic | 24 А при Tc 25 °C; 15 А при Tc 100 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В типове (Vge=15 В, Ic=15 А, Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Cies | 1400 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, If=15 А (Tc 100 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
KGH15N120NDA (15N120NDA) – IGBT-транзистор з вбудованим діодом в корпусі TO-3P. За даташитом KEC: напруга Vces 1200 В (Vge=0 В, Ic=3 мА), струм колектора Ic 24 А при Tc 25 °C і 15 А при Tc 100 °C, напруга насичення Vce(sat) типово 2.2 В (Vge=15 В, Ic=15 А, Tc 25 °C), потужність розсіювання 200 Вт при Tc 25 °C. Вбудований діод розрахований на 15 А при Tc 100 °C. Виводи: 1 – затвор, 2 – колектор, 3 – емітер. Вхідна ємність Cies типово 1400 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц).
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Цей транзистор може замінити KGT15N120NDH, 15N120NDH і MX15N120NDA; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбираючи інший транзистор, дивіться на напругу 1200 В, струм при Tc 100 °C, корпус TO-3P і наявність діода.
Де застосовують
- Індукційний нагрів (IH), ДБЖ (UPS), загальні інвертори та інші схеми з м'яким перемиканням.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити KGH15N120NDA?
За назвою товару він може замінити KGT15N120NDH, 15N120NDH і MX15N120NDA. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи є в ньому вбудований діод?
Так, вбудований діод розрахований на 15 А при Tc 100 °C; його пряма напруга типово 1.5 В при If=15 А, Tc 25 °C.
Для яких схем він підходить?
Для індукційного нагріву (IH), ДБЖ (UPS) і загальних інверторів з м'яким перемиканням.
Документація виробника: KGH15N120NDA (KEC).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.