Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 70N65F ( 70N65FDM1 , SGT70N65FDM1 ) оригінал, TO247
267,90 ₴
35 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
35 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор 70N65FDM1 (70N65F) у корпусі TO-247, оригінал – силовий ключ для джерел живлення та інверторів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
70N65FDM1 (також позначається як 70N65F, SGT70N65FDM1) – IGBT-транзистор у корпусі TO-247, оригінал. Це силовий ключ, який комутує струм у колі колектор-емітер за сигналом на затворі; такі транзистори застосовують у силових вузлах джерел живлення, зварювальних апаратів та інших пристроїв, де потрібен потужний ключ у корпусі TO-247.
Офіційний даташит виробника на сьогодні не знайдено, тому конкретні електричні параметри (напруга, струм, напруга насичення) у картці не вказуємо – щоб не подавати непідтверджені дані. Перед встановленням звірте маркування на корпусі з номером 70N65FDM1 (70N65F, SGT70N65FDM1) і переконайтеся, що корпус TO-247 підходить до посадкового місця на платі. Перевіреного аналога з нашого каталогу для цієї моделі поки немає – за потреби заміни звертайтеся до нас для підбору вручну.
Де застосовують
- Силова електроніка: інвертори, джерела живлення, зварювальні апарати (за категорією IGBT-транзисторів)
Чи є даташит на 70N65FDM1?
Офіційний даташит виробника ми не знайшли, тому в картці вказано лише перевірені дані: корпус TO-247 і стан – оригінал.
Чим замінити 70N65FDM1?
Перевіреного аналога з нашого каталогу для цієї моделі поки немає. Напишіть нам номер вашої схеми – підберемо варіант вручну.
Як перевірити транзистор перед встановленням?
Звірте маркування на корпусі з номером 70N65FDM1 (70N65F, SGT70N65FDM1) і переконайтеся, що корпус TO-247 підходить до посадкового місця на платі.
Чи підходить 70N65FDM1 для ремонту джерел живлення?
IGBT-транзистори в корпусі TO-247 такого класу застосовують у силових вузлах джерел живлення та зварювальних апаратів – уточніть відповідність за схемою вашого пристрою.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор HY3215W ( HY3215 ) (150V,130A) , TO247 оригінал
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 150 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 130 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 93 А |
| Опір Rds(on) | 11.5 мОм тип., 14 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В мін., 4 В тип., 5 В макс. (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 135 нКл тип. (VDS = 100 В, VGS = 10 В, ID = 30 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5925 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 349 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Діапазон температур зберігання Tstg | –55…175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 240 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення діода trr | 360 нс (Tj 175 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 750 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.