Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор G60T60AN3H оригінал ( CRG60T60AN3H , G60T60 ), TO3P

216,20 ₴

70 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

70 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IGBT-транзистор на 600 В, струм колектора 120 А (25 °C) / 60 А (100 °C), корпус TO-3P(N). Оригінал, новий.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (25 °C)120 А
Струм колектора Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.85 В тип. / 2.4 В макс. (Ic=60А, Vge=15В)
Заряд затвора Qg117 нКл
Час відновлення діода trr80 нс (If=30А)
Розсіювана потужність Pd403 Вт (Tc=25 °C)
КорпусTO-3P
Корпус (докладно)TO-3P(N)
СтанОригінал
Опис

G60T60AN3H (CRG60T60AN3H, G60T60) – IGBT-транзистор виробника CR Micro (Wuxi China Resources Huajing Microelectronics) у корпусі TO-3P(N). Напруга колектор-емітер Vces – 600 В (Vge=0В, Ice=1мА). Струм колектора Ic – 120 А при Tc=25 °C і 60 А при Tc=100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.85 В типове і 2.4 В максимальне при Ic=60А, Vge=15В. Порогова напруга затвора Vge(th) – 4.0–7.0 В (типове 5.4 В). Заряд затвора Qg – 117 нКл при Vce=400В, Ic=60А, Vge=15В. Час зворотного відновлення вбудованого діода trr – 80 нс при If=30А. Розсіювана потужність Pd – 403 Вт при Tc=25 °C, максимальна температура переходу Tj – 150 °C.

Товар оригінал, новий, не демонтаж. Перед відправкою перевіряємо деталь на відповідність заявленим параметрам. Для підбору заміни орієнтуйтесь на напругу Vces не нижче 600 В, достатній запас по струму Ic при 100 °C відносно номінальних 60 А і той самий корпус TO-3P – з нашого каталогу цим критеріям відповідають IGBT FGA60N65SMD та 50T65FD1 (SGT50T65FD1PN).

Де застосовують

  • Зварювальні апарати
  • Сонячні інвертори
  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
FGA60N65SMD той самий корпус TO-3P, Vces 650В ≥ 600В, Ic(100°C) 60А ≥ 0.8× від 60А, Vce(sat) порівнянне параметри близькі майже по всіх позиціях, найближчий за струмом аналог Купити
50T65FD1 (SGT50T65FD1PN) той самий корпус TO-3P, Vces 650В ≥ 600В, Ic(100°C) 50А ≥ 0.8× від 60А, Vce(sat) порівнянне менший запас по струму (Ic 100°C – 50А проти 60А номінальних) Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити G60T60AN3H?

За параметрами з нашого каталогу підходять IGBT FGA60N65SMD та 50T65FD1 (SGT50T65FD1PN) – обидва в корпусі TO-3P, з напругою Vces не нижче 600 В і достатнім запасом по струму Ic при 100 °C відносно номінальних 60 А.

Як перевірити IGBT-транзистор перед встановленням?

Мультиметром у режимі перевірки діода прозвонюють перехід затвор-емітер (має бути розрив) і вбудований діод колектор-емітер (пряме падіння напруги в один бік, розрив у інший). Остаточно справність підтверджує тільки робота в схемі під навантаженням.

Для яких пристроїв застосовується G60T60AN3H?

За даними виробника – для зварювальних апаратів, сонячних інверторів і джерел безперебійного живлення (UPS).

Навіщо в характеристиках вказано час відновлення вбудованого діода trr?

trr (80 нс при If=30А) показує, наскільки швидко діод перестає проводити струм при перемиканні – чим менше значення, тим менші втрати і нагрів у високочастотних схемах.

Datasheet

Документація виробника: CRG60T60AN3H – Silicon FS Trench IGBT.

Усі наведені параметри підтверджені прямим читанням даташита виробника й звірені з другим джерелом (LCSC), статус виробництва – active.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

CRG60T60AN3H – Silicon FS Trench IGBT Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Мікросхема EG2113D , so-16

В наявності

50,29 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникEG Micro
КорпусSO-16
Напруга плеча VB600 В (абсолютний максимум, TA 25 °C)
Живлення Vcc10–20 В
Вихідний струм (джерело)2 А
Вихідний струм (стік)2 А
Частота перемиканнядо 500 кГц
Мертвий час130 нс (тип.)

Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSWR , NSI66 02AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sow16

В наявності

86,01 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникNOVOSENSE
КорпусSOIC-16 (wide body)
Ізоляція5700 В (RMS), 1 хв, UL1577
Піковий струм (джерело)4 А на кожен вихід
Піковий струм (стік)6 А на кожен вихід
Живлення VDDI3–5,5 В
Живлення VDDA/VDDB7–25 В
Затримка поширення25 нс (тип.)
CMTI150 кВ/мкс (тип.)
Робоча температура-40…125 °C
СтанОригінал

Транзистор CRJQ80N65F оригінал (заміна для CRJQ80N65GC ) , TO247

В наявності

178,60 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникCRM (China Resources Microelectronics)
Тип каналуN-канал
Напруга Vds650 В
Струм стоку Id (TC=25 °C)43 А
Струм стоку Id (TC=100 °C)32.3 А
Імпульсний струм стоку172 А (TC=25 °C)
Опір Rds(on)77 мОм (VGS=10 В, ID=21.5 А, тип.)
Порогова напруга Vgs(th)3.3–4.5 В
Заряд затвора Qg84 нКл
Вхідна ємність Ciss3435 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd470 Вт (TC=25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Вбудований діодшвидкий
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор FQA24N50D оригінал ( заміна для FQA24N50 , FQA24N50F , FDA24N50 , SVF23N50 , 23N50 ), TO-3P

В наявності

134,89 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id24 А (Tc 25 °C)
Опір Rds(on)200 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Порогова напруга Vgs(th)3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg90 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Схожі товари

IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247

В наявності

320,54 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (25 °C)240 А
Струм колектора Ic (100 °C)160 А
Напруга насичення Vce(sat)1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Час відновлення діода trr360 нс (Tj 175 °C)
Розсіювана потужність Pd750 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусSuper-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор IGW40T60U оригінал, TO-3P

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
НомерIGW40T60U
ТипIGBT-транзистор
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
НомерIRGP20B60PD
МаркуванняGP20B60PD
ВиробникInfineon (International Rectifier)
ТипIGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)22 А
Vce(on)2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)220 Вт
Вхідна ємність Cies1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор K20T60 ( IKP20N60T ) оригінал, TO220

В наявності

213,85 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В
Струм Ic (100 °C)28 А
Струм Ic (25 °C)41 А
Імпульсний струм Icp60 А
Vce(sat)1,5 В typ, 2,05 В max (VGE = 15 В, Ic = 20 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot166 Вт (TC = 25 °C)
Tj max175 °C
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.