Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор 40T120FES ( MBQ40T120FES ) (Заміна для 40T120FDS , MBQ40T120FDS , 40T120FDHA , MBQ40T120FDHA , IGW40T120 )(40A,1200V) , TO247
256,62 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
40T120FES (MBQ40T120FES) – IGBT-транзистор MagnaChip Field Stop Trench з вбудованим діодом, 1200 В, 40 А (Tc 100 °C), корпус TO-247. Для PFC, UPS, інверторів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic | 40 А (Tc 100 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 2.0 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Pd | 357 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Qg | 341 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 6030 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, швидкий м’який антипаралельний |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | MagnaChip |
40T120FES (MBQ40T120FES) – IGBT-транзистор Field Stop Trench виробництва MagnaChip з вбудованим швидким м'яким антипаралельним діодом, корпус TO-247. За даними документа MBQ40T120FESTH напруга колектор–емітер Vces – 1200 В (при Ic 1 мА, Vge 0 В). Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2.0 В тип., 2.4 В макс. при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C. Потужність розсіювання – 357 Вт при Tc 25 °C і 142 Вт при Tc 100 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Заряд затвора Qg – 341 нКл при Vce 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 6030 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Eoff – 0.54 мДж при Tc 25 °C (Vcc 600 В, Ic 40 А, Rg 10 Ом, індуктивне навантаження).
Діод: Vf 2.4 В тип. при If 40 А, Tc 25 °C, trr 100 нс тип. при If 40 А, di/dt 200 А/мкс. 40T120FES може замінити 40T120FDS, MBQ40T120FDS, 40T120FDHA, MBQ40T120FDHA, IGW40T120. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- PFC
- UPS
- Інвертори
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.55 ≤ 1.3×2=2.6, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перевірте драйвер затвора за зарядом Qg. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Що може замінити 40T120FES?
За назвою товару 40T120FES може замінити 40T120FDS, MBQ40T120FDS, 40T120FDHA, MBQ40T120FDHA, IGW40T120. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чим замінити 40T120FES, якщо його немає?
У каталозі є H40R1203 (IHW40N120R3): Vces 1200 В, Ic при 100 °C 40 А. Перевірте datasheet перед заміною.
Чи є в транзисторі вбудований діод?
Так, швидкий м'який антипаралельний діод, If 40 А при Tc 100 °C.
Що врахувати при роботі з цим IGBT?
Qg 341 нКл при Vce 600 В, Ic 40 А: потрібен драйвер затвора з достатнім струмом.
Документація виробника: MBQ40T120FESTH (MagnaChip Semicon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.