Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGW60N65T1 оригінал, TO247

267,90 ₴

22 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

22 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

YGW60N65T1 – оригінальний IGBT-транзистор Luxin-Semi з вбудованим діодом на 650 В і 60 А (Tc 100 °C) у корпусі TO-247. Для UPS, інверторів і PFC.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vce650 В (Tj 25 °C)
Струм Ic60 А (Tc 100 °C)
Струм Ic (25 °C)120 А (Tc 25 °C)
Vce(sat)1,85 В тип. (Ic 60 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Ptot312 Вт (Tj 25 °C)
Макс. температура переходу175 °C
Qg158 нКл
Вхідна ємність Cies3800 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Вбудований діодє
КорпусTO-247
ВиробникLuxin-Semi
СтанОригінал
Опис

YGW60N65T1 – IGBT N-канал виробництва Luxin-Semi з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Напруга колектор–емітер Vce – 650 В при Tj 25 °C. Струм колектора Ic – 120 А при Tc 25 °C і 60 А при Tc 100 °C (обмежений Tjmax), імпульсний Icm – 180 А при Vge 15 В. Напруга насичення Vce(sat) – 1,85 В (тип.), 2,2 В (макс.) при Ic 60 А, Vge 15 В, Tj 25 °C. Потужність розсіювання Ptot – 312 Вт при Tj 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Заряд затвора Qg – 158 нКл при Vcc 520 В, Ic 60 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 3800 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц).

Деталь оригінал, не демонтаж. Вбудований діод має пряму напругу Vfm 2,0 В при If 60 А, Tj 25 °C і час зворотного відновлення trr 20 нс при If 50 А, Vr 400 В, di/dt 100 А/мкс. Щоб підібрати заміну, порівняйте напругу Vce, струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat) і Qg, а також корпус і розпіновку. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
  • Інвертори
  • Зварювальні перетворювачі
  • PFC
  • Перетворювачі з високою частотою перемикання
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
JT050N065WED Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×60=48, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Струм при 100 °C нижчий, ніж у YGW60N65T1: враховуйте запас по струму. Купити
YGW75N65HP Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×60=48, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Перевірте драйвер затвора, якщо заряд затвора відрізняється. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити YGW60N65T1?

У нашому каталозі є JT050N065WED і YGW75N65HP: у обох Vces 650 В, як і в YGW60N65T1. У JT050N065WED струм Ic при Tc 100 °C нижчий, ніж у YGW60N65T1. Перед заміною порівняйте datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи є в транзисторі вбудований діод?

Так, антипаралельний діод: If 60 А при Tc 100 °C, Vfm 2,0 В при If 60 А, trr 20 нс.

На що звернути увагу при заміні на іншу модель?

Qg цієї моделі – 158 нКл. Якщо у заміни заряд затвора значно більший, перевірте драйвер затвора.

Datasheet

Документація виробника: YGW60N65T1 (luxin-semi).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

YGW60N65T1 (luxin-semi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Мікросхема SLM341 ( SLM341CK-DG ) оригінал, so-6

В наявності

123,14 ₴
ПараметрЗначення
Типізольований драйвер затвора IGBT/MOSFET
ВиробникSillumin
КорпусSO-6 (розтягнутий)
Вихідний струм (джерело/приймач)3,0 А / 3,0 А (пік)
Напруга ізоляції5000 В (діюче)
Напруга живлення затвора14…40 В
Затримка поширення140 нс (макс.)
CMTI150 кВ/мкс (мін.)
Температура переходу-40…150 °C
СтанОригінал

Схожі товари

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор IGW40T60U оригінал, TO-3P

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
НомерIGW40T60U
ТипIGBT-транзистор
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникJilin Sino-Microelectronics (JSMC)
ТипIGBT Trench FS з діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В)
Струм Ic (25 °C)100 А
Струм Ic (100 °C)50 А
Vce(sat)1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C)
Vge(th)4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd437 Вт (Tc = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)75 А
Напруга насичення Vce(sat)1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Розсіювана потужність Pd484 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
Вбудований діодтак (co-pack)
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.