Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST13NM60N ( STF13NM60N , 13NM60N ) оригінал, TO220F
91,65 ₴
17 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
17 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
ST13NM60N (STF13NM60N) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics на 600 В в ізольованому корпусі TO220F, оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | N-канальний MOSFET, MDmesh II |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0) |
| Струм Id | 11 А (TC = 25 °C); 6,93 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0,28 Ом тип., 0,36 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 В мін., 3 В тип., 4 В макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Напруга Vgs | ±25 В (абсолютний максимум) |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл (VDD = 480 В, ID = 11 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 790 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 44 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Ізоляція Viso | 2500 В RMS |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
ST13NM60N (також STF13NM60N, 13NM60N) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics за технологією MDmesh II у корпусі TO-220FP (TO220F). Стан – оригінал. Напруга стік-витік Vds – 600 В при VGS = 0. Струм стоку Id – 11 А при TC = 25 °C (обмежено максимальною температурою переходу) і 6,93 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,28 Ом типово і 0,36 Ом максимально при VGS = 10 В, ID = 5,5 А. Заряд затвора Qg – 27 нКл при VDD = 480 В, ID = 11 А, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 790 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 44 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Корпус ізольований: 2500 В RMS від виводів до радіатора (t = 1 с, TC = 25 °C).
При підборі заміни зберігайте канал N і корпус TO-220FP, а напругу, струм і Rds(on) беріть не гіршими. У документі виробника цей тип також наведено в інших корпусах (STP13NM60N, STI13NM60N, STU13NM60N, STW13NM60N), але корпус має збігатися з вашою платою.
Де застосовують
- Імпульсні перетворювачі та ключові схеми
Чим замінити ST13NM60N?
Підійде N-канальний транзистор у корпусі TO-220FP з Vds не нижче 600 В і Rds(on) не гіршим за 0,36 Ом при VGS = 10 В. За документом виробника, цей тип є також у корпусах STP13NM60N, STI13NM60N, STU13NM60N, STW13NM60N, але корпус має підходити до вашої плати.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чому в характеристиках 11 А, а при 100 °C менше?
11 А – струм стоку при TC = 25 °C, обмежений максимальною температурою переходу. При TC = 100 °C струм становить 6,93 А.
Чи ізольований корпус від радіатора?
Так, корпус TO-220FP ізольований: 2500 В RMS від усіх виводів до радіатора (t = 1 с, TC = 25 °C).
Документація виробника: STB13NM60N, STF13NM60N, STI13NM60N, STP13NM60N, STU13NM60N, STW13NM60N; Doc ID 15420 Rev 5.
Параметри наведено за datasheet виробника STMicroelectronics, Doc ID 15420 Rev 5, листопад 2012.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема L6599D оригінал, so-16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | високовольтний резонансний контролер, керування напівмостом зі змінною частотою та 50 % заповненням |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Робоча частота (макс.) | 500 кГц |
| Напруга живлення Vcc (робоча) | 8,85–16 В (після увімкнення) |
| Поріг увімкнення Vcc(ON) | 10,7 В (Vcc зростає; 10–11,4) |
| Поріг вимкнення Vcc(OFF) | 8,15 В (Vcc спадає; 7,45–8,85) |
| Струм старту | 250 мкА (до увімкнення, макс.) |
| Мертвий час | 0,3 мкс (між HVG і LVG; 0,2–0,4) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | SO-16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SSC2S110 ( 2S110-маркування) , so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | SO-8 |
| Маркування | 2S110 |
| Макс. напруга живлення Vcc | 32 В |
| Макс. напруга на виводі ST | 600 В |
| Робоча температура | –20…+115 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга початку роботи Vcc(ON) | 15,3 В |
| Напруга зупинки Vcc(OFF) | 8,1 В |
| Частота генерації fOSC(AVE) | 67 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 74 % |
| Поріг OVP по Vcc | 29 В |
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.