Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор RJP63K2 оригінал демонтаж б/в, TO220F
188,00 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор RJP63K2 у корпусі TO-220F для високошвидкісного силового перемикання. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas Electronics |
| Тип | IGBT-транзистор (n-канал) |
| Напруга Vces | 630 В (Ta 25 °C) |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±30 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.4 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Напруга відсічки затвора Vge(off) | 2.5–5 В (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А) |
| Час спаду tf | 200 нс (Ic 35 А, Vge 15 В, Rg 5 Ом, Rl 8,5 Ом, Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pc | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 5 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
RJP63K2 – n-канальний IGBT-транзистор Renesas Electronics для високошвидкісного силового перемикання, виконаний за технологією Trench gate на тонкій пластині, серія G6H-II. Напруга колектор-емітер Vces – 630 В (Ta 25 °C), напруга затвор-емітер Vges – ±30 В. Струм колектора Ic – 35 А (Ta 25 °C), імпульсний – 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %). Напруга насичення Vce(sat) типово 1.9 В, максимум 2.4 В (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C). Заряд затвора Qg типово 20 нКл (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А), час спаду tf – 200 нс. Розсіювана потужність – 25 Вт (Tc 25 °C), тепловий опір перехід-корпус – 5 °C/Вт, Tj до 150 °C. У даташиті корпус позначено TO-220FL, виводи: 1 – затвор, 2 – колектор, 3 – емітер.
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Для заміни дивіться на Vces не нижче 630 В, Ic не менше 35 А при 25 °C, Vce(sat) близьке до 1.9 В, той самий корпус і розпіновку. Про вбудований діод документ нічого не говорить, тому наявність діода порівнюйте окремо. Запоріжжя, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Високошвидкісне силове перемикання (High Speed Power Switching)
Чим замінити RJP63K2?
Підбирайте IGBT з Vces не нижче 630 В, Ic не менше 35 А при 25 °C, близьким Vce(sat) і тим самим корпусом та розпіновкою. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Як перевірити IGBT RJP63K2?
Тестером перевірте відсутність пробою між виводами колектор-емітер і затвор-емітер, а потім перевірте відкриття ключа напругою на затворі в схемі з обмеженим струмом.
Який порядок виводів?
За даташитом: 1 – затвор, 2 – колектор, 3 – емітер.
Документація виробника: RJP63K2DPP-M0 (Renesas Electronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор MXP6008CT оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | MaxPower |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 109 А (обмеження корпусу 80 А) |
| Імпульсний струм стоку | 436 А (VG=10 В) |
| Опір Rds(on) (тип. / макс.) | 6,3 / 8 мОм (VGS=10 В, ID=24 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 50 нКл (VDD=30 В, VGS=10 В, ID=38 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3395 пФ |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.