Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор RJP63K2 , D2PAK
37,13 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор RJP63K2 у корпусі D2PAK для високошвидкісного силового перемикання. Нова деталь.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas Electronics |
| Тип | IGBT-транзистор (n-канал) |
| Напруга Vces | 630 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А (PW не більше 10 мкс, шпаруватість не більше 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.4 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Напруга відсікання затвора Vge(off) | 2.5–5 В (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл тип. (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А) |
| Час спаду tf | 200 нс тип. (Ic 35 А, Rl 8,5 Ом, Vge 15 В, Rg 5 Ом) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
RJP63K2 – n-канальний IGBT-транзистор Renesas Electronics у корпусі D2PAK для високошвидкісного силового перемикання. Напруга колектор-емітер Vces – 630 В (Ta 25 °C), струм колектора Ic – 35 А (Ta 25 °C), імпульсний струм – 200 А (PW не більше 10 мкс, шпаруватість не більше 1 %). Напруга насичення Vce(sat) типово 1.9 В, максимум 2.4 В (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C). Заряд затвора Qg типово 20 нКл (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А), час спаду tf типово 200 нс. Максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Параметри наведено за даташитом найближчої деталі RJP63K2DPP-M0 (Renesas Electronics): у ньому корпус TO-220FL, тому потужність розсіювання й тепловий опір для D2PAK тут не вказуємо.
Нова деталь, не демонтаж. Для заміни дивіться на Vces не нижче 630 В, Ic не менше 35 А при 25 °C, Vce(sat) близьке до 1.9 В, той самий корпус D2PAK і розпіновку. Про вбудований діод даташит нічого не говорить, тому наявність діода порівнюйте окремо. Запоріжжя, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Швидкісні силові ключі (High speed power switching)
Чим замінити RJP63K2?
Підбирайте IGBT з Vces не нижче 630 В, Ic не менше 35 А при 25 °C, близьким Vce(sat) і тим самим корпусом D2PAK. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Як перевірити IGBT RJP63K2?
Тестером перевірте відсутність пробою між виводами колектор-емітер і затвор-емітер, а потім перевірте відкриття ключа напругою на затворі в схемі з обмеженим струмом.
Чи збігаються параметри з корпусом D2PAK?
Цифри взято з даташиту RJP63K2DPP-M0, де корпус TO-220FL. Для D2PAK потужність розсіювання й тепловий опір не наводимо, звіряйте їх з документом на свою схему.
Найближчий datasheet: RJP63K2DPP-M0 (Renesas Electronics).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор IRG7S313U , D2PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | від 330 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Струм Ic | 40 А (Tc 25 °C, Vge 15 В); 20 А (Tc 100 °C, Vge 15 В) |
| Піковий струм Irp | 160 А (Tc 25 °C, імпульс) |
| Vce(on) | 1.35 В тип. (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 2.2–4.7 В (Vce = Vge, Ic 1.0 мА) |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл тип. (Vce 240 В, Ic 12 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 880 пФ (Vce 30 В) |
| Потужність Pd | 78 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура Tj | 150 °C макс. |
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор RJP30H2A , D2PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT без зворотного діода |
| Напруга Vces | 360 В |
| Струм колектора Ic | 35 А при Ta 25 °C |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 250 А (PW до 10 мкс, шпаруватість до 1 %) |
| Vce(sat) | 1.4 В типово, 1.9 В макс. при Ic 35 А, Vge 15 В, Tj 25 °C |
| Vge(off) | 2.5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл при Vge 15 В, Vce 150 В, Ic 35 А |
| Вхідна ємність Cies | 1200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 180 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
Транзистор SVF7N60F оригінал (заміна для FQPF7N60C , FDPF7N60NZ , HM7N60F , SSS7N60A , FQF7N60C ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (TC 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 7,0 А |
| Струм Id (100 °C) | 4,0 А |
| Rds(on) | 0,96 Ом типово (Vgs 10 В, Id 3,5 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Pd | 45 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 770 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 240 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення діода trr | 360 нс (Tj 175 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 750 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.