Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
IGBT-транзистор RJP30H1 , D-PAK
65,80 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RJP30H1 – IGBT-транзистор Renesas Electronics для швидкісних силових ключів, корпус D-PAK. Нова деталь.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 360 В (Tc = 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 30 А (Tc = 25 °C) |
| Піковий струм колектора | 200 А (PW не більше 10 мкс, шпаруватість не більше 1 %, Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,5 В (typ, макс. 2 В; IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Напруга відсікання Vge(off) | 2,5–5 В (VCE = 10 В, IC = 1 мА) |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 23 нКл (typ; VGE = 15 В, VCE = 150 В, IC = 30 А) |
| Потужність Pc | 40 Вт (Tc = 25 °C) |
| Час спаду tf | 150 нс (typ) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Renesas Electronics |
RJP30H1 – IGBT-транзистор Renesas Electronics (n-канал) у корпусі D-PAK (TO-252) для швидкісних силових ключів. Напруга колектор-емітер Vces 360 В (Tc = 25 °C). Струм колектора Ic 30 А при Tc = 25 °C, піковий струм 200 А (PW не більше 10 мкс, шпаруватість не більше 1 %, Tc = 25 °C). Напруга насичення Vce(sat) типово 1,5 В (макс. 2 В; IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C). Заряд затвора Qg типово 23 нКл (VGE = 15 В, VCE = 150 В, IC = 30 А). Потужність розсіювання Pc 40 Вт при Tc = 25 °C, температура переходу до 150 °C. Параметри взято з документа Renesas, позначеного Preliminary.
Нова деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic, Vce(sat), заряд затвора Qg і корпус D-PAK. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Швидкісні силові ключі (High speed power switching)
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Який корпус у RJP30H1?
D-PAK (TO-252).
Чим замінити RJP30H1?
Підбирайте n-канальний IGBT у корпусі D-PAK з Vces не нижче 360 В і не гіршим Ic та Vce(sat). Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Яка напруга на затворі допустима?
Напруга затвор-емітер Vges ±30 В.
Документація виробника: RJP30H1 (Renesas Electronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.