Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор RJP30E4 , D2PAK
127,84 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
2 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RJP30E4 – IGBT-транзистор у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу. За найближчим схожим даташитом RJP30E3DPK-M0: 360 В, швидке перемикання.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 360 В |
| Напруга насичення Vce(sat), тип. | 1,6 В |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | D2PAK |
RJP30E4 – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) у корпусі D2PAK, який паяють на поверхню плати. Точного даташиту на RJP30E4 не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі RJP30E3DPK-M0 (Renesas): напруга колектор–емітер Vces 360 В, затвор–емітер ±30 В, напруга відсічки Vge(off) від 2,5 до 5 В. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,6 В, не більше 2,1 В (IC = 40 А, VGE = 15 В). Вхідна ємність Cies 1700 пФ, заряд затвора Qg 52 нКл, час спаду tf 0,15 мкс, температура переходу до +150 °C. Вбудованого діода за документом немає. Документ описує деталь у корпусі TO-3PSG, тому струм колектора і потужність з нього не наводимо.
За даташитом RJP30E3DPK-M0 такі IGBT ставлять у швидкодіючі силові ключі. Заміну підбирайте за корпусом D2PAK і розпіновкою, з напругою колектор–емітер не нижче 360 В; струм звіряйте з документацією на ваш пристрій. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- швидкодіючі силові ключі
Чим замінити RJP30E4?
Підбирайте IGBT у тому самому корпусі D2PAK з такою самою розпіновкою і напругою колектор–емітер не нижче 360 В. Струм звіряйте з документацією на ваш пристрій. Параметри RJP30E4 наведено за даташитом RJP30E3DPK-M0, тому перед заміною звірте їх.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Виміряйте опір між виводами: затвор має бути ізольований від колектора й емітера. Якщо є коротке замикання між будь-якими виводами, транзистор несправний. Повну перевірку роблять у схемі під навантаженням.
Звідки параметри RJP30E4?
Точного даташиту на RJP30E4 не знайшли. Параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі – RJP30E3DPK-M0 (Renesas) у корпусі TO-3PSG. Струм і потужність там для іншого корпусу, тому їх не наводимо. Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: RJP30E3DPK-M0 (Renesas).
Точного даташиту на RJP30E4 не знайдено. Найближчий схожий даташит – RJP30E3DPK-M0 (Renesas), корпус TO-3PSG. Струм, потужність і тепловий опір залежать від корпусу, тому їх не наведено.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.