Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор IRG7S313U , D2PAK
74,73 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
2 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор IRG7S313U (PDP trench IGBT) у корпусі D2PAK, Vces від 330 В. Призначений для плазмових панелей, схем Sustain та Energy Recovery.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | від 330 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Струм Ic | 40 А (Tc 25 °C, Vge 15 В); 20 А (Tc 100 °C, Vge 15 В) |
| Піковий струм Irp | 160 А (Tc 25 °C, імпульс) |
| Vce(on) | 1.35 В тип. (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 2.2–4.7 В (Vce = Vge, Ic 1.0 мА) |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл тип. (Vce 240 В, Ic 12 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 880 пФ (Vce 30 В) |
| Потужність Pd | 78 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура Tj | 150 °C макс. |
| Корпус | D2PAK |
IRG7S313U – IGBT-транзистор (PDP trench IGBT) Infineon (International Rectifier), n-канал, корпус D2PAK. Напруга колектор–емітер Vces – від 330 В при Vge 0 В, Ic 250 мкА. Струм колектора Ic – 40 А при Tc 25 °C, Vge 15 В і 20 А при Tc 100 °C, Vge 15 В. Повторюваний піковий струм Irp – 160 А при Tc 25 °C (імпульс). Напруга насичення Vce(on) типово 1.35 В при Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg типово 33 нКл при Vce 240 В, Ic 12 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 880 пФ (Vce 30 В). Потужність розсіювання Pd – 78 Вт при Tc 25 °C.
Прямі заміни за даними виробника: IRG7S313UTRLPBF. Підбираючи заміну, порівнюйте з datasheet Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(on), заряд затвора Qg та корпус D2PAK. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Плазмові панелі (PDP)
- Схеми Sustain та Energy Recovery
Чим замінити IRG7S313U?
За даними виробника, пряма заміна – IRG7S313UTRLPBF. Для інших варіантів порівнюйте з datasheet корпус D2PAK, Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(on) і заряд затвора Qg.
Для чого використовують IRG7S313U?
Це IGBT для плазмових панелей (PDP): схеми Sustain та Energy Recovery.
Який максимальний струм IRG7S313U?
Ic – 40 А при Tc 25 °C, Vge 15 В і 20 А при Tc 100 °C, Vge 15 В. Повторюваний піковий струм Irp – 160 А при Tc 25 °C в імпульсі.
Який у IRG7S313U заряд затвора?
Qg типово 33 нКл при Vce 240 В, Ic 12 А, Vge 15 В. Це важливо для вибору драйвера затвора.
Документація виробника: IRG7S313U (International Rectifier).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор SVF7N60F оригінал (заміна для FQPF7N60C , FDPF7N60NZ , HM7N60F , SSS7N60A , FQF7N60C ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (TC 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 7,0 А |
| Струм Id (100 °C) | 4,0 А |
| Rds(on) | 0,96 Ом типово (Vgs 10 В, Id 3,5 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Pd | 45 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 770 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.