Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GT30F133 ( 30F133 ) оригінал (Заміна для IRG7R313U ) , DPAK
216,20 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор GT30F133 (Toshiba, корпус DPAK) для силових ключів у побутовій та промисловій електроніці. Товар оригінал, перевірений перед відправкою.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Номер деталі | GT30F133 (30F133) |
| Стан | Оригінал |
GT30F133 (інша назва 30F133) – IGBT-транзистор виробництва Toshiba в корпусі DPAK (TO-252). Офіційний даташит виробника нам знайти не вдалося, тож точні електричні параметри (напруга Vces, струм Ic, напруга насичення Vce(sat)) у картці не наводимо – щоб не давати цифри, які не підтверджені.
Товар – оригінал, перевірений перед відправкою. Перед встановленням прозвоніть мультиметром перехід колектор-емітер і переконайтеся, що затвор ізольований від інших виводів, а маркування на корпусі збігається з номером GT30F133. У назві товару вказано як заміна для IRG7R313U, але це позначення продавця, не підтверджене виробником чи дистриб'ютором, – перш ніж купувати як заміну, звіряйте цоколівку та реальну схему з вашим пристроєм. У нас в наявності є подібний за написанням номер IRG7S313U у корпусі D2PAK – це інша позиція каталогу, а не підтверджений аналог, і плутати їх не варто.
Де застосовують
- Силові ключі загального призначення (за категорією IGBT-транзистори)
Чим замінити GT30F133?
У власній базі підтверджених аналогів з даташитом немає. У назві товару зазначено «заміна для IRG7R313U» – це заява продавця, не підтверджена виробником, тому перевірте цоколівку та параметри вашої схеми самостійно.
Чи є даташит на GT30F133?
Офіційний даташит Toshiba на цей номер ми не знайшли, тому електричні параметри в картці не вказуємо.
Як перевірити IGBT-транзистор перед встановленням?
Мультиметром у режимі діода прозвоніть перехід колектор-емітер і переконайтеся, що затвор ізольований від інших виводів; звірте маркування на корпусі з номером GT30F133.
У якому корпусі випускається GT30F133?
У корпусі DPAK (він же TO-252) – саме такий вказаний у назві товару.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор MXP6008CT оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | MaxPower |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 109 А (обмеження корпусу 80 А) |
| Імпульсний струм стоку | 436 А (VG=10 В) |
| Опір Rds(on) (тип. / макс.) | 6,3 / 8 мОм (VGS=10 В, ID=24 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 50 нКл (VDD=30 В, VGS=10 В, ID=38 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3395 пФ |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.