Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGF20N65T2 оригінал , TO220F

122,67 ₴

67 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

67 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

YGF20N65T2 – IGBT-транзистор Luxin Semi 650 В, 20 А з вбудованим діодом у корпусі TO-220F. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tj 25 °C)
Номінальний струм Ic20 А
Vce(sat)1.65 В тип., 2.05 В макс. (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Vge(th)4.4–6.4 В (Ic 250 мкА)
Заряд затвора Qg45 нКл тип.
Вхідна ємність Cies1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (TO-220F)30.6 Вт (Tj 25 °C)
Макс. температура переходу175 °C
Діодє, Vf 1.9 В тип. (If 20 А, Tj 25 °C)
КорпусTO-220F
СтанОригінал
Опис

YGF20N65T2 – IGBT-транзистор Luxin Semi (LU SEMI) у корпусі TO-220F. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В при Tj 25 °C. Номінальний струм колектора – 20 А (за заголовком даташиту). Напруга насичення Vce(sat) – 1.65 В (тип.), 2.05 В (макс.) при Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C. Порогова напруга затвора Vge(th) – 4.4–6.4 В (тип. 5.4) при Vge = Vce, Ic 250 мкА. Заряд затвора Qg – 45 нКл (тип.) при Vcc 520 В, Ic 20 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 75 нс, енергія вимкнення Eoff – 0.10 мДж (тип.) при Tj 25 °C, Vcc 400 В, Ic 20 А, Vge 0/15 В, Rg 20 Ом. Усередині є діод: Vf 1.9 В (тип.) при If 20 А, Tj 25 °C. Потужність розсіювання для TO-220F – 30.6 Вт при Tj 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C, стійкість до короткого замикання – 5 мкс при Vge 15 В, Vcc 400 В.

Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces не нижче 650 В, струм, напругу насичення, швидкість перемикання і корпус. Перевірте, що розпіновка збігається з вашою платою. Варіанти цієї серії за даними виробника – YGP20N65T2, YGK20N65T2, YGW20N65T2.

Де застосовують

  • М'яке перемикання (soft switching)
  • Кондиціонери
  • Інвертори приводу двигунів
Часто питають
Чим замінити YGF20N65T2?

У нашому каталозі зараз немає перевірених аналогів. За даними виробника, ця серія є також у варіантах YGP20N65T2, YGK20N65T2 і YGW20N65T2, але корпус має збігатися з вашою платою.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи є в YGF20N65T2 вбудований діод?

Так. Пряма напруга діода Vf 1.9 В (тип.) при If 20 А, Tj 25 °C, trr 50 нс (тип.) при If 15 А, Vr 300 В, di/dt 200 А/мкс.

Для чого застосовують YGF20N65T2?

Для м'якого перемикання (soft switching), у кондиціонерах та інверторах приводу двигунів.

Datasheet

Документація виробника: YGF20N65T2 (luxin-semi).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

YGF20N65T2 (luxin-semi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникJilin Sino-Microelectronics (JSMC)
ТипIGBT Trench FS з діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В)
Струм Ic (25 °C)100 А
Струм Ic (100 °C)50 А
Vce(sat)1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C)
Vge(th)4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd437 Вт (Tc = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)75 А
Напруга насичення Vce(sat)1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Розсіювана потужність Pd484 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
Вбудований діодтак (co-pack)
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220

В наявності

122,67 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT Trench Field Stop з діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА)
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)20 А
Vce(sat)1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C)
Vge(th)4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd125 Вт (Tj = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tvj ≥25 °C)
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)275 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C)
КорпусTO-247
Вбудований діодVrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс
Максимальна температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.