Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H20R1203 ( IHW20N120R3 ) оригінал, TO-247
206,80 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор H20R1203 (IHW20N120R3) Infineon зі зворотною провідністю для індукційних плит і резонансних перетворювачів. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT зі зворотною провідністю (Reverse Conducting), серія Resonant Switching |
| Напруга V(BR)CES | 1200 В (VGE = 0 В, IC = 0,50 мА) |
| Струм IC | 40 А (TC = 25 °C); 20 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм ICpuls | 60 А |
| Напруга насичення VCEsat | 1,48 В тип., 1,70 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| Пряма напруга діода VF | 1,55 В тип., 1,75 В макс. (IF = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| Порогова напруга VGE(th) | 5,8 В тип. (IC = 0,50 мА, VCE = VGE) |
| Заряд затвора QG | 211 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1503 пФ |
| Розсіювана потужність Ptot | 310 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,48 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
H20R1203 (IHW20N120R3) – IGBT-транзистор Infineon зі зворотною провідністю (Reverse Conducting), серія Resonant Switching. Напруга колектор–емітер V(BR)CES – 1200 В (VGE = 0 В, IC = 0,50 мА). Струм колектора IC – 40 А при TC = 25 °C і 20 А при TC = 100 °C, імпульсний ICpuls – 60 А. Напруга насичення VCEsat – 1,48 В (тип.), 1,70 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 20 А, Tvj = 25 °C. Пряма напруга діода VF – 1,55 В (тип.), 1,75 В (макс.) при IF = 20 А. Розсіювана потужність – 310 Вт при TC = 25 °C (155 Вт при TC = 100 °C). Заряд затвора QG – 211 нКл, час спаду tf – 25 нс. Вхідна ємність Cies типово 1503 пФ. Корпус PG-TO247-3, маркування H20R1203.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте тип (IGBT зі зворотною провідністю), корпус TO-247, напругу 1200 В і струм при 100 °C з datasheet. Вбудований діод монолітний (body diode), розрахований на м'яку комутацію.
Де застосовують
- Індукційне нагрівання (індукційні плити)
- Інверторні мікрохвильові печі
- Резонансні перетворювачі
- Схеми з м'якою комутацією
Чим замінити H20R1203 (IHW20N120R3)?
Шукайте IGBT зі зворотною провідністю в корпусі TO-247 з напругою 1200 В і струмом не нижче 20 А при TC = 100 °C. Остаточно звіряйте параметри з datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить для індукційної плити?
Так, індукційне нагрівання – одне із застосувань цієї серії за datasheet. Перед встановленням звірте режим роботи вашої схеми з datasheet.
Який заряд затвора та час спаду?
Заряд затвора QG – 211 нКл (VCC = 960 В, IC = 20 А, VGE = 15 В), час спаду tf – 25 нс (Tvj = 25 °C, VCC = 600 В, IC = 20 А, RG = 15 Ом).
Документація виробника: IHW20N120R3 Datasheet, Rev. 2.6.
Параметри наведено за datasheet виробника Infineon.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Діодний міст D25XB80 (Заміна для TS25P06G )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shindengen Electric Manufacturing |
| Повторювана напруга Vrrm | 800 В |
| Струм If(av) з радіатором | 25 А |
| Струм If(av) на платі | 3,5 А (Ta 25 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 350 А (1 цикл, Tj 25 °C) |
| Пряме падіння напруги Vf | 1,05 В (If 12,5 А) |
| Ізоляційна напруга Vdis | 2,5 кВ AC (1 хв) |
| Корпус | SIP (House Name: 5S), однорядне розташування виводів |
| Робоча температура | -40…+150 °C |
Схожі товари
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.