Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

IGBT-транзистор GP07N120 ( SGP07N120 ) (1200V,16.5A,125W) , TO220

108,10 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

SGP07N120 (GP07N120) – швидкий IGBT на 1200 В і 16.5 А у корпусі TO-220 для керування двигунами та інверторів. Нова деталь.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
КорпусTO-220
Напруга Vce1200 В (VGE = 0 V, IC = 500 µA)
Струм колектора Ic (25 °C)16.5 А (TC = 25 °C)
Струм колектора Ic (100 °C)7.9 А (TC = 100 °C)
Напруга насичення Vce(sat)3.1 В (типово, IC = 8 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C)
Порогова напруга Vge(th)3–5 В (IC = 350 µA, VCE = VGE)
Заряд затвора Qg70 нКл (типово, VCC = 960 V, IC = 8 A, VGE = 15 V)
Потужність Ptot125 Вт (TC = 25 °C)
Стійкість до КЗ10 мкс (VGE = 15 V, 100 V ≤ VCC ≤ 1200 V, Tj ≤ 150 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Опис

SGP07N120 (маркування GP07N120) – IGBT Infineon на технології NPT у корпусі TO-220. Напруга колектор–емітер Vce 1200 В (VGE = 0 V, IC = 500 µA). Струм колектора Ic 16.5 А при TC = 25 °C і 7.9 А при TC = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 3.1 В (IC = 8 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C). Заряд затвора Qg типово 70 нКл (VCC = 960 V, IC = 8 A, VGE = 15 V). Потужність розсіювання Ptot 125 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Стійкість до короткого замикання 10 мкс (VGE = 15 V, 100 V ≤ VCC ≤ 1200 V, Tj ≤ 150 °C).

Нова деталь. Підбираючи заміну, порівнюйте Vce, струм колектора при TC = 100 °C, напругу насичення при тому самому струмі та корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Швидкий IGBT 1200 В на технології NPT для керування двигунами, інверторів та імпульсних джерел живлення.
  • Стійкий до короткого замикання 10 мкс, добре працює в паралелі.
Часто питають
Чим замінити SGP07N120?

Порівнюйте Vce, струм колектора при TC = 100 °C, напругу насичення при тому самому струмі, стійкість до короткого замикання та корпус TO-220.

Чи те саме GP07N120 і SGP07N120?

GP07N120 – це маркування на корпусі деталі SGP07N120 за документом виробника.

Яку стійкість до короткого замикання має цей IGBT?

10 мкс (VGE = 15 V, 100 V ≤ VCC ≤ 1200 V, Tj ≤ 150 °C).

Це нова деталь чи демонтаж?

Нова деталь, не демонтаж.

Datasheet

Документація виробника: SGP07N120 (Infineon).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

SGP07N120 (Infineon) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Потужність Pd (25 °C)286 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg176 нКл
Вхідна ємність Cies4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 40 А, 25 °C)1.65 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Потужність Pd (25 °C)316 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg262 нКл
Вхідна ємність Cies7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 60 А, 25 °C)1.7 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220

В наявності

122,67 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT Trench Field Stop з діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА)
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)20 А
Vce(sat)1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C)
Vge(th)4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd125 Вт (Tj = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )

В наявності

249,10 ₴
ПараметрЗначення
НомерYGW75N65HP
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)150 А
Струм Ic (100 °C)75 А
Vce(sat)1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)375 Вт
Вхідна ємність Cies4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.