Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3878 ( K3878 ) оригінал, TO-3P
179,54 ₴
22 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
22 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
2SK3878 (K3878) – N-канальний польовий транзистор у корпусі TO-3P на 900 В для імпульсних блоків живлення. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга стік–витік BVdss | 900 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В, Tj 25 °C) |
| Струм стоку ID | 9 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) типовий | 1,20 Ом (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Rds(on) максимум | 1,38 Ом (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 9 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга затвор–витік VGS | ±30 В |
| Стан | Оригінал |
2SK3878 (K3878) – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-3P. За даташитом 2SK3878 (OSEN) напруга стік–витік BVdss становить 900 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В, Tj 25 °C), струм стоку ID – 9 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on): типово 1,20 Ом, максимум 1,38 Ом при VGS = 10 В, ID = 1 А. Заряд затвора Qg – 65 нКл (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 9 А), порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 150 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C, напруга затвор–витік VGS – ±30 В.
Товар оригінальний, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу стік–витік, струм стоку, Rds(on) при VGS = 10 В, заряд затвора Qg і корпус. Якщо Qg у заміни більший, перевірте, чи впорається драйвер затвора. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення з високим ККД
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
- Електронні баласти для ламп
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити 2SK3878?
Підходить транзистор з тим самим N-каналом і корпусом TO-3P, з напругою стік–витік не нижче 900 В і струмом стоку, близьким до 9 А. Порівнюйте Rds(on) при VGS = 10 В і заряд затвора Qg. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.
На яку напругу розрахований 2SK3878?
Напруга стік–витік BVdss – 900 В при ID = 250 мкА, VGS = 0 В, Tj 25 °C.
Яка напруга керування затвором допустима?
Напруга затвор–витік VGS – ±30 В, порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Опір каналу наведено при VGS = 10 В.
Документація виробника: 2SK3878 (OSEN).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема UC3843B оригінал, DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP8 |
| Опорна напруга Vref (тип) | 5,0 В при IO = 1,0 мА, TJ = 25 °C, VCC = 15 В |
| Частота генератора fOSC (тип) | 52 кГц при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ, VCC = 15 В |
| Поріг увімкнення UVLO (тип) | 8,4 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 96 % (тип) при VCC = 15 В |
| Вихідний струм (макс.) | 1,0 А |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 30 В |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.