Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор STW20NM60 ( W20NM60 , STW20NM60FD , W20NM60FD ) оригінал демонтаж, TO247
117,50 ₴
11 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
11 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STW20NM60 – N-канальний MOSFET STMicroelectronics (MDmesh) у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12,6 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=10 А) | 250 мОм (тип.), 290 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 3–5 В |
| Qg | 39 нКл (тип.), 54 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (TC 25 °C) | 192 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
STW20NM60 (також W20NM60) – потужний N-канальний MOSFET STMicroelectronics за технологією MDmesh, корпус TO-247. Напруга Vds – 600 В, струм стоку Id – 20 А при TC 25 °C і 12,6 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 250 мОм (тип.), 290 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=10 А. Порогова напруга Vgs(th) – 3–5 В при VDS=VGS, ID=250 мкА. Заряд затвора Qg – 39 нКл (тип.), 54 нКл (макс.) при VDD=400 В, ID=20 А. Вхідна ємність Ciss типово 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 192 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Вбудований діод є, Vsd до 1,5 В при ISD=20 А.
Оригінал, демонтаж: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, звіряйте канал (N), напругу Vds, струм Id, Rds(on) і корпус TO-247, а також заряд затвора, від якого залежить навантаження на драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Потужні ключові N-канальні MOSFET (технологія MDmesh)
- Високий dv/dt та стійкість до лавинного пробою
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| 60R060P7 | канал N = N, Vds 600 ≥ 600, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×20=16, Rds(on) Vgs 10 В max 60 ≤ 1.3×290=377 мОм, корпус TO-247 = TO-247 | Перевірте заряд затвора за datasheet і можливості драйвера | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити STW20NM60?
Підходить N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з Vds не нижче 600 В, струмом Id порівнянним із 20 А при TC 25 °C і Rds(on) не гіршим за 290 мОм при VGS=10 В. У нашому каталозі є 60R060P7 (IPW60R060P7). Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж: знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Як перевірити транзистор після монтажу?
Перед пайкою прозвоніть тестером переходи затвор–витік, затвор–стік і діод витік–стік: пробою та обриву бути не повинно. Номер на корпусі порівняйте з STW20NM60.
Який заряд затвора і чи потрібен потужний драйвер?
Qg – 39 нКл (тип.), 54 нКл (макс.) при VDD=400 В, ID=20 А, VGS=0–10 В. Драйвер має давати достатній струм заряду затвора при VGS 10 В.
Документація виробника: DS2343 Rev 13.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.