Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247

235,00 ₴

6 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

6 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IRGP20B60PD (GP20B60PD) – IGBT-транзистор Infineon з діодом HEXFRED у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
НомерIRGP20B60PD
МаркуванняGP20B60PD
ВиробникInfineon (International Rectifier)
ТипIGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)22 А
Vce(on)2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)220 Вт
Вхідна ємність Cies1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

IRGP20B60PD (маркування GP20B60PD) – n-канальний IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED у корпусі TO-247, виробник Infineon (International Rectifier). Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (VGE = 0 В, IC = 500 мкА). Струм колектора Ic – 40 А при Tc = 25 °C і 22 А при Tc = 100 °C. Напруга насичення Vce(on) – 2,05 В типово, 2,35 В максимум (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C). Вхідна ємність Cies типово 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 220 Вт при Tc = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Діод: Vf 1,4 В типово при IF = 12 А, trr 42 нс (IF = 12 А, VR = 200 В, di/dt = 200 А/мкс). Цифри наведені за документом на варіант IRGP20B60PDPbF (без свинцю).

Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(on) за однакових умов, наявність діода й корпус TO-247. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні блоки живлення для телекому і серверів
  • Схеми PFC і ZVS
  • Джерела безперебійного живлення
  • Блоки живлення побутової електроніки
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
K20T60 (IKW20N60T) Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 20 ≥ 0.8×22 = 17.6, Vce(sat) 1.5 ≤ 1.3×2.50 при IC = 20 А, Tj = 25 °C, діод є в обох, корпус TO-247 Trench Field Stop проти NPT в оригіналу: перевірте драйвер затвора Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити IRGP20B60PD?

У каталозі є K20T60 (IKW20N60T) у корпусі TO-247: Vces 600 В, Ic при 100 °C 20 А, Vce(sat) 1.5 В при IC = 20 А. Це Trench Field Stop, тому перевірте драйвер затвора. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Це нова деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Що означає GP20B60PD у назві?

Це маркування на корпусі. Воно відповідає номеру IRGP20B60PD.

Як перевірити IGBT тестером?

Перевірте, що між затвором і іншими виводами немає зв'язку і що вбудований діод колектор–емітер проводить в одному напрямку. Розпіновку звіряйте з маркуванням і схемою пристрою.

Datasheet

Документація виробника: IRGP20B60PDPBF (Infineon).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IRGP20B60PDPBF (Infineon) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор 45N60S1 ( NGTB45N60S1WG )(Заміна для 45N60S2 , NGTB45N60S2WG ) демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
ТипTrench IGBT з діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)90 А
Струм Ic (100 °C)45 А
Потужність Pd (25 °C)300 Вт
Вхідна ємність Cies3115 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
Vce(sat) (45 А, 15 В, 25 °C, тип.)2.00 В
Tj max175 °C
КорпусTO-247
СтанДемонтаж б/в

IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Імпульсний струм колектора Icm150 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)235 Вт
Напруга насичення Vce(sat)2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C)
КорпусTO-3P
Вбудований діодVf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс
СтанОригінал

IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникJilin Sino-Microelectronics (JSMC)
ТипIGBT Trench FS з діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В)
Струм Ic (25 °C)100 А
Струм Ic (100 °C)50 А
Vce(sat)1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C)
Vge(th)4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd437 Вт (Tc = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)75 А
Напруга насичення Vce(sat)1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Розсіювана потужність Pd484 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
Вбудований діодтак (co-pack)
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.