Магазин

Показано 3481–3520 із 4000Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Транзистор 2SD2494

В наявності

136,77 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN Дарлінгтон
ВиробникSanken
Напруга Vcbo110 В
Напруга Vceo110 В (мін., Ic 30 мА)
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic6 А
Потужність Pc60 Вт (Tc 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE5000 (мін., Vce 4 В, Ic 5 А)
Напруга насичення Vce(sat)2,5 В (макс., Ic 5 А, Ib 5 мА)
Гранична частота fT60 МГц (тип.)
Макс. температура переходу Tj150 °C

Транзистор 2SD2390 + 2SB1560 ( D2390 + B1560 ) оригінали, TO-3P

В наявності

343,10 ₴
ПараметрЗначення
Типкомплементарна пара NPN Дарлінгтон (2SD2390) + PNP (2SB1560)
КорпусTO-3P
Vceo (2SD2390)150 В, Ta 25 °C
Vcbo (2SD2390)160 В, Ta 25 °C
Vebo (2SD2390)5 В, Ta 25 °C
Ic (2SD2390)10 А безперервний, Ta 25 °C
Pc (2SD2390)100 Вт, Tc 25 °C
Tj макс. (2SD2390)150 °C
hFE (2SD2390)5000 (мін.), Ic 7 А, Vce 4 В
Vce(sat) (2SD2390)2.5 В (макс.), Ic 7 А, Ib 7 мА
fT (2SD2390)55 МГц, Ie -2 А, Vce 12 В
СтанОригінал

Транзистор 2SD2375

В наявності

61,10 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникPanasonic
Vceo60 В (Ic 25 мА, Ib 0)
Vcbo80 В (Tc 25 °C)
Vebo6 В (Tc 25 °C)
Ic3 А (Tc 25 °C), піковий Icp 6 А
Pc25 Вт (Tc 25 °C)
hFE500–1500 (Vce 4 В, Ic 0,5 А)
Vce(sat)макс. 1 В (Ic 2 А, Ib 0,05 А)
fTтип. 50 МГц (Vce 12 В, Ic 0,2 А, f 10 МГц)
Tj max150 °C
КорпусTO-220D-A1 (full-pack)

Транзистор 2SD2153 , SOT-89 (25V,2A,0.5W)

В наявності

91,65 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Vceo25 В (Ta 25 °C)
Vcbo30 В (Ta 25 °C)
Vebo6 В (Ta 25 °C)
Ic2 А (Ta 25 °C), імпульсний Icp 3 А (10 мс)
Pc0,5 Вт (Ta 25 °C)
hFE560–2700 (Vce 6 В, Ic 500 мА)
Vce(sat)макс. 0,5 В (Ic 1 А, Ib 20 мА)
fT110 МГц (Vce 10 В, Ic 10 мА, f 100 МГц)
Cob22 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц)
Tj max150 °C
КорпусSOT-89

Транзистор 2SD209L ( D209L , 3DD209L ) оригінал, TO-3P

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Vceo400 В (Ic 10 мА, Ib 0; Tc 25 °C)
Vces700 В (Vbe 0; Tc 25 °C)
Vebo9 В
Ic12 А (Tc 25 °C), імпульсний Icp 24 А (5 мс)
Pc120 Вт (Tc 25 °C)
hFE8–40 (Vce 5 В, Ic 5 А)
Vce(sat)макс. 1,2 В (Ic 5 А, Ib 1 А)
fTмін. 4 МГц (Vce 10 В, Ic 0,5 А)
Tj max150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор 2SD2089

В наявності

115,15 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN з демпферним діодом
Напруга Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo600 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic3,5 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pc40 Вт (Tc 25 °C)
hFE9–18 (IC=0,5 А, VCE=5 В)
Vce(sat)1,0 В макс. (IC=2,2 А, IB=0,7 А)
VECF1,5 В макс. (IF=2,2 А)
tf0,5 мкс макс.
КорпусTO-3P(H)IS

Транзистор 2SD207 (3DD207) демонтаж , TO-3

В наявності

56,40 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo100 В (VCEO(SUS) мін., IC=10 мА, IB=0)
Напруга Vcbo100 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic10 А (постійний, Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icp20 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc150 Вт (Tc 25 °C)
hFE60–200 (IC=1 А, VCE=5 В)
Vce(sat)1,5 В макс. (IC=5 А, IB=0,5 А)
fT5,0 МГц мін. (IC=0,5 А, VCE=10 В, f=1 МГц)
КорпусTO-3
СтанДемонтаж б/в

Транзистор 2SD2061 , TO220F

В наявності

39,01 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo60 В (IC=1 мА, IB=0; Ta 25 °C)
Струм колектора Ic3 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pc2 Вт (Ta 25 °C)
hFE100–320 (VCE=5 В, IC=0,5 А)
Vce(sat)1 В макс. (IC=2 А, IB=0,2 А)
fT8 МГц (VCE=5 В, IC=0,5 А, f=5 МГц)
КорпусTO-220F

Транзистор 2SD2059 , TO220F оригінал

В наявності

63,92 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo100 В
Напруга Vcbo100 В
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic5 А при Ta 25 °C
Потужність Pc30 Вт при Tc 25 °C
hFE40–240 при IC=1 А, VCE=5 В
Vce(sat)2,0 В макс. при IC=4 А, IB=0,4 А
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор 2SD2012

В наявності

33,84 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo60 В
Напруга Vcbo60 В
Напруга Vebo7 В
Струм колектора Ic3 А
Потужність Pc2 Вт при Ta 25 °C
hFE100–320 при VCE=5 В, IC=0,5 А
Vce(sat)1 В макс. при IC=2 А, IB=0,2 А
КорпусTO-220F

Транзистор 2SD200(3DD200) демонтаж , TO-3

В наявності

37,60 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo600 В
Напруга Vcbo1500 В
Напруга Vebo6 В
Струм колектора Ic2,5 А
Потужність Pc10 Вт при Tc 90 °C
Температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-3
СтанДемонтаж б/в

Транзистор 2SD200(3DD200) , TO-3

В наявності

52,17 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
Напруга Vceo600 В (база відкрита)
Напруга Vcbo1500 В (емітер відкритий)
Напруга Vebo6 В (колектор відкритий)
Струм колектора Ic2,5 А
Потужність Pc10 Вт (Tc 90 °C)
Tj макс.150 °C
Vce(sat) макс.8,0 В (Ic 2 А, Ib 0,6 А)
hFE1 мін.8 (Ic 0,5 А, Vce 5 В)
КорпусTO-3

Транзистор 2SD1887 оригінал (Заміна 2SD1884 )

В наявності

65,80 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic10 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icp30 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc70 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
Vce(sat) макс.5,0 В (Ic 8 А, Ib 1,6 А)
hFE1 мін.8 (Ic 1 А, Vce 5 В)
КорпусTO-3PML
СтанОригінал

Транзистор 2SD1883 оригінал

В наявності

52,64 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSANYO
Напруга Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic4 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icp12 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc50 Вт (Ta 25 °C)
Tj макс.150 °C
Vce(sat) макс.5 В (Ic 2,5 А, Ib 0,8 А)
hFE1 мін.8 (Vce 5 В, Ic 0,5 А)
КорпусTO-3PML
СтанОригінал

Транзистор 2SD1876

В наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSANYO
КорпусTO-3PML
Напруга колектор–емітер Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic3 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icp12 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc50 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)5 В (Ic 2 А, Ib 0,6 А, Ta 25 °C)
Напруга насичення Vbe(sat)1,5 В (Ic 2 А, Ib 0,6 А, Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE18 (Vce 5 В, Ic 0,5 А, Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE23–6 (Vce 5 В, Ic 2 А, Ta 25 °C)
Пряма напруга демпферного діода Vf2,0 В (Iec 3 А, Ta 25 °C)
Час спаду tf0,1 мкс тип., 0,3 мкс макс. (Ic 3 А, Ib1 0,8 А, Ib2 –1,6 А)
Струм відсічки Ices1,0 мА (Vce 1500 В, Ta 25 °C)
Вбудований діодє

Транзистор 2SD1711

В наявності

62,98 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
КорпусTO-3PML
Напруга колектор–база Vcbo1500 В (емітер розімкнений)
Напруга колектор–емітер Vceo800 В (база розімкнена)
Напруга емітер–база Vebo5 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic5 А (постійний)
Потужність розсіювання Pc100 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)5.0 В макс. (Ic 4 А, Ib 0.8 А, Tj 25 °C)
Напруга насичення база–емітер Vbe(sat)1.5 В (Ic 4 А, Ib 0.8 А)
Коефіцієнт підсилення hFE10–40 (Ic 0.5 А, Vce 5 В)
Вбудований демпферний діодє

Транзистор 2SD1710 оригінал демонтаж

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSPTECH
Напруга колектор–база Vcbo1500 В
Напруга колектор–емітер Vceo800 В
Напруга емітер–база Vebo6 В
Струм колектора Ic5 А (постійний)
Імпульсний струм Icp16 А
Потужність розсіювання Pc50 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)5.0 В макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А, Tc 25 °C)
Напруга насичення база–емітер Vbe(sat)1.5 В макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А)
Коефіцієнт підсилення hFE8 мін. (Ic 0.5 А, Vce 5 В)
Час спаду tf0.5 мкс макс. (Ic 4 А, Ib1 0.8 А, Ib2 1.6 А)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SD1691L

В наявності

23,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникUTC (Unisonic Technologies)
Напруга колектор–емітер Vceo60 В
Напруга колектор–база Vcbo60 В
Напруга емітер–база Vebo7 В
Струм колектора Ic5 А
Імпульсний струм Icp (PW ≤10 мс, шпаруватість ≤50 %)8 А
Струм бази Ib1 А
Макс. температура переходу Tj150 °C
Vce(sat) макс. (Ic 2 А, Ib 0.2 А)0.3 В
hFE (Ic 2 А, Vce 1 В)160–400
hFE мін. (Ic 5 А, Vce 2 В)50

Транзистор 2SD1650

В наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
КорпусTO-3PML
ВиробникSavantIC
Напруга колектор–база Vcbo1500 В
Напруга колектор–емітер Vceo800 В
Напруга емітер–база Vebo6 В
Струм колектора Ic3.5 А
Потужність розсіювання Pc (Tc 25 °C)50 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
Vbe(sat) (Ic 2.5 А, Ib 0.8 А)1.5 В
hFE мін. (Ic 0.5 А, Vce 5 В)8
Гранична частота fT (Ic 0.5 А, Vce 10 В)3 МГц
Вбудований демпферний діодє
Vf діода (If 3.5 А)2.0 В

Транзистор 2SD1577

В наявності

98,23 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
КорпусTO-3PFa
ВиробникSavantIC
Напруга колектор–база Vcbo1500 В
Напруга колектор–емітер Vceo700 В
Напруга емітер–база Vebo6 В
Струм колектора Ic5 А
Імпульсний струм колектора Icm17 А
Струм бази Ib3.5 А
Потужність розсіювання Pc (Tc 25 °C)100 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
Vce(sat) макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А)2.0 В
hFE (Ic 2 А, Vce 10 В)4–15

Транзистор 2SD1557 ( D1557 , 3DD1557) оригінал демонтаж (заміна для 2SD2586 , 2SD2580 )

В наявності

103,40 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникJSMC
Напруга Vcbo1700 В
Напруга Vceo830 В
Напруга Vebo8 В
Струм колектора Ic10 А
Імпульсний струм Icp20 А
Потужність Pc50 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SD1555 оригінал демонтаж

В наявності

64,39 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
Напруга Vceo600 В
Напруга Vcbo1500 В
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic5 А
Потужність Pc50 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-3P(H)IS
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SD1554 оригінал

В наявності

48,41 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
Напруга Vceo600 В
Напруга Vcbo1500 В
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic3.5 А
Потужність Pc40 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-3P(H)IS
СтанОригінал

Транзистор 2SD1546

В наявності

94,94 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
КорпусTO-3P(H)IS
Напруга Vceo600 В (база розімкнена)
Напруга Vcbo1500 В (емітер розімкнений)
Напруга Vebo5 В (колектор розімкнений)
Струм Ic6 А (постійний, Ta 25 °C)
Струм бази Ib3 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc50 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
Vce(sat)5,0 В макс. (Ic 5 А, Ib 1 А, Tj 25 °C)
hFE8 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В)
fT3 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В)

Транзистор 2SD1545

В наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
КорпусTO-3P(H)IS
Напруга Vceo600 В (база розімкнена)
Напруга Vcbo1500 В (емітер розімкнений)
Напруга Vebo5 В (колектор розімкнений)
Струм Ic5 А (постійний, Ta 25 °C)
Струм бази Ib2,5 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc50 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
Vce(sat)5,0 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А, Tj 25 °C)
hFE8 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В)
fT3 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В)

Транзистор 2SD1541

В наявності

135,83 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSavantIC
КорпусTO-3PFa
Напруга Vcbo1500 В (емітер розімкнений, Ta 25 °C)
Напруга Vebo5 В (колектор розімкнений, Ta 25 °C)
Струм Ic3 А (Tc 25 °C)
Імпульсний струм Icm10 А
Потужність Pc50 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj130 °C
Vce(sat)5,0 В макс. (Ic 2 А, Ib 0,75 А, Tj 25 °C)
hFE4–12 (Ic 2 А, Vce 10 В)
Демпферний діодє, Vf 2,2 В (Ic −4 А)

Транзистор 2SD1427

В наявності

80,37 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Корпус2-16D1A (Toshiba)
Напруга колектор–база Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo600 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic5 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc80 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А)
Коефіцієнт підсилення hFE (мін.)8 (Vce 5 В, Ic 1,0 А)
Вбудований демпферний діодє
Пряма напруга демпферного діода Vf2,0 В макс. (If 5 А)

Транзистор 2SD1403

В наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга колектор–база Vcbo1500 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo7 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic6 А (безперервний, Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icm16 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc120 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга насичення Vce(sat)5,0 В макс. (Ic 5 А, Ib 1 А)
Коефіцієнт підсилення hFE (мін.)8 (Ic 1 А, Vce 5 В)

Транзистор 2SD1047+2SB817 ( D1047+B817 , KTD1047+KTB817 ) оригінали , TO-3P

В наявності

192,70 ₴
ПараметрЗначення
Типкомплементарна пара NPN (2SD1047) + PNP (2SB817)
КорпусTO-3P
Vceo140 В, Ta 25 °C; Ic 30 мА, Ib 0 (мін.)
Vcbo160 В, Ta 25 °C
Vebo6 В, Ta 25 °C
Ic12 А, Ta 25 °C
Ptot100 Вт, Ta 25 °C
Tj макс.150 °C
hFE160–200, Vce 5 В, Ic 1 А
Vce(sat)2.5 В (макс.), Ic 5 А, Ib 0.5 А
fT15 МГц (typ), Vce 5 В, Ic 1 А
СтанОригінал

Транзистор 2SC945 , to92

В наявності

3,29 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
КорпусTO-92
Напруга колектор–база Vcbo60 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo50 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo5,0 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic100 мА (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pd250 мВт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE290–600 (Vce 6,0 В, Ic 1,0 мА)
Гранична частота fT (тип.)250 МГц (Vce 6,0 В, Ie −10 мА)
Напруга насичення Vce(sat)0,3 В макс. (Ic 100 мА, Ib 10 мА)

Транзистор 2SC5966 оригінал демонтаж

В наявності

128,31 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vcbo1700 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic20 А, імпульсний Icp 40 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc100 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
hFEмін. 15 (Vce 5 В, Ic 1 А); 4–7 (Vce 5 В, Ic 15 А)
Vce(sat)3 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А)
Vbe(sat)1,5 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А)
КорпусTO-3PMLH
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SC5902

В наявності

85,07 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vcbo1700 В (емітер розімкнений, Tc 25 °C)
Напруга Vces1700 В (E-B закорочено, Tc 25 °C)
Напруга Vebo мін.7 В (IE 500 мА, IC 0)
Струм колектора Ic9 А, імпульсний Icp 14 А (Tc 25 °C)
Струм бази Ib3 А (Tc 25 °C)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
hFE5–10 (VCE 5 В, IC 4,5 А)
Vce(sat)3 В макс. (IC 4,5 А, IB 1,13 А)
Vbe(sat)1,5 В макс. (IC 4,5 А, IB 1,13 А)
Демпферний діодє
КорпусTOP-3E-A1 (SC-94)

Транзистор FDA69N25 ( 69N25 ) оригінал демонтаж(250V,69A) , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
Виробникonsemi
КорпусTO-3P
Напруга Vds250 В
Струм Id (25 °C)69 А
Струм Id (100 °C)44,2 А
Rds(on)0,034 Ом тип., макс. 0,041 Ом (VGS = 10 В, ID = 34,5 А)
Vgs(th)3,0–5,0 В
Заряд затвора Qg77 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss3570 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd480 Вт (TC = 25 °C)
Tj макс.150 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SC5858 оригінал демонтаж , TO264

В наявності

139,12 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vcbo1700 В (Tc 25 °C)
Напруга Vceo750 В (Tc 25 °C)
Напруга Vebo5 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic22 А постійний, імпульсний 44 А (Tc 25 °C)
Потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
hFE30–60 (VCE 5 В, IC 2 А)
Vce(sat)1,5 В макс. (IC 17 А, IB 4,25 А)
Гранична частота fT2 МГц тип. (VCE 10 В, IC 0,1 А)
КорпусTO-264
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SC5802D

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vcbo1500 В (емітер розімкнений)
Напруга Vceo800 В (база розімкнена)
Напруга Vebo6 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic10 А (імпульсний Icm 30 А)
Потужність розсіювання Pd60 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE15–48 (IC 1 А, VCE 5 В)
Напруга насичення Vce(sat)3,0 В (макс.) (IC 6 А, IB 1,5 А, Tj 25 °C)
КорпусTO-3P(H)IS

Транзистор 2SC5793 оригінал демонтаж , TO-3PML

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникSANYO
Напруга Vcbo1600 В
Напруга Vceo800 В
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic20 А (імпульсний Icp 40 А)
Потужність розсіювання Pd95 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Час спаду tf0,2 мкс (макс.) (IC 10 А, IB1 1,6 А, IB2 –5 А)
Напруга насичення Vbe(sat)1,5 В (макс.) (IC 13,5 А, IB 3,4 А)
КорпусTO-3PML
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SC5707 , ТО252

В наявності

23,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Виробникonsemi (ex-SANYO)
Напруга Vceo50 В
Напруга Vcbo100 В
Струм колектора Ic8 А (імпульсний Icp 11 А)
Коефіцієнт підсилення hFE200–560 (VCE 2 В, IC 500 мА)
Гранична частота fT330 МГц (тип.) (VCE 10 В, IC 500 мА)
Вихідна ємність Cob28 пФ (тип.) (VCB 10 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-252 (D-PAK)

Транзистор 2SC5706 smd

В наявності

26,79 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Виробникonsemi (Sanyo)
Напруга Vceo50 В (Ic 1 мА, Rbe = ∞)
Напруга Vces100 В (Ic 100 мкА, Rbe 0)
Напруга Vcbo100 В
Напруга Vebo6 В
Струм колектора Ic5 А
Струм колектора імпульсний Icp7,5 А
Коефіцієнт підсилення hFE200–560 (Vce 2 В, Ic 500 мА)
Гранична частота fT400 МГц, тип. (Vce 10 В, Ic 500 мА)
Vce(sat)90 мВ тип., 135 мВ макс. (Ic 1 А, Ib 50 мА)
Вихідна ємність Cob15 пФ, тип. (Vcb 10 В, f 1 МГц)
КорпусTP-FA (smd)

Транзистор 2SC5586 оригінал

В наявності

57,81 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vceo550 В (Ic 30 мА)
Напруга Vcbo900 В
Струм колектора Ic5 А (постійний)
Потужність Pd70 Вт (Tc 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE10–40 (Ic 1,8 А, Vce 4 В)
Напруга насичення Vce(sat)0,5 В (макс., Ic 1,8 А, Ib 0,36 А)
Tj max150 °C
ВиробникInchange Semiconductor (ISC)
СтанОригінал

Транзистор FTP16N06A оригінал, TO220

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds55 В (VGS=0 В)
Струм Id65 А (TC 25 °C)
Rds(on)13 мОм тип., 16 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg40 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss2200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd170 Вт (TC 25 °C)
КорпусTO-220
СтанОригінал