Магазин
Мікросхема CR6842T , DIP8 ( SG6842 )
В наявності
53,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chengdu Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення VDD, макс. (абсолютний максимум) | 40 В |
| Поріг запуску (VDD=15 В, Ta 27 °C) | 16.5 (16.0–17.0) В |
| Струм запуску (VDD=17 В, Ta 27 °C) | 7.5 (тип.) / 30 (макс.) мкА |
| Робочий струм (VDD=15 В, VFB=VSENSE=0 В, Ta 27 °C) | 3.0 (тип.) / 5 (макс.) мА |
| Частота в номінальному режимі (RI=26 кОм) | 67 (63–70) кГц |
| Частота в режимі Green (RI=26 кОм) | 27 (25–29) кГц |
| Обмеження напруги затвора | 16.5 В |
| Час плавного пуску | 1 мс |
Мікросхема CR6238T , DIP8 ( PR6238T , ZL0805W )
В наявності
34,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Первинний ШІМ-контролер із вбудованим високовольтним MOSFET |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. вихідна потужність | 10 Вт |
| Напруга живлення VDD, рекомендована | 10–23 В |
| Напруга живлення VDD, макс. | 28.5 В |
| Напруга запуску VDD | 14.5 В (VDD 16 В, 25 °C) |
| Напруга вимкнення VDD | 9 В (VDD 16 В, 25 °C) |
| Макс. частота генератора | 60 кГц |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
Мікросхема CR6236T , DIP8
В наявності
49,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Первинний ШІМ-перемикач CC/CV із вбудованим MOSFET |
| Виробник | Chip Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга пробою MOSFET (BVdss) | 600 В |
| Rds(on) | 8 Ом тип. / 11.5 Ом макс. |
| Струм стоку, неперервний | 1 А |
| Струм стоку, імпульсний | 4 А |
| Вихідна потужність, 230 В AC ±15 % | 8 Вт (adapter, 50 °C) |
| Вихідна потужність, 85–265 В AC | 7 Вт (adapter, 50 °C) |
| Температура переходу | -20…150 °C |
Мікросхема CR6229T
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із вбудованим MOSFET |
| Виробник | Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стоку, макс. | 650 В |
| Rds(on) | 2.0 Ом тип. / 2.5 Ом макс. (Vgs 10 В, Ids 1 А, 25 °C) |
| Робоча частота | 50 кГц (45–55 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (70–90 %) |
| Напруга живлення VDD, макс. | 30 В |
| Вихідна потужність, 230 В AC ±15 % | 28 Вт (open frame, 50 °C) |
| Вихідна потужність, 85–265 В AC | 24 Вт (open frame, 50 °C) |
| Температура переходу | -20…150 °C |
Мікросхема CR6228T , DIP
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга на стоку | 650 В |
| BVDSS | 650 В тип., 600 В мін. |
| Частота перетворення | 50 кГц (45–55) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (70–90) (FB = 3,3 В, CS = 0 В) |
| Струм запуску | 20 мкА макс. |
| Вихідна потужність | 27 Вт (230 В AC ±15 %), 16 Вт (85–265 В AC), 50 °C навколишнього |
| Температура переходу | –20…150 °C |
Мікросхема CR6224T , DIP
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга на стоку | 650 В |
| BVDSS | 650 В тип., 620 В мін. (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| RDS(on) | 5,0 Ом тип., 5,8 Ом макс. (VGS = 10 В, IDS = 1 А) |
| Частота перетворення | 50 кГц (45–55) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (70–90) |
| Вихідна потужність | 15 Вт (230 В AC ±15 %), 12 Вт (85–265 В AC), 50 °C навколишнього |
| Температура переходу | –20…150 °C |
Мікросхема CR5229 ( CR5229T ) оригінал, DIP8
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга BVDSS | 650 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Струм вбудованого MOSFET | 4 А |
| RDS(on) | 3,0 Ом тип., 3,5 Ом макс. (VGS = 10 В, IDS = 1 А) |
| Частота перетворення | 50 кГц (45–55) |
| Вихідна потужність | 18 Вт (85–265 В AC) |
| Температура захисту від перегріву | 160 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема CQ1265RT ( CQ0965RT )
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Drain-Source BVDSS | 650 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку ID (25 °C) | 5,3 А |
| Струм стоку ID (100 °C) | 3,4 А |
| Імпульсний струм IDM | 36 А |
| RDS(on) | 0,75 Ом тип., 0,9 Ом макс. (VGS 10 В, ID 2,3 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 50 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2,5 °C/Вт |
| Поріг запуску Vcc | 15 В (14–16 В) |
| Поріг вимкнення Vcc | 9 В (8–10 В) |
| Частота генератора | 20 кГц (18–22 кГц) |
| Корпус | TO-220F-5L |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
Мікросхема CQ0765RT ( CQ0565RT )
В наявності
67,21 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Drain-Source BVDSS | 650 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку ID (25 °C) | 3,8 А |
| Струм стоку ID (100 °C) | 2,4 А |
| Імпульсний струм IDM | 15 А |
| RDS(on) | 1,4 Ом тип., 1,6 Ом макс. (VGS 10 В, ID 2,3 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 45 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2,6 °C/Вт |
| Поріг запуску Vcc | 15 В (14–16 В) |
| Поріг вимкнення Vcc | 9 В (8–10 В) |
| Частота генератора | 20 кГц (18–22 кГц) |
| Корпус | TO-220F-5L |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
Мікросхема CM8600A ( CM8600C ) , so-8
В наявності
50,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Підсилювач потужності звуку 3 Вт |
| Напруга живлення Vdd | 2.2–5.5 В |
| Vdd, абсолютний максимум | 6.0 В |
| Вихідна потужність на 8 Ом | 1.25 Вт (тип., Vdd 5 В, THD+N 1 %, f 1 кГц) |
| Струм у режимі вимкнення | 0.1 мкА (тип.) |
| Діапазон робочих температур | -40…85 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Виробник | ccmic |
Мікросхема CM6805BG оригінал, sop10
В наявності
247,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема, контролер PFC/PWM |
| Виробник | Champion Microelectronic |
| Корпус | SSOP-10 (R10) |
| Кількість виводів | 10 |
| Частота PFC і PWM | 95 кГц (CM6805B: мін. 85, тип. 95, макс. 106 при 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення PWM | 50 % |
| Струм старту | 100 мкА (тип.) |
| Робочий струм | 2 мА (тип.) |
| Діапазон робочих температур | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема CM6800AG ( CM6800G , CM6800UX , CM6800 ) демонтаж, smd 16pin широкий корпус
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема, контролер PFC/PWM |
| Виробник | Champion Microelectronic |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Корпус (докладно) | SOP-16 (широкий) |
| Кількість виводів | 16 |
| Напруга живлення Vcc | 10–18 В (мін. 10, тип. 15, макс. 18) |
| Vcc, абсолютний максимум | 20 В |
| Опорна напруга Vref | 7.5 В |
| Частота PWM, макс. | 250 кГц |
| Піковий струм виходу PWM OUT | 1 А (абсолютний максимум) |
| Струм старту | 100 мкА (тип., Vcc 12 В, CL 0, кімнатна температура) |
| Робочий струм | 3.0 мА (тип., Vcc 14 В, CL 0) |
| Діапазон робочих температур | -40…125 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема CM6800G оригінал, DIP16
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема, контролер PFC/PWM |
| Виробник | Champion Microelectronic |
| Корпус | DIP16 |
| Корпус (докладно) | DIP16 (PDIP-16) |
| Кількість виводів | 16 |
| Напруга живлення Vcc | 10–18 В (мін. 10, тип. 15, макс. 18) |
| Vcc, абсолютний максимум | 20 В |
| Опорна напруга Vref | 7.5 В |
| Частота PWM, макс. | 250 кГц |
| Піковий струм виходу PWM OUT | 1 А (абсолютний максимум) |
| Струм старту | 100 мкА (тип., Vcc 12 В, CL 0, кімнатна температура) |
| Робочий струм | 3.0 мА (тип., Vcc 14 В, CL 0) |
| Діапазон робочих температур | -40…125 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема CM501 , QFN48
В наявності
78,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Richtek |
| Корпус | QFN48 (WQFN-48L 7×7 мм) |
| Тип | Мікросхема живлення TFT-LCD панелі |
| Вхідна напруга | 8–14 В |
| Частота перемикання | 500 / 750 кГц (тип., вибір FSEL) |
| Boost: вбудований ключ | 20 В, 100 мОм (тип.) |
| Buck: вбудований ключ | 16.5 В, 3.2 А, 0.15 Ом |
| Buck: вихідна напруга | 1.8–3.3 В |
| VGH / VGL: вихідний струм | 50 мА |
| Потужність розсіювання | 2.941 Вт (TA 25 °C) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Маркування | CMO / CM501 |
Мікросхема CD4049BE ( CD4049BD , CD4049UBE , CD4049BP ) , DIP16
В наявності
21,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | шестиканальний інвертуючий CMOS буфер |
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP16 |
| Напруга живлення | 3–18 В (рекомендована) |
| VCC–VSS максимум | 20 В |
| Температура | –55…125 °C |
| Tj максимум | 150 °C |
| IOL | 3,3 мА (VCC = 5 В, VOL ≤ 0,4 В) |
Мікросхема CD4046BE , DIP
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | CMOS мікропотужна ФАПЧ (PLL) |
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP16 |
| Частота ГКН до | 1,4 МГц (типово, VDD = 10 В) |
| Споживана потужність | 70 мкВт (типово, fo = 10 кГц) |
| Лінійність ГКН | <1 % (типово) |
| Вбудований стабілітрон | 5,2 В |
| Фазові компаратори | 2 |
Мікросхема CD1353CP ( KA2102 )
В наявності
38,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAJING |
| Корпус | DIP14 |
| Живлення вихідного каскаду | 9–18 В |
| Макс. напруга VCC | 20 В (абс. максимум, Tamb 25 °C) |
| Вихідна потужність при 18 В | 2,4 Вт тип., 2,0 Вт мін. (RL = 8 Ом, THD = 10 %, RB = 330 Ом) |
| Вихідна потужність при 12 В | 1,2 Вт тип., 0,9 Вт мін. (RL = 8 Ом, THD = 10 %) |
| Підсилення НЧ | 37 дБ (33–41 дБ) при VI = 30 мВ, VCC = 12 В |
| Струм споживання | 19 мА (14–24 мА) при VCC = 12 В, без сигналу |
| Робоча температура | -20…75 °C |
Мікросхема CA3140EZ ( CA3140E , CA3140AE ) , DIP8
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas (Intersil) |
| Тип | Операційний підсилювач, BiMOS, вхід MOSFET / біполярний вихід |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення | 4–36 В (±2…±18 В при двополярному) |
| Макс. напруга живлення V+ – V- | 36 В |
| Частота одиничного підсилення fT | 4,5 МГц (тип., VSUPPLY = 15 В, TA = 25 °C) |
| Швидкість наростання | 9 В/мкс (тип., VSUPPLY = 15 В, TA = 25 °C) |
| Вхідний опір | 1,5 ТОм (тип., VSUPPLY = 15 В, TA = 25 °C) |
| Струм споживання I+ | 4 мА тип., 6 мА макс. (VSUPPLY = 15 В, TA = 25 °C) |
| Температура кристала (макс.) | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | -55…125 °C |
Мікросхема CA3130EZ (DIP8)
В наявності
96,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas (Intersil) |
| Тип | Операційний підсилювач, BiMOS, вхід MOSFET / вихід CMOS |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення | 5–16 В (±2,5…±8 В при двополярному) |
| Макс. напруга живлення V+ – V- | 16 В |
| Частота одиничного підсилення fT | 15 МГц (Cc = 0, V+ = 15 В, TA = 25 °C) |
| Швидкість наростання | 30 В/мкс (Cc = 0, V+ = 15 В, TA = 25 °C) |
| Вхідний опір | 1,5 ТОм (тип., V+ = 15 В, TA = 25 °C) |
| Вхідний струм | 5 пА (тип., VS = 7,5 В, V+ = 15 В, TA = 25 °C) |
| Температура кристала (макс.) | 150 °C |
Мікросхема BSP3505D B3 , SDIP-52
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Micronas |
| Корпус | SDIP52 |
| Живлення AHVSUP | 8,0 В (7,6–8,4 В) при TA 0–70 °C |
| Живлення DVSUP | 5,0 В (4,75–5,25 В) при TA 0–70 °C |
| Живлення AVSUP | 5,0 В (4,75–5,25 В) при TA 0–70 °C |
| Тактова частота кварцу | 18,432 МГц |
| Входи SCART | 2 стерео + 1 моно, рівень входу до 2 В RMS |
| Сигнал/шум | не менше 85 дБ (АЦП / ЦАП, 20 Гц–16 кГц) |
| Інтерфейс керування | I2C |
| Робоча температура | 0…70 °C |
Демонтаж
Мікросхема BP2836D демонтаж, DIP8
В наявності
33,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | BPS (Bright Power Semiconductor) |
| Призначення | Понижувальний драйвер світлодіодів зі стабілізацією струму, режим критичної провідності |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC |
| Пробивна напруга MOSFET | 500 В мін. (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Опір відкритого каналу | 3 Ом тип. (VGS = 15 В, IDS = 0,4 А) |
| Поріг обмеження струму CS | 400 мВ (388–412 мВ), VCC = 15 В, Tа 25 °C |
| Точність струму світлодіодів | ±5 % |
| Поріг вмикання VCC | 13,8 В |
| Поріг вимикання VCC | 9 В |
| Макс. розсіювана потужність | 0,9 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | -40…105 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема BL0202B оригінал, sop-18
В наявності
142,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Призначення | 2-канальний драйвер світлодіодів підсвічування з підвищувальним перетворювачем |
| Кількість каналів | 2 |
| Частота ШІМ перетворювача | 100 кГц (95–105 кГц), Tа 25 °C, VCC = 12 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 90 % (85–95 %), Tа 25 °C, VCC = 12 В |
| Напруга виходу REG | 5,0 В ±1,5 % (4,925–5,075 В), Tа 25 °C, VCC = 12 В |
| Макс. напруга VCC | 20 В (абс. максимум, Tа 25 °C) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Контрастність ШІМ-димінгу | 1/5000 |
| Корпус | SOP-18 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема BK1080 , so-16
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Beken |
| Призначення | FM-радіоприймач із цифровою демодуляцією (low-IF) |
| Діапазон прийому | 64–108 МГц |
| Напруга живлення VD/VA | 2,5–3,6 В (корпус SOP16, BK1080SB) |
| Напруга інтерфейсу VIO | 1,6–3,6 В |
| Струм споживання | 20 мА тип., 22 мА макс. (ENABLE = 1, VD = VA = 3,3 В, 25 °C) |
| Робоча температура | -20…85 °C |
| Інтерфейс керування | 3-wire або I2C |
| Опорна частота | 32,768 кГц (кварцовий резонатор) |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема BIT3252A , so-8
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ШІМ-контролер з вбудованим NMOS, LED-підсвічування |
| Напруга живлення VDD | 4–8 В |
| Vds вбудованого NMOS | 55 В (Ids 250 мкА, ключ закритий) |
| Струм NMOS | 1.2 А (безперервний, типово) |
| Робоча частота | 330 кГц |
| Поріг UVLO | 3.8 В (Ta 25 °C) |
| Поріг OVP | 1.55 В (VDD 5 В, Ta 25 °C) |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема BIT3251 , so-8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ШІМ-контролер підвищувального перетворювача, LED-підсвічування |
| Напруга живлення VDD | 4–8 В |
| Робоча частота | 330 кГц |
| Опорна напруга | 0.2 В (VDD 5 В, Ta 25 °C) |
| Поріг UVLO | 3.8 В (Ta 25 °C) |
| Поріг OVP | 1.55 В (VDD 5 В, Ta 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 93 % (VDD 5 В, Ta 25 °C, 330 кГц) |
| Вихід | CMOS totem pole |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема BIT3193G ( BIT3193 ) , so-16
В наявності
60,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ШІМ-контролер із низькочастотним PWM-генератором і захистом із фіксацією вимкнення |
| Напруга живлення VDD | 4.0–8 В (рекомендовано 4.5–8 В) |
| Макс. напруга живлення | 9 В (Ta 25 °C) |
| Струм споживання | 4 мА (VDD 8 В, Ta 25 °C, типово) |
| Частота основного ШІМ | 50–400 кГц |
| Опорна напруга | 1.25 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення PWM | 92 % (VDD 12 В) |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Корпус | SO-16 |
| Виробник | Beyond Innovation Technology (BiTEK) |
Мікросхема BIT3105P ( BIT3105 ) , DIP
В наявності
84,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер CCFL-інвертора, повний міст ZVS, PWM-димування |
| Напруга живлення AVDD=PVDD | 4.5–13.2 В (рекомендована) |
| Макс. напруга живлення | 15 В (Ta 25 °C) |
| Струм споживання | 2 мА (12 В, Ta 25 °C, типово) |
| Опорна напруга | 1.25 В |
| Робоча частота лампи | 30–250 кГц |
| Частота PWM-димування | 10 Гц–100 кГц (VDD 12 В) |
| Розсіювана потужність | 800 мВт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Корпус | DIP |
| Виробник | Beyond Innovation Technology (BiTEK) |
Мікросхема BIT3105 , so-20
В наявності
115,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Повномостовий ШІМ-контролер CCFL з ZVS і ШІМ-димінгом |
| Напруга живлення AVDD=PVDD | 4.5–13.2 В |
| Робоча частота | 30–250 кГц |
| ККД | понад 85 % (повномостова ZVS-схема) |
| Поріг OLP | 300 мВ (після періоду запалювання) |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Корпус | SO-20 |
| Виробник | Beyond Innovation Technology |
Мікросхема BIT3102B , so-14
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ШІМ-контролер CCFL із захистом від обриву навантаження |
| Виробник | BiTEK (Beyond Innovation Technology) |
| Струм споживання | 1 мА (типове значення, CMOS) |
| Корпус | SO-14 |
Мікросхема BIT3102A , so-8
В наявності
71,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ШІМ-контролер CCFL із захистом від обриву лампи |
| Виробник | Beyond Innovation Technology (BiTEK) |
| Напруга живлення VDD | 4.5–8.5 В |
| Макс. напруга VDD | –0.3…+9.0 В (Ta=25 °C) |
| Робоча частота | 50–250 кГц (140 кГц при RT=100 кОм) |
| Струм споживання | 1 мА (типове значення) |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема BI3101A , so-16
В наявності
130,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Двоканальний ШІМ-контролер CCFL |
| Виробник | Beyond Innovation Technology |
| Напруга живлення VDD | 4.5–13.2 В |
| Макс. напруга VDD | –0.3…+15 В (Ta=25 °C) |
| Робоча частота | 50–250 кГц (140 кГц при Rt=100 кОм) |
| Опорна напруга | 1.5 В (VDD=12 В, Ta=25 °C) |
| Поріг OLP | 325 мВ |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема BH0170A ( BH0170 ) , DIP8
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Призначення | Зелений ШІМ-контролер зі вбудованим SenseFET 700 В (flyback) |
| Напруга Vds (BVDSS) SenseFET | 700 В (VDS=700 В, VGS=0 В) |
| Імпульсний струм стоку IDM | 4.0 А |
| Опір Rds(on) | 8.8 Ом тип. / 11.0 Ом макс. (VGS=10 В, ID=0.5 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 1.5 Вт (TA не вище 50 °C) |
| Макс. напруга живлення VDD | 30 В |
| Поріг увімкнення VDD-ON | 11–13 В |
| Мін. робоча напруга VDD-OFF | 7–9 В |
| Частота генератора fOSC | 94–106 кГц |
| Частота в green-режимі fOSC-G | 14–22 кГц |
| Робоча температура | -40…+105 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема BD9897FS , smd
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Призначення | DC-AC Inverter Control IC, 1 канал, повний міст |
| Напруга живлення Vcc, робоча | 7,5–30,0 В |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 36 В (Ta 25 °C) |
| Напруга BST, макс. | 40 В (Ta 25 °C) |
| Частота генератора CT | 60–180 кГц |
| Частота BURST-генератора BCT | 0,05–1,00 кГц |
| Потужність розсіювання Pd | 950 мВт (Ta 25 °C, плата 70×70×1,6 мм) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | SSOP-A32 |
Мікросхема BD9886FV
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Призначення | DC-AC Inverter Control IC, 2 канали, двотактний (push-pull) |
| Напруга живлення Vcc, робоча | 5,0–14,0 В |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 15 В (Ta 25 °C) |
| Частота генератора CT | 20–150 кГц |
| Частота BURST-генератора BCT | 0,05–0,50 кГц |
| Потужність розсіювання Pd | 850 мВт (Ta 25 °C, плата 70×70×1,6 мм) |
| Температура переходу, макс. | 125 °C |
| Робоча температура | -40…+90 °C |
| Корпус | SSOP-B28 |
Мікросхема BD9883FV ( BD9883-маркування ), ssop-20
В наявності
86,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Призначення | DC-AC Inverter Control IC, 1 канал, напівміст, процес 36 В |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга живлення Vcc, робоча | 6,0–22,0 В |
| Напруга BST, макс. | 40 В (Ta 25 °C) |
| Частота генератора CT | 20–150 кГц |
| Частота BURST-генератора BCT | 0,10–0,50 кГц |
| Струм споживання Icc1 | 9,0 мА тип., 17,0 мА макс. (Ta 25 °C, Vcc 12 В, fCT 100 кГц) |
| Вихідна напруга REG | 5,50 В (5,30–5,70 В) при Ta 25 °C, Vcc 12 В |
| Потужність розсіювання Pd | 650 мВт (Ta 25 °C, плата 70×70×1,6 мм) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | SSOP-B20 |
Мікросхема BD9883AF , sop-20
В наявності
124,08 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Призначення | DC-AC Inverter Control IC, 1 канал, напівміст, процес 36 В |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга живлення Vcc, робоча | 6,0–22,0 В |
| Напруга BST, макс. | 40 В (Ta 25 °C) |
| Частота генератора CT | 20–150 кГц |
| Частота BURST-генератора BCT | 0,10–0,50 кГц |
| Струм споживання Icc1 | 9,0 мА тип., 17,0 мА макс. (Ta 25 °C, Vcc 12 В, fCT 100 кГц) |
| Вихідна напруга REG | 5,50 В (5,30–5,70 В) при Ta 25 °C, Vcc 12 В |
| Потужність розсіювання Pd | 550 мВт (Ta 25 °C, плата 70×70×1,6 мм) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | SO-20 |
Мікросхема BD9766FV
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Призначення | DC-AC Inverter Control IC, 2 канали, напівміст |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 12 В (Ta 25 °C) |
| Напруга живлення Vcc, робоча | 5,0–11,0 В |
| Частота генератора CT | 35–200 кГц |
| Частота BURST-генератора BCT | 0,10–0,50 кГц |
| Потужність розсіювання Pd | 850 мВт (Ta 25 °C, плата 70×70×1,6 мм) |
| Температура переходу, макс. | 125 °C |
| Робоча температура | -35…+85 °C |
| Корпус | SSOP-B28 |
Мікросхема BD9486F
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Призначення | 1-канальний boost драйвер білих LED підсвічування LCD |
| Робоча напруга живлення | 9,0–18,0 В |
| Максимальна напруга VCC | 20 В (Ta 25 °C) |
| Частота генератора DC/DC | 150 кГц (142,5–157,5 кГц) при RT = 100 кОм, VCC = 12 В, Ta 25 °C |
| Струм споживання | 2,6 мА typ. (макс. 5,2 мА) при VCC = 12 В, Ta 25 °C |
| Діапазон ADIM | 0,2–3,0 В |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Корпус | SO-16 |