Магазин
Мікросхема MC44608P40
В наявності
53,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor (onsemi) |
| Тип | ШІМ-контролер імпульсного джерела живлення |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | PDIP-8, суфікс P, CASE 626 |
| Кількість виводів | 8 |
| Частота перемикання | 40 кГц |
| Макс. напруга живлення VCC | 16 В |
| Макс. струм живлення ICC | 30 мА |
| Макс. напруга на виводі Vi | 500 В |
| Рекомендована напруга на виводі Vi | 400 В |
| Розсіювана потужність Pd | 600 мВт при TA = 85 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Мікросхема MC44603P оригінал ( MC44603AP )
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP16 |
| Частота перемикання виходу | до 250 кГц |
| Макс. напруга живлення VCC | 18 В |
| Макс. струм виходу (пік) | 750 мА |
| Опорна напруга Vref | 2,5 В (2,4–2,6 В), VCC = 10–15 В |
| Поріг запуску | 14,5 В (13,6–15,4 В) |
| Робоча температура | −25…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст D20XB100
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Середній випрямлений струм Io | 20 А (Tc 110 °C) |
| Піковий ударний струм Ifsm | 240 А |
| Пряма напруга Vf | 0,98 В (при 10 А) |
| Робоча температура Tj/Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | SIP, 5 виводів |
Мікросхема MC34119 ( MC34119L ) , so-8
В наявності
24,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Низьковольтний аудіопідсилювач для телефонних апаратів |
| Напруга живлення | 2–16 В (робочий діапазон) |
| Струм спокою | 2,7 мА (типове) |
| Вихідна потужність | не менше 250 мВт (Vcc 6 В, RL 32 Ом, THD ≤ 10%) |
| Коефіцієнт підсилення | 0–46 дБ |
| Опір навантаження | 8–100 Ом |
| Робоча температура | –20…+70 °C (Ta) |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема MC34071P оригінал, DIP8
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення (VCC–VEE) | 3,0–44 В |
| Смуга підсилення (GBW) | 4,5 МГц (typ), f = 100 кГц, VCC = +15 В, VEE = −15 В |
| Швидкість наростання | 13 В/мкс |
| Напруга зміщення нуля | 1,0 мВ (typ) / 5,0 мВ (max), RS = 100 Ом |
| Струм споживання на підсилювач | 1,9 мА (typ) / 2,5 мА (max), VCC = +15 В, VEE = −15 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема MC34063API ( MC34063AL , MC34063C ) , DIP8
В наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Тип | Керуючий чип DC-DC перетворювача |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга | 3,0…40 В |
| Макс. напруга живлення VCC | 40 В |
| Струм вихідного ключа | 1,5 А |
| Частота перетворення | до 100 кГц |
| Опорна напруга компаратора | 1,25 В (VCC = 5,0 В, TA = 25 °C) |
| Напруга насичення ключа (Дарлінгтон) | 1,0 В (тип., макс. 1,3 В; ISW = 1,0 А) |
| Струм споживання | макс. 4,0 мА |
| Розсіювана потужність PDIP-8 | 1,25 Вт (TA = 25 °C) |
| Робочий діапазон MC34063A | 0…+70 °C |
Мікросхема MC33274ADG , so-14
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Тип | Чотири операційні підсилювачі |
| Корпус | SO-14 |
| Кількість підсилювачів | 4 |
| Напруга живлення | +3,0…+36 В або ±1,5…±18 В |
| Макс. VCC–VEE | 36 В |
| GBW | 24 МГц (f = 100 кГц, ±15 В, TA = 25 °C) |
| Швидкість наростання | 10 В/мкс (±15 В, TA = 25 °C) |
| Вхідна напруга зсуву | 0,1 мВ (тип., макс. 1,0 мВ) |
| Струм споживання на підсилювач | 2,15 мА (тип., макс. 2,75 мА) |
| Вхідний струм зміщення | 300 нА |
| Шум | 18 нВ/√Гц (f = 1,0 кГц) |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 °C |
Мікросхема MC33260 , so-8
В наявності
41,83 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Тип | Контролер PFC |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Максимальна напруга VCC | 16 В |
| Поріг запуску VCC | 11 В (тип., VCC = 13 В, TJ = 25 °C) |
| Струм споживання в роботі | 4,0 мА (тип., макс. 8,0 мА) |
| Струм драйвера затвора | ±500 мА (source/sink) |
| Макс. температура переходу TJ | 150 °C |
| Робочий діапазон TA | -40…+105 °C |
Мікросхема MAX4420 , so-8
В наявності
209,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Maxim |
| Призначення | Неінвертуючий одноканальний драйвер MOSFET, вхід TTL/CMOS |
| Напруга живлення VDD | 4.5–18 В |
| Піковий вихідний струм | 6 А (VDD = 18 В, TA = 25 °C, мін.) |
| Вихідний опір | 1.5 Ом (VDD = 18 В, Iout = 10 мА, TA = 25 °C, типово) |
| Час наростання | 25 нс (2500 пФ, VDD = 18 В, TA = 25 °C, типово) |
| Час спаду | 25 нс (2500 пФ, VDD = 18 В, TA = 25 °C, типово) |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема MAX232 , smd
В наявності
19,74 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Подвійний драйвер/приймач EIA-232 |
| Напруга живлення VCC | 4.5–5.5 В |
| Струм живлення | 8 мА (тип.), 10 мА (макс.) при VCC = 5.5 В, TA = 25 °C |
| Швидкість передачі | до 120 кбіт/с |
| Канали | 2 драйвери, 2 приймачі |
| Вхідна напруга приймача | ±30 В |
| Захист ESD | 2000 В (HBM) |
| Конденсатори charge pump | 1 мкФ |
| Робоча температура | 0–70 °C |
| Виконання | smd |
Мікросхема MAP8800 , so-8
В наявності
32,43 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Призначення | Контролер корекції коефіцієнта потужності (PFC) |
| Режим роботи | Режим напруги, критичний режим провідності (CRM) |
| ККД схеми | понад 85 % (вихідна потужність понад 50 Вт) |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема MAP3202 , so-14
В наявності
94,94 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Призначення | Одноканальний підвищувальний PWM-драйвер світлодіодів із керуванням за струмом |
| Напруга живлення | 8,5–18 В (Ta –40…+85 °C) |
| Напруга живлення, макс. допустима | 20 В (абсолютний максимум, VCC) |
| Струм спокою | 1,2 мА (типове; VPWMI = 0 В, VCC = 12 В) |
| Частота генератора | 100 кГц (Ta 25 °C, RT = 500) |
| Корпус | SO-14 |
Демонтаж
Мікросхема MA8920 оригінал демонтаж
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shindengen |
| Призначення | Імпульсний модуль живлення (RCC-перетворювач) |
| Макс. вхідна напруга Vin (піков.) | 900 В |
| Макс. вхідний струм Iin (піков.) | 5 А |
| Потужність розсіювання Pd (без радіатора) | 3 Вт (Ta = 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd (з радіатором) | 22 Вт (Tc = 100 °C) |
| Вихідна потужність Po | 80 Вт (вхід 180–276 В); 40 Вт (вхід 85–276 В), довідкове значення |
| Споживання на малому навантаженні | ≤ 0.5 Вт (навантаження 50 мВт, вхід AC 100 В) |
| ККД | ≥ 80 % (номінальне навантаження) |
| Корпус | 7 виводів, full-mold, крок виводів 2.54 мм |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Демонтаж
Мікросхема M52340SP-A демонтаж
В наявності
352,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Mitsubishi Electric |
| Призначення | Однокристальний процесор сигналу кольорового ТВ (PAL/NTSC) |
| Живлення (виводи 8 і 24) | 4.75–5.25 В (номінальна 5.0 В) |
| Живлення (виводи 9, 20 і 47) | 7.6–8.4 В (номінальна 8.0 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 1.4 Вт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -20…+65 °C |
| Керування | шина I2C |
| Корпус | 52P4B, 52 виводи |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема M52313SP демонтаж
В наявності
124,08 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Mitsubishi Electric |
| Призначення | PLL-обробник відео- та звукової ПЧ (VIF/SIF) |
| Робоча напруга живлення | 4.5–5.5 В (номінальна 5.0 В) |
| Струм споживання Icc | 36 мА типово (мін. 25, макс. 47; Ta 25 °C, Vcc1 5 В, Vcc2 12 В) |
| Макс. напруга Vcc1 | 7 В |
| Макс. напруга Vcc2 | 14 В |
| Потужність розсіювання Pd | 1000 мВт |
| Робоча температура | -20…+75 °C |
| Корпус | 20P4B (shrink DIP), 20 виводів |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема LY2117 , DIP8
В наявності
29,61 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер flyback з біполярним ключем |
| Виробник | Shenzhen Stronglink Electronics |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. вихідна потужність | 18.0 Вт |
| Робоча частота | 62 кГц |
| Напруга ключа BJT | > 720 В |
| Max Vcc | 8.7 В |
| Споживання в черговому режимі | < 300 мВт |
| Захист | OVP |
Мікросхема LX1691A ( MSC1691AI ), TSSOP-16
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microsemi |
| Корпус | TSSOP-16 |
| Діапазон вхідної напруги живлення | 7–24 В |
| Напруга VDDP | 2.8–5.5 В |
| Режими димування | 6 |
| Затримка після ввімкнення | 120 мс |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
Мікросхема LV5680 ( LV5680P )
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SANYO |
| Корпус | HZIP15J, 15 виводів |
| Макс. напруга живлення VCC | 36 В (Ta 25 °C) |
| Робоча напруга живлення | 7.5–16 В |
| Вихід VDD | 5.0 В, до 200 мА |
| Вихід CD | 8.0 В, до 1300 мА |
| Захист від перенапруги | 21 В (typ) |
| Тепловий захист | 175 °C (typ) |
| Потужність розсіювання | 1.5 Вт (без радіатора, Ta ≤ 25 °C) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
Мікросхема LV1116N ( LV1116 ) , DIP
В наявності
135,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SANYO |
| Корпус | DIP-36S (400 mil), 36 виводів |
| Напруга живлення (макс.) | 10.5 В (Ta 25 °C) |
| Рекомендована напруга живлення | 9.0 В (діапазон 5.0–10.0 В для DIP) |
| Струм спокою | 48 мА (Ta 25 °C, Vcc 9 В) |
| Розсіювана потужність | 700 мВт (Ta 70 °C, DIP) |
| Робоча температура | -25…+70 °C |
| Регулювання гучності | 0…-80 дБ |
| Регулювання тембру | НЧ 20 дБ, ВЧ 18 дБ |
Мікросхема LTC4054 ( LTH7 , LTH7R ) , sot23-5
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Linear Technology |
| Вхідна напруга Vcc | 4.25…6.5 В |
| Напруга закінчення заряду | 4.2 В (4.158…4.242 В) (0…85 °C, Ibat 40 мА) |
| Струм заряду | до 800 мА (резистор Rprog) |
| Поріг попереднього заряду | 2.9 В (Rprog 10 кОм) |
| Температура переходу (макс.) | 125 °C |
| Корпус | SOT23-5 |
Мікросхема LTA809 ( LTA809FA ) , so-8
В наявності
49,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
| Призначення | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Напруга живлення VDD макс. | 30 В |
| Напруга на вході HV макс. | 500 В |
| Пороги по VDD | 16,5 В / 10,5 В (тип.) |
| Робочий струм споживання | 4 мА (тип.), макс. 5 мА |
| Центральна частота ШІМ | 65 кГц (тип.) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 65 % (тип.) |
| Розсіювана потужність (SOP) | 400 мВт |
| Тепловий опір перехід–повітря (SOP) | 141 °C/Вт |
| Температура переходу | -40…+125 °C |
Демонтаж
Транзистор R6025ANZ оригінал демонтаж, TO-3PF
В наявності
211,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (25 °C) | 25 А |
| Струм Id (100 °C) | 12,5 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 0,15 Ом (макс.), 0,12 Ом (тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,5 В |
| Заряд затвора Qg | 88 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3250 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт |
| Макс. напруга Vgs | ±30 В |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема LNK6777K оригінал, HSOP11
В наявності
119,38 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-HP |
| Мін. напруга пробою MOSFET (TJ = 25 °C) | 725 В |
| Частота перемикання (TJ = 25 °C) | 132 кГц |
| Вихідна потужність PCB-R2, адаптер (230 В AC ±15 %) | 36 Вт |
| Вихідна потужність PCB-R2, відкрита рамка (230 В AC ±15 %) | 59 Вт |
| Вихідна потужність PCB-W1, адаптер (230 В AC ±15 %) | 25 Вт |
| Вихідна потужність PCB-W1, відкрита рамка (230 В AC ±15 %) | 41 Вт |
| Споживання без навантаження (230 В AC) | <30 мВт |
| Тепловий опір перехід-корпус | 2 °C/Вт |
| Робоча температура переходу (абс. максимум) | -40…150 °C |
| Корпус | eSOP-12B (K package) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK626PG оригінал ( заміна для LNK624PG , LNK625PG ), DIP7
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-CV |
| Напруга пробою MOSFET (Drain, абс. максимум) | 725 В |
| Частота перемикання (TJ = 25 °C) | 100 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення (TJ = 25 °C) | 54 % |
| Піковий струм стоку, абс. максимум | 720 (1080) мА |
| Вихідна потужність, адаптер (230 В AC ±15 %, 5 В, +50 °C) | 10,5 Вт |
| Вихідна потужність, відкрита рамка (230 В AC ±15 %, 5 В, +50 °C) | 17 Вт |
| Робоча температура переходу (абс. максимум) | -40…150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK626DG оригінал, sop-7
В наявності
65,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-CV |
| Пробивна напруга MOSFET BVDSS (мін.) | 725 В (TJ 25 °C) |
| Макс. напруга DRAIN | -0,3…725 В (абсолютний максимум) |
| Піковий струм DRAIN (LNK626) | 720 мА (1080 мА при Vdrain < 400 В), абсолютний максимум |
| Обмеження струму ILIMIT (LNK626) | 419 / 450 / 482 мА (мін./тип./макс.), di/dt 110 мА/мкс, TJ 25 °C |
| Частота перетворення fOSC | 93 / 100 / 106 кГц (мін./тип./макс.), TJ 25 °C |
| Опір відкритого ключа RDS(ON) (LNK626) | 9,6 Ом тип. / 11 Ом макс. при ID 82 мА, TJ 25 °C |
| Напруга зворотного зв'язку VFBth (LNK626D) | 1,775 / 1,800 / 1,825 В (мін./тип./макс.), TJ 25 °C, CBP 1 мкФ |
| Вихідна потужність, адаптер | 10,5 Вт (230 В AC ±15 %) / 8,5 Вт (85–265 В AC), вихід 5 В, +50 °C |
| Вихідна потужність, відкрита плата | 17 Вт (230 В AC ±15 %) / 10 Вт (85–265 В AC), вихід 5 В, +50 °C |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C (абсолютний максимум) |
| Температура теплового захисту | 135 / 142 / 150 °C (мін./тип./макс.) |
| Корпус | SOP-7 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G60T60AK3HD оригінал ( CRG60T60AK3HD ), TO247(Заміна для G60T60AK3SD , CRG60T60AK3SD )
В наявності
134,42 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 403 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.85 В тип. / 2.4 В макс. (60 А, 15 В) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | є (антипаралельний) |
| Робоча температура Tj | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK564PN оригінал ( заміна для LNK563PN , LNK562PN ), DIP7
В наявності
88,83 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-LP |
| Пробивна напруга MOSFET BVDSS (мін.) | 700 В (TJ 25 °C) |
| Макс. напруга DRAIN | 700 В (абсолютний максимум, TA 25 °C) |
| Піковий струм DRAIN | 200 мА (375 мА при Vdrain < 400 В), абсолютний максимум |
| Обмеження струму ILIMIT | 124 / 136 / 148 мА (мін./тип./макс.), di/dt 40 мА/мкс, TJ 25 °C |
| Частота перетворення fOSC | 93 / 100 / 107 кГц (мін./тип./макс.), TJ 25 °C, VFB 1,69 В |
| Опір відкритого ключа RDS(ON) | 48 Ом тип. / 55 Ом макс. при ID 13 мА, TJ 25 °C |
| Вихідна потужність (LNK564) | 3 Вт (адаптер і відкрита плата, 85–265 В AC та 230 В AC ±15 %) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C (абсолютний максимум) |
| Температура теплового захисту | 135 / 142 / 150 °C (мін./тип./макс.) |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK564DN ( LNK564DG ) , so-7
В наявності
59,69 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-LP |
| Пробивна напруга MOSFET BVDSS (мін.) | 700 В (TJ 25 °C) |
| Макс. напруга DRAIN | 700 В (абсолютний максимум, TA 25 °C) |
| Піковий струм DRAIN | 200 мА (375 мА при Vdrain < 400 В), абсолютний максимум |
| Обмеження струму ILIMIT | 124 / 136 / 148 мА (мін./тип./макс.), di/dt 40 мА/мкс, TJ 25 °C |
| Частота перетворення fOSC | 93 / 100 / 107 кГц (мін./тип./макс.), TJ 25 °C, VFB 1,69 В |
| Опір відкритого ключа RDS(ON) | 48 Ом тип. / 55 Ом макс. при ID 13 мА, TJ 25 °C |
| Вихідна потужність (LNK564) | 3 Вт (адаптер і відкрита плата, 85–265 В AC та 230 В AC ±15 %) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C (абсолютний максимум) |
| Температура теплового захисту | 135 / 142 / 150 °C (мін./тип./макс.) |
| Корпус | SOP-7 |
Мікросхема LNK364PN оригінал (заміна для LNK363PN ), DIP7
В наявності
72,38 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP-8B (P), у назві DIP7 |
| Напруга DRAIN (абс. макс.) | -0,3…700 В відносно SOURCE, Tamb 25 °C |
| Струм обмеження ILIMIT | 250 мА (мін. 233, макс. 268) при di/dt = 50 мА/мкс, Tj 25 °C |
| Опір RDS(on) | 24 Ом (макс. 28) при ID = 25 мА, Tj 25 °C |
| Частота перетворення | 132 кГц (124–140) при Tj 25 °C |
| Вихідна потужність | 5,5 Вт адаптер / 9 Вт відкрита плата, 230 В AC ±15 % |
| Робочий діапазон Tj | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK354PN
В наявності
73,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP-8B (P) |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В (мін., VBP = 6,2 В, VFB ≥ 2 В, Tj 25 °C) |
| Струм обмеження ILIMIT | 250 мА (мін. 233, макс. 268) при di/dt = 115 мА/мкс, Tj 25 °C |
| Опір RDS(on) | 24 Ом (макс. 28) при ID = 25 мА, Tj 25 °C |
| Частота перетворення | 200 кГц (186–214) при Tj 25 °C |
| Вихідна потужність | 3,5 Вт адаптер / 5 Вт відкрита плата, 230 В AC ±15 % |
| Робочий діапазон Tj | -40…150 °C |
Мікросхема LNK306PN оригінал, DIP7
В наявності
90,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP-8B (P), у назві DIP7 |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В (мін., VBP = 6,2 В, VFB ≥ 2 В, Tj 25 °C) |
| Струм обмеження ILIMIT | 482 мА (мін. 450, макс. 515) при di/dt = 95 мА/мкс, Tj 25 °C |
| Опір RDS(on) | 7 Ом (макс. 8,1) при ID = 45 мА, Tj 25 °C |
| Частота перетворення | 66 кГц (62–70) при Tj 25 °C |
| Робочий діапазон Tj | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK305PN оригінал, DIP7
В наявності
82,25 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-TN |
| Напруга BVDSS (вбудований MOSFET) | 700 В (мін.; VBP = 6,2 В, VFB ≥ 2 В, TJ = 25 °C) |
| Частота перетворення | 62 / 66 / 70 кГц (мін. / тип. / макс.; TJ = 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення DCMAX | 66 / 69 / 72 % (мін. / тип. / макс.; S2 розімкнено) |
| Напруга на виводі DRAIN (абс. макс.) | -0,3 … 700 В (відносно SOURCE, TA = 25 °C) |
| Температура теплового захисту | 135 / 142 / 150 °C (мін. / тип. / макс.) |
| Робоча температура переходу | -40 … 150 °C (абс. макс.) |
| Модель | LNK305PN |
| Корпус | DIP7 |
| Вихідний струм, buck (MDCM) | 175 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC) |
| Вихідний струм, buck (CCM) | 280 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC) |
| Обмеження струму ILIMIT | 350 / 375 / 401 мА (мін. / тип. / макс.; di/dt = 75 мА/мкс, TJ = 25 °C) |
| RDS(ON) | 12 Ом тип. / 13,8 Ом макс. (ID = 35 мА, TJ = 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK304PN оригінал, DIP7
В наявності
74,73 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-TN |
| Напруга BVDSS (вбудований MOSFET) | 700 В (мін.; VBP = 6,2 В, VFB ≥ 2 В, TJ = 25 °C) |
| Частота перетворення | 62 / 66 / 70 кГц (мін. / тип. / макс.; TJ = 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення DCMAX | 66 / 69 / 72 % (мін. / тип. / макс.; S2 розімкнено) |
| Напруга на виводі DRAIN (абс. макс.) | -0,3 … 700 В (відносно SOURCE, TA = 25 °C) |
| Температура теплового захисту | 135 / 142 / 150 °C (мін. / тип. / макс.) |
| Робоча температура переходу | -40 … 150 °C (абс. макс.) |
| Модель | LNK304PN |
| Корпус | DIP7 |
| Вихідний струм, buck (MDCM) | 120 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC) |
| Вихідний струм, buck (CCM) | 170 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC) |
| Обмеження струму ILIMIT | 240 / 257 / 275 мА (мін. / тип. / макс.; di/dt = 65 мА/мкс, TJ = 25 °C) |
| RDS(ON) | 24 Ом тип. / 27,6 Ом макс. (ID = 25 мА, TJ = 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK304DN оригінал (заміна для LNK304DG ) , so-8
В наявності
74,73 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-TN |
| Напруга BVDSS (вбудований MOSFET) | 700 В (мін.; VBP = 6,2 В, VFB ≥ 2 В, TJ = 25 °C) |
| Частота перетворення | 62 / 66 / 70 кГц (мін. / тип. / макс.; TJ = 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення DCMAX | 66 / 69 / 72 % (мін. / тип. / макс.; S2 розімкнено) |
| Напруга на виводі DRAIN (абс. макс.) | -0,3 … 700 В (відносно SOURCE, TA = 25 °C) |
| Температура теплового захисту | 135 / 142 / 150 °C (мін. / тип. / макс.) |
| Робоча температура переходу | -40 … 150 °C (абс. макс.) |
| Модель | LNK304DN |
| Корпус | SOP-7 |
| Вихідний струм, buck (MDCM) | 120 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC) |
| Вихідний струм, buck (CCM) | 170 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC) |
| Обмеження струму ILIMIT | 240 / 257 / 275 мА (мін. / тип. / макс.; di/dt = 65 мА/мкс, TJ = 25 °C) |
| RDS(ON) | 24 Ом тип. / 27,6 Ом макс. (ID = 25 мА, TJ = 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LM8560 оригінал, SDIP28
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення Vdd (робоча) | -14…-7.5 В (Ta 25 °C, Vss = 0 В) |
| Розсіювана потужність | 700 мВт (Ta 70 °C) |
| Робоча температура | -30…+70 °C |
| Температура зберігання | -55…+125 °C |
| Частота мережі | 50 або 60 Гц |
| Формат часу | 12 або 24 години |
| Звук будильника | 900 Гц |
| Корпус | SDIP-28 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LM741CN ( UA741CN ) , DIP8
В наявності
27,26 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | операційний підсилювач загального призначення |
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга зсуву входу | 2 мВ (тип.), 6 мВ (макс.) при TA = 25 °C, RS ≤ 10 кОм, VS = ±15 В |
| Вхідний струм зміщення | 80 нА (тип.), 500 нА (макс.) при TA = 25 °C |
| Коефіцієнт підсилення за напругою | 20 В/мВ (мін.), 200 В/мВ (тип.) при VS = ±15 В, VO = ±10 В, RL ≥ 2 кОм |
| Струм споживання | 1,7 мА (тип.), 2,8 мА (макс.) при VS = ±15 В, TA = 25 °C |
| Швидкість наростання | 0,5 В/мкс при одиничному підсиленні |
| Робочий діапазон температур (LM741C) | 0…70 °C, free-air |