Магазин
Мікросхема PN8136 ( PN8136S ) , DIP7
В наявності
44,18 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipown |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга вбудованого MOSFET | 650 В |
| Частота ШІМ Hi-mode | 60 кГц |
| Частота Burst | 25 кГц |
| Споживання без навантаження | менше 50 мВт (230 В AC) |
| Вихідна потужність | більше 17 Вт (230 В AC, open frame) |
| Мережева напруга | 85–265 В AC |
Мікросхема PN8024A ( PN8024R ), DIP7
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Linkage |
| Корпус | DIP7 |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC |
| Пробивна напруга ключа BVDSS | 650 В (мінімум, Isw = 1 мА, Vcomp = GND, Tj 25 °C) |
| Rds(on) ключа | 8,0 Ом (типово, Isw = 1 А, Vcomp = 3 В, Tj 25 °C) |
| Робоча напруга VDD | 9–24 В (після запуску, VDD = 15 В) |
| Обмеження струму ключа | 0,49 А (Tj 25 °C) |
| Максимальна частота | 60 кГц (Vcomp = 3 В) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
Мікросхема Pm25LV010 , so-8
В наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Programmable Microelectronics Corp. (PMC) |
| Ємність | 1 Мбіт (128K × 8) |
| Напруга живлення Vcc | 2,7–3,6 В |
| Тактова частота SPI | 25 МГц (максимум) |
| Інтерфейс | SPI, режими 0 (0,0) і 3 (1,1) |
| Сектор / блок | 4 КБ / 32 КБ |
| Сторінка запису | 256 байт |
| Час запису сторінки | 2 мс (типове) |
| Час стирання | 40 мс (типове) |
| Циклів запис/стирання | 100000 на сектор (preliminary) |
| Збереження даних | 20 років (мінімум) |
| Струм при запису / стиранні | 30 мА (максимум, Vcc = 3,6 В, 25 МГц) |
| Струм у режимі очікування (CMOS) | 5 мкА (максимум, Vcc = 3,6 В) |
| Діапазон температур | 0…+85 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | 8-pin SOIC (8S) |
Транзистор SKD502T оригінал, TO220
В наявності
57,34 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO (China Resources Microelectronics) |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 120 А (обмеження корпусу); 135 А (обмеження кремнію) |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 86 А, обмеження кремнію |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=50 А) | 4.6 мОм (тип.), 5.5 мОм (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3086 пФ |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 174 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP039N10M оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 135 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 108 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 3,65 мОм тип., 3,9 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 65 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 116 нКл тип., 150 нКл макс. (Vds 50 В, Id 65 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 7450 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 220 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Vsd діода | 1,2 В макс. (Vgs 0 В, Is 65 А) |
| trr діода | 76 нс тип. (Tj 25 °C, di/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема PIC16F870-I/SP , DIP28
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 8-бітний CMOS Flash-мікроконтролер, 28 виводів |
| Виробник | Microchip |
| Корпус | DIP28 вузький |
| Корпус (докладно) | SPDIP-28 (DIP28, 300 mil) |
| Напруга живлення | 4,0–5,5 В |
| Тактова частота | DC–20 МГц |
| Пам'ять програм Flash | 2K x 14 слів |
| ОЗП | 128 x 8 байт |
| EEPROM даних | 64 x 8 байт |
| Струм виводу | 25 мА |
| АЦП | 10 біт, 5 каналів |
Мікросхема PIC16F630-I/P , DIP14
В наявності
78,02 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 8-бітний CMOS Flash-мікроконтролер, 14 виводів |
| Виробник | Microchip |
| Корпус | DIP14 |
| Напруга живлення | 2,0–5,5 В |
| Тактова частота | DC–20 МГц |
| Пам'ять програм Flash | 1024 слів |
| ОЗП SRAM | 64 байт |
| EEPROM даних | 128 байт |
| Лінії вводу-виводу | 12 шт |
| АЦП | немає |
| Температурний діапазон | -40…+85 °C |
Мікросхема PIC12F675-I/SN , smd
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 8-бітний CMOS Flash-мікроконтролер, 8 виводів |
| Виробник | Microchip |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення | 2,0–5,5 В |
| Тактова частота | DC–20 МГц |
| Пам'ять програм Flash | 1024 слів |
| ОЗП SRAM | 64 байт |
| EEPROM даних | 128 байт |
| Лінії вводу-виводу | 6 шт |
| АЦП | 10 біт, 4 канали |
| Температурний діапазон | -40…+85 °C |
Мікросхема PIC12C509A-04I/P ( 12C509A-04I ) , DIP8
В наявності
62,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip |
| Корпус | DIP8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Пам'ять програм (EPROM) | 1024 x 12 слів |
| Тактова частота | DC–4 МГц |
| Напруга живлення | 3,0–5,5 В |
| Кількість команд | 33 |
| Струм споживання | <2 мА при 5 В, 4 МГц |
| Діапазон температур | -40…+85 °C |
Мікросхема PF7708BS , so-8
В наявності
202,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | PowerForest |
| Призначення | одноканальний boost-драйвер світлодіодної підсвітки (WLED) з вбудованим ключем димінгу |
| Вхідна напруга | 9–30 В |
| Опорна напруга зворотного зв'язку | 300 мВ |
| Струм драйвера затвора | 1000 / -1500 мА (вихід драйвера MOSFET, джерело / стік) |
| Тип керування | струмовий режим ШІМ, ШІМ-димінг |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема PF6003AS ( PF6003AHS , LD5532GS ) , so-8
В наявності
89,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
| Призначення | Green-Mode ШІМ-контролер, режим струму |
| Напруга Vcc робоча | 9,5–26 В |
| Напруга Vcc гранична | 29 В |
| Струм живлення в роботі | 1,80 мА (тип.) при VCOMP = 3 В |
| Струм драйвера | 300 мА (витік) / –500 мА (стік) |
| Потужність розсіювання | 250 мВт (SO-8, при 85 °C) |
| Температура переходу | до 150 °C |
Мікросхема PF6005AG оригінал ( PF6005A , 6005A , PF6003AG , 6003A ) , sot23-6
В наявності
84,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал |
Мікросхема PAM8403 , so-16
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Стерео підсилювач звуку класу D без вихідного фільтра |
| Вихідна потужність на канал | 3 Вт (THD+N 10 %, навантаження 4 Ом, живлення 5 В) |
| Напруга живлення (рекомендована) | 2,5–5,5 В (TA +25 °C) |
| ККД | до 90 % |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 °C (рекомендовані умови) |
| Діапазон температур переходу | -40…+125 °C (рекомендовані умови) |
| Корпус | SO-16 |
| Кількість виводів | 16 |
| Захист | від короткого замикання та перегріву (thermal shutdown) |
Мікросхема PAM2312 , sot23-5
В наявності
23,03 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Понижуючий DC-DC, 1 А, ШІМ/PSM |
| Вхідна напруга | 2.5–5.5 В |
| Вихідна напруга | 0.6 В до Vin |
| Вихідний струм | до 1 А |
| Частота перетворення | 1.5 МГц (1.2–1.8 МГц, Ta 25 °C, Vin 3.6 В) |
| ККД | до 96 % |
| Струм спокою | 40 мкА (тип.) |
| Струм у режимі shutdown | менше 1 мкА |
| Опорна напруга FB | 0.588–0.612 В (Ta 25 °C, Vin 3.6 В) |
| Макс. вхідна напруга | 6.0 В (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Корпус | SOT23-5 |
Демонтаж
Мікросхема PAL007A ( Заміна для PAL007B ) демонтаж
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Підсилювач потужності |
| Канали | 4, мостове вмикання |
| Кількість виводів | 25 і TAB |
| Процес | B.C.D MOS |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема OZ9998GN оригінал ( заміна для OZ9998AGN ) , so-24
В наявності
85,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал |
Мікросхема OZ9998BDN ( OZ9998EDN ) , DIP16
В наявності
211,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | O2Micro |
| Призначення | Контролер DC/DC-перетворювача для підсвітки LED |
| Корпус | DIP16 |
| Кількість виводів | 16 шт |
| Кількість рядків LED | 4 шт, паралельно |
| Струм одного рядка | до 160 мА |
| Димування | Зовнішнє PWM, зсув фаз PWM для низького шуму |
Мікросхема OZ9967SN , SSOP-28
В наявності
66,74 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | O2Micro |
| Призначення | Контролер DC/DC-перетворювача для підсвітки LED |
| Корпус | SSOP-28 |
| Кількість виводів | 28 шт |
| Кількість рядків LED | 6 шт, паралельно |
| Частота перемикання | до 1 МГц |
| Димування | Зовнішнє PWM або внутрішнє LPWM |
Мікросхема OZ9938GN оригінал, so-16
В наявності
81,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | O2Micro |
| Корпус | SO-16 |
| Напруга живлення VDDA (рекомендована) | 4.5–5.5 В |
| Макс. напруга VDDA (абсолютна) | 7.0 В |
| Робоча частота | 20–150 кГц |
| Діапазон аналогового димування | 0.7–2.1 В |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Температура зберігання | -55…150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 86 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема OZ9937GN , so-16
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | O2Micro |
| Корпус | SO-16 |
| Корпус (докладно) | 16 SOP, Lead-free |
| Кількість виводів | 16 шт |
| Живить ламп CCFL | 2–6 |
| Димування | незалежне PWM та аналогове |
| Захист | обрив лампи та перенапруга; плавний пуск |
Мікросхема OZ9936GN , so-8
В наявності
68,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | O2Micro |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Напруга живлення VDDA | 4.5–5.5 В |
| Частота fOP | 30–150 кГц |
| Температура | 0…70 °C |
| Тепловий опір | 113 °C/Вт (SOIC-8) |
Мікросхема OZ964ISN ( OZ964SN ) , SSOP-20
В наявності
87,89 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | O2Micro |
| Корпус | SSOP-20 |
| Кількість виводів | 20 |
| Напруга живлення VDDA | 4.6–5.5 В |
| Частота fOP | 40–150 кГц |
| Опорна напруга Vref | 3.35 В (VDDA 5 В, 25 °C, 30 мкА) |
| Струм очікування | 200 мкА |
| Температура | −40…+85 °C |
Мікросхема OZ964GN , so-20
В наявності
104,34 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | O2Micro |
| Корпус | SO-20 |
| Живлення VDDA | 4.6–5.5 В |
| Робоча частота fOP | 40–150 кГц |
| Опорна напруга Vref | 3.35 В |
| Струм очікування | 200 мкА |
| Робоча температура | 0–70 °C |
| Tj max | 125 °C |
Мікросхема OZ964AGN , so-16
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | O2Micro |
| Корпус | SO-16 |
| Живлення VDDA | 4.6–5.5 В |
| Робоча частота fOP | 40–150 кГц |
| Опорна напруга Vref | 3.35 В |
| Робоча температура | 0–70 °C |
| Tj max | 125 °C |
Мікросхема OZ960SN ( OZ960S ) , SSOP-20
В наявності
91,18 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | O2Micro |
| Корпус | SSOP-20 |
| Вхідна напруга інвертора | 8–20 В |
| Живлення VDDA | 4,7–5,5 В |
| Опорна напруга Vref | 2,5 В |
| Робоча частота Fosc | 30–150 кГц |
| Вихідні драйвери | 4 шт |
| Діапазон димування | 10–100 % |
| Робоча температура | 0–70 °C |
| Tj max | 150 °C |
Мікросхема OZ960G ( OZ960GN ) , so-20
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | O2Micro |
| Вхідна напруга інвертора | 8–20 В |
| Живлення VDDA | 4,7–5,5 В |
| Робоча частота Fosc | 30–150 кГц |
| Діапазон димування | 10–100 % |
| Корпус | SO-20 |
| Робоча температура | 0–70 °C |
Демонтаж
IGBT-транзистор K75EES5 ( IKW75N65ES5 ) оригінал демонтаж б/в (заміна для K75EEL5 , IKW75N65EL5 , G75EH5 , IGW75N65H5 ), TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з діодом (TRENCHSTOP 5, RAPID 1) |
| Напруга Vces | 650 В при Tvj 25 °C |
| Номінальний струм Ic | 75 А |
| Vce(sat) | 1,42 В (тип.), 1,75 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 75 А, Tvj 25 °C |
| Vge(th) | 3,2–4,8 В (тип. 4,0 В) при Ic 0,75 мА, Vce = Vge |
| Заряд затвора Qg | 164 нКл при Vcc 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В |
| Потужність Ptot | 395 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0,38 К/Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема OPA2132UA , so-8
В наявності
264,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | SO-8 |
| Тип входу | FET (польовий транзистор) |
| Напруга живлення | ±2,5…±18 В |
| Макс. напруга V+ – V– | 36 В |
| GBW | 8 МГц (TA 25 °C, VS ±15 В, RL 2 кОм) |
| Швидкість наростання | ±20 В/мкс (TA 25 °C, VS ±15 В, RL 2 кОм) |
| Густина шуму | 8 нВ/√Гц (f 1 кГц) |
| Вхідний струм зміщення, макс. | 50 пА |
| Струм споживання на підсилювач | ±4 мА тип., ±4,8 мА макс. (IO = 0 мА, TA 25 °C, VS ±15 В, RL 2 кОм) |
| Кількість каналів | 2 (незалежні) |
Мікросхема OPA132UA , so-8
В наявності
268,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | SO-8 |
| Тип входу | FET (польовий транзистор) |
| Напруга живлення | ±2,5…±18 В |
| Макс. напруга V+ – V– | 36 В |
| GBW | 8 МГц (TA 25 °C, VS ±15 В, RL 2 кОм) |
| Швидкість наростання | ±20 В/мкс (TA 25 °C, VS ±15 В, RL 2 кОм) |
| Густина шуму | 8 нВ/√Гц (f 1 кГц) |
| Вхідний струм зміщення, макс. | 50 пА |
| Струм споживання на підсилювач | ±4 мА тип., ±4,8 мА макс. (IO = 0 мА, TA 25 °C, VS ±15 В, RL 2 кОм) |
| Кількість каналів | 1 |
Мікросхема OCP8155 , DIP8
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Orient Chip |
| Напруга Vds вбудованого MOSFET | 650 В |
| Rds(on) | 2,1 Ом |
| Макс. вихідна потужність | 18 Вт |
| Напруга живлення VCC | 8,0–17,5 В |
| Корпус | DIP8 |
| Робоча температура | від -40 до 85 °C |
Мікросхема OB3370CP ( OB3370NCP ) , so-8
В наявності
31,49 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright |
| Напруга живлення VDD | 4,5–5,5 В |
| Робоча частота | 300 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 92,5 % |
| Поріг OVP | 2,0 В |
| Корпус | SO-8 |
| Робоча температура | від -20 до 85 °C |
Мікросхема OB3363QP , sop-16
В наявності
175,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright |
| Корпус | SO-16 |
| Кількість каналів | 4 |
| Вхідна напруга Vin | 6–40 В |
| Vin абсолютний максимум | 60 В |
| Струм каналу | до 170 мА на канал |
| Частота перетворювача | 100–600 кГц |
| Вихід LDO | 10 В |
| Tj max | 150 °C |
Мікросхема OB3362VP , TSSOP28
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright |
| Корпус | TSSOP28 |
| Кількість каналів | 4 |
| Вхідна напруга | 6–30 В |
| Струм каналу | до 200 мА на канал |
| Частота перетворення | 100–600 кГц |
| Напруга LDO | 10 В |
| Tj max | 150 °C |
Мікросхема OB3362HP , HSOP-28
В наявності
89,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright |
| Корпус | HSOP28 |
| Кількість каналів | 4 |
| Вхідна напруга | 6–30 В |
| Струм каналу | до 200 мА на канал |
| Частота перетворення | 100–600 кГц |
| Напруга LDO | 10 В |
| Tj max | 150 °C |