Магазин
Мікросхема SE130N
В наявності
40,42 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Підсилювач помилки (Error Amplifier IC), серія SE |
| Виробник | Sanken |
| Напруга спрацювання VS | 130.2 ±0.8 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–земля VCGO | 150 В (макс.) |
| Струм колектора Ic | 20 мА (макс.) |
| Робоча температура | -20…+125 °C (корпус) |
| Кількість виводів | 3 |
Демонтаж
Мікросхема SE125N демонтаж
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Напруга виявлення Vs | 125.2 ± 0.8 В |
| Напруга колектор–земля VCGO | 150 В |
| Струм колектора Ic | 20 мА |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема SE120N
В наявності
45,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Підсилювач помилки (Error Amplifier IC), серія SE |
| Виробник | Sanken |
| Напруга спрацювання VS | 120.2 ±0.8 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–земля VCGO | 150 В (макс.) |
| Струм колектора Ic | 20 мА (макс.) |
| Робоча температура | -20…+125 °C (корпус) |
| Кількість виводів | 3 |
Мікросхема SE115N
В наявності
36,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга спрацювання Vs | 115.2 ± 0.8 В |
| Напруга колектор – земля VCGO | 150 В |
| Струм колектора Ic | 20 мА |
Мікросхема SE090N
В наявності
45,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга виявлення Vs | 90.0 ± 0.8 В |
| Напруга колектор–земля VCGO | 150 В |
| Струм колектора Ic | 20 мА |
Мікросхема SDC606 ( SDC606U ) , DIP8
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Напруга HV-транзистора | 700 В (VCB, абсолютний максимум) |
| Вихідна потужність | 12 Вт, піково 15 Вт (вхід 85–265 В AC) |
| Напруга живлення VCC | 4,5–11,0 В |
| Частота генератора | 61 кГц (Ta 25 °C, VCC=7,0 В) |
| Струм запуску | 15 мкА (макс. 50 мкА) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Виробник | Shaoxing Devechip Microelectronics (SDC) |
Мікросхема SD7402 , so-16
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOP-16 (SOP-16-225-1.27) |
| Кількість каналів | 3 |
| Напруга живлення VCC | 5 В |
| Напруга живлення VSS | -12 В |
| Робочий струм ICC | 3 мА (макс. 5 мА) |
| THD | 0,05 % (макс. 0,1 %) |
| Сигнал/шум | 85 дБ (мін. 80 дБ) |
| Робоча температура | -20…85 °C |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
Мікросхема SD6864, DIP8 ( SD6862 )
В наявності
46,53 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА, Tamb 25 °C) |
| Напруга затвор–витік VGS | ±30 В (абсолютний максимум) |
| Частота перемикання | 25–67 кГц |
| Струм запуску | 3 мкА |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
Мікросхема SD6834 , DIP8
В наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В |
| Напруга затвор–витік VGS | ±30 В |
| Макс. частота перемикання | 67 кГц |
| Мін. частота перемикання | 25 кГц |
| Поріг запуску VSTART | 15,5 В |
| Поріг зупинки VSTOP | 8,3 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % |
Мікросхема SD6832 , DIP8
В наявності
20,68 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В |
| Напруга затвор–витік VGS | ±30 В |
| Макс. частота перемикання | 67 кГц |
| Мін. частота перемикання | 25 кГц |
| Поріг запуску VSTART | 15,5 В |
| Поріг зупинки VSTOP | 8,3 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % |
Мікросхема SD6830 , DIP8
В наявності
38,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга ключа VOC | 700 В |
| Макс. імпульсний струм ключа IOC | 1 А |
| Макс. напруга живлення Vcc | 18 В |
| Рекомендована напруга Vcc | 5–12 В (тип. 6 В) |
| Частота генерації | 61 кГц |
| Робоча температура | -20…+85 °C |
Мікросхема SD4842P , DIP
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Корпус | DIP8 |
| BVDSS (VGS=0 В, ID=50 мкА) | 650 В |
| Id (Tamb=25 °C) | 2 А |
| Idm | 8 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=0.5 А) | 5.0 Ом (макс. 6.0) |
| EAS (L=51 мГн) | 68 мДж |
| Частота fOSC | 67 кГц |
| Vcc макс. | 21 В |
Мікросхема SD4841P оригінал ( Заміна для SW8603 , SW253G ), DIP8
В наявності
33,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Корпус | DIP8 |
| BVDSS (VGS=0 В, ID=50 мкА) | 650 В |
| Id (Tamb=25 °C) | 1.5 А |
| Idm | 6 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=0.5 А) | 8.0 Ом (макс. 9.6) |
| EAS (L=51 мГн) | 30 мДж |
| Частота fOSC | 67 кГц |
| Vcc макс. | 21 В |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SC1S311 ( 1S311 ) , smd
В наявності
100,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | SO-8 |
| Макс. напруга Vcc | 35 В |
| Напруга запуску Vcc(ON) | 15.1 В (typ) |
| Частота fOSC | 21.0 кГц (typ) |
| Макс. час відкритого стану | 40.0 мкс (typ) |
Демонтаж
Мікросхема SAA1293-02 демонтаж
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | 40 виводів, пластиковий |
| Пам'ять станцій | до 39 станцій |
| Клавіатура | до 32 клавіш прямого вибору |
| Аналогові виходи | 4 шт. |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема SA482P , DIP8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга Vds (пробій) | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА) |
| Струм стоку при 25 °C | 2,0 А |
| Струм стоку при 100 °C | 1,3 А |
| Rds(on) | 5,0 Ом (тип., VGS=10 В, ID=0,5 А) |
| Частота генератора | 67 кГц |
| Макс. шпаруватість | 77 % |
| Макс. напруга Vcc | 30 В |
Мікросхема SA482D , DIP8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairtek |
| Тип | ШІМ-контролер BiCMOS зі вбудованим MOSFET |
| Струм вбудованого MOSFET | 2 А (за описом у документі, без умов вимірювання) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема S8035BE ( STI8035BE ) , so-8
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hangzhou Sunto Semiconductor |
| Вихідна напруга (H_L=1) | 19 В (EN=1, H_L=1) |
| Вихідна напруга (H_L=0) | 14 В (EN=1, H_L=0) |
| Вихідний струм | 650 мА (за заголовком документа) |
| Напруга живлення Vin | 9–14 В (рекомендовані умови) |
| Обмеження струму виходу | 900 мА (макс.) |
| Частота BOOST | 1 МГц (EN=1) |
| ККД | 90 % (тип.) |
| Теплове відключення | 160 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
| Корпус (докладно) | eSOP8L, 8 виводів + тепловідвідна площадка |
Мікросхема RT8284N , so-8
В наявності
65,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Richtek |
| Вихідний струм | 2 А |
| Вхідна напруга (рекомендовані умови) | 4.5–23 В |
| Макс. напруга VIN (абсолютний максимум) | 25 В |
| Частота перетворення | 340 кГц (фіксована) |
| Опорна напруга VFB | 0.923 В (VIN 4.5–23 В, типове) |
| Вихідна напруга | 0.923–20 В |
| ККД | до 95 % |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема RT8059 ( RT8059GJ5 ) (BQ=xxx – маркування) , sot23-5
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Richtek |
| Призначення | 1,5 МГц, 1 А високоефективний ШІМ понижувальний DC/DC перетворювач |
| Вхідна напруга | 2,8–5,5 В |
| Вихідна напруга | від 0,6 до VIN В |
| Вихідний струм | 1 А |
| Частота перетворення | 1,5 МГц (фіксована, ШІМ) |
| ККД | до 95 % |
| Споживання в режимі вимкнення | менше 0,1 мкА (EN = низький рівень) |
| Робочий діапазон Tj | -40…125 °C |
| Корпус | SOT23-5 |
Мікросхема RM6222D , DIP
В наявності
17,39 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Reactor Microelectronics (Shaanxi Reactor) |
| Тип | AC-DC контролер ШІМ |
| Корпус | DIP8 |
| Кількість виводів | 8 |
Мікросхема RDA5807FP , smd
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Одночипний стереотюнер мовного FM-діапазону, low-IF, декодер MPX і RDS/RBDS |
| Діапазон частот | 50–108 МГц |
| Напруга живлення VDD | 2,7–3,3 В (тип. 3,0 В) |
| Споживаний струм | менше 20 мА (живлення 3,0 В, звичайний режим) |
| Крок каналів | 25 / 50 / 100 / 200 кГц |
| Інтерфейс керування | I2C (двопровідна шина), цифровий вихід I2S |
| Деемфазис | 50 / 75 мкс (програмований) |
| Робоча температура | −20…+75 °C (рекомендовані умови) |
| Корпус | SO-16 |
| Кількість виводів | 16 шт |
Мікросхема R2A20113 ( 20113 ) , so-8
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер PFC, режим критичної провідності |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | 24 В (абсолютний максимум) |
| Поріг вмикання UVLO | 12 В (Ta 25 °C, Vcc 12 В) |
| Поріг вимикання UVLO | 9,2 В (Ta 25 °C, Vcc 12 В) |
| Робочий струм Icc | 2,6 мА тип., макс. 4 мА (Ta 25 °C, Vcc 12 В) |
| Опорна напруга Vref | 5,00 В (Isource 0 мА, Ta 25 °C) |
| Піковий струм виходу OUT | 0,9 А (абсолютний максимум) |
| Температура переходу | від −40 до 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість виводів | 8 шт |
Мікросхема PT8211-S , smd
В наявності
22,09 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | 16-бітний двоканальний цифро-аналоговий перетворювач для цифрового аудіо |
| Розрядність | 16 біт |
| Кількість каналів | 2 шт (виходи LCH і RCH) |
| Формат входу | LSBJ (Japanese), доповнювальний код, старший біт першим |
| Сумісність | TDA1311 (за функціями) |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість виводів | 8 шт |
Мікросхема PT7954 smd
В наявності
173,43 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Кількість виводів | 28 |
| Призначення | Драйвер приводів: фокус, трекінг, санчата, завантаження |
| Корпус | smd |
Мікросхема PT4515 , D-PAK
В наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | PowTech (CR-PowTech) |
| Струм світлодіодів | <60 мА (мережа 220 В AC) |
| Точність струму | ±3 % |
| Тепловий опір перехід–середовище | 37 °C/Вт (TO252-2L, плата 2 Oz, 2 дюйм²) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Температура зберігання | -65…150 °C |
| Стійкість до ESD | 2 кВ |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Мікросхема PT4115 , sot89-5
В наявності
24,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вхідна напруга | 6–30 В |
| Вихідний струм | до 1,2 А |
| Точність струму | 5 % |
| ККД | до 97 % |
| Поріг вимкнення за DIM | 0,3 В |
| Робоча температура | -25…85 °C |
| Корпус | SOT89-5 |
Мікросхема PT2313L ( заміна для TM2313 , GS2313 , SG2313 ) , SOP-28
В наявності
50,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Чотириканальний цифровий аудіопроцесор |
| Інтерфейс керування | I2C |
| Входи | 3 стерео з вибірним підсиленням |
| Канали гучномовців | 4 |
| Крок гучності | 1,25 дБ |
| Корпус | SOP-28 |
| Кількість виводів | 28 |
| Виробник | PTC (Princeton Technology Corp) |
Мікросхема PT2262 , DIP
В наявності
37,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Кодер дистанційного керування |
| Технологія | CMOS |
| Корпус | DIP-18 |
| Адресні входи | до 12 трирівневих |
| Входи даних | до 6 |
| Напруга живлення Vcc | 4–15 В |
| Струм у режимі очікування | 0,1 мкА (тип.), 1 мкА (макс.) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Виробник | PTC (Princeton Technology Corp) |
Мікросхема PN8368 , so-7
В наявності
33,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | QR AC/DC-контролер з вбудованим MOSFET |
| Корпус | SOP-7 |
| Напруга пробою стоку BVDSS | 650 В (мін., ISW 250 мкА, TJ 25 °C) |
| Напруга живлення VDD | 10–30 В |
| Максимум VDD | 40 В |
| Типова потужність | 8 Вт (вхід 85–265 В AC) |
| Поріг обмеження струму CS | 500 мВ (типово) |
| Споживання в режимі очікування | <30 мВт (230 В AC) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Виробник | Chipown (Wuxi Chipown Micro-electronics) |
Мікросхема PN8366 , so-7
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipown |
| Корпус | SOP-7 |
| Напруга вбудованого MOSFET | 650 В |
| Типова потужність | 6 Вт (85–265 В AC, SOP-7) |
| Споживання без навантаження | <30 мВт (230 В AC) |
| Точність CC/CV | ±5 % |
Мікросхема PN8360 , so-7
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipown |
| Корпус | SOP-7 |
| Пробивна напруга ключа BVDSS | 650 В (мінімум, Isw = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Rds(on) ключа | 2,5 Ом (типово, Isw = 1 А, Tj 25 °C) |
| Робоча напруга VDD | 8–25 В |
| Поріг обмеження струму | 500 мВ |
| Точність стабілізації струму (CC) | ±5 % |
| Типова потужність | 12 Вт (85–265 В AC, SOP-7) |
| Температура переходу | -40…150 °C |