Магазин
Мікросхема TDA2579
В наявності
189,41 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP-18 (SOT102), 18 виводів |
| Напруга живлення (вивід 10) | 12 В (типове) |
| Напруга живлення, макс. | 13.2 В |
| Струм старту, макс. | 9.7 мА (Tamb = 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 1.2 Вт |
| Робоча температура | -25…+70 °C |
| Температура зберігання | -55…+150 °C |
| Тепловий опір кристал–повітря | 50 К/Вт |
Демонтаж
Мікросхема TDA2545A б/в
В наявності
63,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DIP16 |
| Напруга живлення | 12 В (10.8–13.2 В) |
| Напруга живлення, максимум | 13.2 В |
| Струм споживання | 45 мА (VP = 12 В, Tamb = 25 °C) |
| Робоча температура | 0…70 °C |
| Температура зберігання | -25…150 °C |
| Діапазон регулювання підсилення ПЧ | 64 дБ |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA2460-2 ( TDA2461 , TDA2461-C1 )
В наявності
127,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Siemens |
| Корпус | DIP-20 |
| Напруга живлення (робоча) | 10.5–15.75 В |
| Напруга живлення, максимум | 16 В |
| Діапазон частот AM | 15–45 МГц |
| Діапазон частот FM | 0.1–12 МГц |
| Робоча температура | 0…70 °C |
| Температура переходу, максимум | 150 °C |
| Температура зберігання | -55…125 °C |
| Тепловий опір (система–повітря) | 58 К/Вт |
Мікросхема TDA2050 ( TDA2050A , TDA2050V , TDA2050L )
В наявності
30,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Hi-Fi підсилювач НЧ класу AB (моно) |
| Корпус | Pentawatt, 5 виводів |
| Напруга живлення Vs | ±4,5…±25 В (Tamb 25 °C) |
| Потужність RMS, 4 Ом | 28 Вт (тип.), 24 Вт (мін.), Vs = ±18 В, d = 0,5 %, f = 1 кГц |
| Потужність RMS, 8 Ом | 18 Вт (тип.), Vs = ±18 В, d = 0,5 %, f = 1 кГц |
| Нелінійні спотворення | 0,03 % (тип.), RL = 4 Ом, f = 1 кГц, Vs = ±18 В |
| Коефіцієнт підсилення | 30,5 дБ (f = 1 кГц) |
| Піковий вихідний струм | 5 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 25 Вт (Tcase = 75 °C) |
| Температура переходу та зберігання | -40…150 °C |
Мікросхема TDA2030A ( D2030A , TDA2030L )
В наявності
30,08 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | підсилювач НЧ класу AB (моно) |
| Корпус | Pentawatt, 5 виводів |
| Напруга живлення Vs | ±6…±22 В (Tamb 25 °C) |
| Потужність, 4 Ом | 18 Вт (тип.), 15 Вт (мін.), Vs = ±16 В, d = 0,5 % |
| Потужність, 8 Ом | 12 Вт (тип.), 10 Вт (мін.), Vs = ±16 В, d = 0,5 % |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ (f = 1 кГц) |
| Струм спокою | 50 мА (тип.), 80 мА (макс.), Vs = ±16 В |
| Піковий вихідний струм | 3,5 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 20 Вт (Tcase = 90 °C) |
| Температура переходу та зберігання | -40…+150 °C |
Мікросхема TDA2009A оригінал
В наявності
72,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | стерео підсилювач НЧ класу AB |
| Корпус | Multiwatt11 |
| Напруга живлення Vs | 8…28 В (Tamb 25 °C) |
| Потужність на канал, 4 Ом | 12,5 Вт (тип.), Vs = 24 В, f = 1 кГц, d = 1 % |
| Потужність на канал, 8 Ом | 7 Вт (тип.), Vs = 24 В, f = 1 кГц, d = 1 % |
| Коефіцієнт підсилення | 36 дБ (f = 1 кГц, Vs = 24 В) |
| Струм спокою | 60 мА (тип.), 120 мА (макс.), Vs = 24 В |
| Розсіювана потужність Ptot | 20 Вт (Tcase = 90 °C) |
| Температура переходу та зберігання | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA2007 ( TDA2007A ) демонтаж
В наявності
44,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | стереопідсилювач потужності НЧ |
| Корпус | 9-SIP |
| Напруга живлення | 8–26 В (Tamb = 25 °C) |
| Напруга живлення, максимум | 28 В |
| Вихідна потужність (кожен канал) | 6 Вт (Vs = 18 В, RL = 4 Ом, d = 0.5 %, f = 100 Гц–6 кГц, тип.) |
| Струм спокою | 50 мА (Vs = 18 В, тип.) |
| Коефіцієнт підсилення | 36 дБ (f = 1 кГц, Vs = 18 В) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA2004R ( TDA2004 ) оригінал
В наявності
62,98 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Multiwatt11 |
| Живлення робоче | 8–18 В (VS = 14.4 В) |
| Потужність на канал | 6.5 Вт (RL = 4 Ом), 10 Вт (RL = 2 Ом) |
| Струм спокою | 65 мА (тип.) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA2003 ( TDA2003A , TDA2003V , CV203 )
В наявності
30,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | підсилювач потужності НЧ |
| Корпус | Pentawatt, 5 виводів |
| Напруга живлення | 8–18 В (Vs = 14.4 В, Tamb = 25 °C) |
| Напруга живлення DC, максимум | 28 В |
| Вихідна потужність, 4 Ом | 6 Вт (Vs = 14.4 В, d = 10 %, f = 1 кГц, тип.) |
| Вихідна потужність, 2 Ом | 10 Вт (Vs = 14.4 В, d = 10 %, f = 1 кГц, тип.) |
| Струм спокою | 44 мА (Vs = 14.4 В, тип.) |
| Коефіцієнт підсилення | 40 дБ (f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
Мікросхема TDA1904
В наявності
52,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | підсилювач потужності НЧ |
| Корпус | Powerdip (8+8), 16 виводів |
| Напруга живлення | 4–20 В |
| Напруга живлення, максимум | 20 В |
| Вихідна потужність | 4.5 Вт (Vs = 14 В, RL = 4 Ом, d = 10 %, f = 1 кГц, тип.) |
| Струм спокою | 8 мА (Vs = 9 В, тип.) |
| Коефіцієнт підсилення | 40 дБ (Vs = 14 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц, Po = 1 Вт) |
Мікросхема TDA16846P ( TDA16846-2 P )
В наявності
54,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер імпульсного БЖ з PFC |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | DIP14 |
| VCC, гранична | 17 В (макс., вивід 14) |
| Поріг вимкнення VCC | 15 В (типово, Tj –25…125 °C) |
| Поріг перенапруги VCC | 16,5 В (типово, Tj –25…125 °C) |
| Опорна напруга | 5 В (вивід 9, REF) |
| Струм виводу 13 | 110 мА (макс. при V13 > VCC) |
Діодний міст GBU1510 ( Заміна для GBU15M , GBU15K , GBU1508 , GBU10K ) (1000V,15A)
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vrrm / Vdc | 1000 В |
| If(av) | 15 А (з радіатором, Tc = +100 °C) / 3,2 А (без радіатора, Tc = +100 °C) |
| Ifsm | 200 А (8,3 мс) |
| Vf | 1,1 В (If = 7,5 А) |
| Ir | 5 мкА |
| Робоча температура переходу | -55…+150 °C |
| Корпус | GBU |
Мікросхема TDA1554Q
В наявності
210,56 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | клас-B підсилювач потужності НЧ, автомобільний |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DBS17P |
| Напруга живлення, робоча | 6,0–18,0 В (типово 14,4 В) |
| Напруга живлення, неробоча | 30 В (макс.) |
| Load dump | 45 В (макс., 50 мс, tr ≥ 2,5 мс) |
| Потужність, міст | 22 Вт (THD = 10 %, RL = 4 Ом, VP = 14,4 В, f = 1 кГц) |
| Потужність, несиметричний вихід | 11 Вт (THD = 10 %, RL = 2 Ом, VP = 14,4 В, f = 1 кГц) |
| Пік. вихідний струм | 4 А |
| Температура переходу | 150 °C (макс.) |
Мікросхема TDA1521A
В наявності
83,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | двоканальний підсилювач потужності НЧ Hi-Fi |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Напруга живлення, робоча | ±7,5–±20 В (типово ±12 В) |
| Напруга живлення, гранична | ±21 В |
| Потужність на канал | 6 Вт (THD = 0,5 %, RL = 8 Ом, VP = ±12 В, f = 1 кГц) |
| Підсилення | 30 дБ (29–31 дБ) |
| Вхідний опір | 20 кОм (типово) |
| Пік. вихідний струм | 2,2 А |
| Температура переходу | 150 °C (макс.) |
Мікросхема TDA1519B
В наявності
143,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | Автомобільний підсилювач НЧ, клас B |
| Напруга живлення робоча | 6,0–18,0 В |
| Вихідна потужність стерео (THD=10 %, 4 Ом) | 6 Вт на канал |
| Вихідна потужність BTL (THD=10 %, 8 Ом) | 12 Вт |
| Підсилення | 40 дБ |
| Струм спокою (тип., VP=14,4 В) | 40 мА |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
Мікросхема TDA1518BQ оригінал
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | Автомобільний підсилювач НЧ, клас B |
| Напруга живлення робоча | 6,0–18,0 В |
| Вихідна потужність стерео (THD=10 %, 4 Ом) | 6 Вт на канал |
| Вихідна потужність BTL (THD=10 %, 4 Ом) | 22 Вт |
| Підсилення | 40 дБ |
| Струм спокою (тип., VP=14,4 В) | 30 мА |
| Корпус | DBS13P (SOT141-6) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA1517P оригінал ( заміна для CD1517CP , YD1517P , SA7454 ), DIP18
В наявності
102,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | Стерео підсилювач НЧ, клас B |
| Напруга живлення Vp | 6,0–18,0 В |
| Вихідна потужність на канал (THD=10 %, 4 Ом, Vp=14,4 В) | 6 Вт |
| Підсилення | 20 дБ |
| Струм спокою (тип., Vp=14,4 В) | 40 мА |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Корпус | DIP18 (HDIP18, SOT398-1) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA1013B демонтаж
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Напруга живлення Vp | 10–40 В (тип. 18 В) |
| Вихідна потужність Po | 4,2 Вт (тип., THD=10 %, RL=8 Ом) |
| THD | 0,15 % (тип., Po=2,5 Вт, RL=8 Ом) |
| Струм спокою Itot | 25 мА (тип., Vp=18 В) |
| Діапазон регулювання підсилення | 80 дБ (мін.) |
| Чутливість Vi | 55 мВ (тип., Po=2,5 Вт) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA1013B
В наявності
59,69 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Напруга живлення Vp | 10–40 В (тип. 18 В) |
| Вихідна потужність Po | 4,2 Вт (тип., THD=10 %, RL=8 Ом) |
| THD | 0,15 % (тип., Po=2,5 Вт, RL=8 Ом) |
| Струм спокою Itot | 25 мА (тип., Vp=18 В) |
| Діапазон регулювання підсилення | 80 дБ (мін.) |
| Чутливість Vi | 55 мВ (тип., Po=2,5 Вт) |
Мікросхема TD1583 , so-8
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Techcode |
| Корпус | SO-8 |
| Вхідна напруга Vin | 3,6–28 В |
| Вихідний струм | 3 А |
| Вихідна напруга | 1,222–26 В |
| RDS(on) | 80 мОм при VIN=12 В, VFB=0 В, ISW=0,1 А |
| Частота перетворення | 380 кГц |
| Опорна напруга VFB | 1,222 В |
| Температура переходу Tj | -40…125 °C |
Мікросхема TD1410 ( TD1410C ) , so-8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Понижувальний DC/DC перетворювач (buck) |
| Виробник | Techcode |
| Вхідна напруга Vin | 3,6–20 В |
| Вихідна напруга | 1,222–18 В |
| Вихідний струм | 2 А |
| RDS(on) (VIN = 12 В, ISW = 0,1 А) | 140 мОм |
| Частота перетворення | 380 кГц (тип.) |
| Tj | -40…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема TC4420 , DIP8 ( TC4420EPA , TC4420CPA , MAX4420 )
В наявності
118,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | 6 А (піковий струм) одноканальний драйвер MOSFET, неінвертуючий |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення VDD | 4,5–18 В |
| Піковий вихідний струм | 6 А при VDD = 18 В |
| Час наростання / спаду | 25 нс (тип.) при CL = 2500 пФ, TA = +25 °C |
| Затримка розповсюдження | 55 нс (тип.) при TA = +25 °C |
Мікросхема CT3582 ( TC3582DA , TC3582B , HT3582DA , TC3582CA , DH3582 ) , DIP8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Контролер заряду акумулятора з індикацією |
| Виробник | HotChip Tech |
| Вхідна напруга VDD | 5–10 В |
| Напруга закінчення заряду | 4,25 В (тип.) |
| Струм заряду (VDD = 6 В) | 200 мА тип. / 300 мА макс. |
| Поріг виявлення КЗ (VDD = 6 В) | 1,5 В (тип.) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема TB2926CHQ оригінал ( заміна для TB2926HQ , TB2926AHQ )
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 4-канальний BTL аудіопідсилювач |
| Виробник | Toshiba |
| Макс. вихідна потужність (Vcc = 15,2 В, Rн = 4 Ом) | 49 Вт |
| Робоча напруга Vcc | 8,0–18 В |
| Макс. напруга Vcc (DC, Ta = 25 °C) | 25 В |
| Вихідний струм (пік, Ta = 25 °C) | 9 А |
| Корпус | HZIP25, 25 виводів |
| Може замінити | TB2926HQ, TB2926AHQ |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TB1251CN
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Призначення | PAL/NTSC/SECAM 1-chip IF + VCD процесор |
| Живлення 5 В (виводи 1 і 42) | 4,75 / 5 / 5,25 В |
| Живлення 9 В (виводи 14 і 31) | 8,55 / 9 / 9,45 В |
| Цифрова напруга VDD (вивід 37) | 3,1 / 3,3 / 3,5 В |
| Макс. напруга лінії 9 В (Ta = 25 °C) | 12 В |
| Макс. напруга лінії 5 В (Ta = 25 °C) | 8 В |
| Pd max (Ta = 25 °C, на платі) | 1980 мВт |
| Робоча температура | -20…65 °C |
| Корпус | SDIP56-P-600-1.78 |
| Кількість виводів | 56 |
Мікросхема TB1240AN оригінал
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Призначення | PAL/NTSC 1-chip IF + VCD процесор |
| Напруга живлення IF Vcc (вивід 3) | 9 В |
| Корпус | SDIP56-P-600-1.78 |
| Кількість виводів | 56 |
| Інтерфейс керування | I2C (дві лінії) |
| Системи кольору | 3,58 МГц / 4,43 МГц / M-PAL / N-PAL |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TB1238AN оригінал ( TB1238BN , TB1231CN ) демонтаж
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | SDIP56-P-600-1.78 |
| Кількість виводів | 56 |
| Інтерфейс керування | I²C |
| Живлення аналогових блоків | 9 В (8,5–9,5 В) |
| Живлення цифрового блока Y/C | 5 В (4,5–5,5 В) |
| Розсіювана потужність | 1980 мВт при Ta 25 °C |
| Робоча температура | -20…65 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TB1238AN оригінал ( TB1238BN , TB1231CN )
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | SDIP56-P-600-1.78 |
| Кількість виводів | 56 |
| Інтерфейс керування | I²C |
| Живлення аналогових блоків | 9 В (8,5–9,5 В) |
| Живлення цифрового блока Y/C | 5 В (4,5–5,5 В) |
| Розсіювана потужність | 1980 мВт при Ta 25 °C |
| Робоча температура | -20…65 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TA8859AP
В наявності
105,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | DIP16 |
| Кількість виводів | 16 |
| Інтерфейс керування | I²C |
| Напруга живлення Vcc | 12 В (10,8–13,2 В) |
| Напруга живлення, максимум | 15 В (Ta 25 °C, Vcc 12 В) |
| Струм споживання | 30 мА (20–45 мА) при Vcc 12 В, Ta 25 °C |
| Розсіювана потужність | 1,4 Вт при Ta 25 °C |
| Робоча температура | -20…65 °C |
Демонтаж
Мікросхема TA8759BN оригінал демонтаж
В наявності
90,24 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | відео, chroma та синхро-процесор PAL/NTSC/SECAM |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | S-DIP, 64 виводи |
| Кількість виводів | 64 |
| Напруга Vcc | 12 В (10,8–13,2 В) |
| Напруга H.Vcc | 9 В (8,1–9,9 В) |
| Напруга живлення, макс. | 15 В (Ta 25 °C) |
| Загальний струм по Vcc | 90 мА (63–135 мА) |
| Розсіювана потужність | 2660 мВт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -20…65 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема TA8750AN оригінал демонтаж
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | SECAM-процесор сигналу кольоровості |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | SDIP36-P-500-1.78 |
| Кількість виводів | 36 |
| Напруга живлення | 9 В (Ta 25 °C) |
| Напруга живлення, макс. | 13 В (Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 1600 мВт (Ta 25 °C) |
| Вхідний сигнал, макс. | 5 В (розмах, Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -20…65 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема TA8690AN оригінал , демонтаж
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | процесор сигналу кольорового ТБ PAL/NTSC |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | SDIP54-P-600-1.78 |
| Кількість виводів | 54 |
| Напруга живлення, рекомендована | 9.0 В (мін. 8.5, макс. 9.5) |
| Напруга живлення, макс. | 15 В (Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 1923 мВт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -20…65 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TA8659AN ( IX0969CE , TA8653N )
В наявності
90,24 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Призначення | відео, кольоровість і розгортка для NTSC/PAL/SECAM з інтерфейсом телетексту |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 15.0 В при Ta 25 °C |
| Розсіювана потужність Pd | 2.2 Вт при Ta 25 °C; вище 25 °C зменшувати на 17.6 мВт/°C |
| Робоча температура | -20…65 °C |
| Кількість виводів | 64 |
| Корпус | S-DIP, 64 виводи |
Мікросхема TA8445K
В наявності
52,64 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Призначення | підсилювач потужності кадрової розгортки кольорового ТБ |
| Вихідний струм відхилення, макс. | 2.2 А (розмах) |
| Напруга живлення драйвера, макс. | 15 В при Ta 25 °C |
| Напруга живлення помпи, макс. | 30 В при Ta 25 °C |
| Напруга живлення вихідного каскаду, макс. | 60 В при Ta 25 °C |
| Рекомендована напруга драйвера | 9.0 В (мін. 8.1, макс. 9.9) |
| Рекомендована напруга помпи | 24 В типово (макс. 29) |
| Розсіювана потужність Pd, макс. | 12.5 Вт з нескінченним тепловідводом, Ta 25 °C |
| Робоча температура | -20…85 °C |
| Корпус | Shrink DIP, 12 виводів |
Мікросхема TA8428K
В наявності
99,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Призначення | повний міст (H-міст) для керування щітковим двигуном постійного струму |
| Робоча напруга Vcc | 7.0–27.0 В |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 30 В при Ta 25 °C |
| Вихідний струм, середній (тип K) | 1.5 А |
| Вихідний струм, піковий (тип K) | 3.0 А при t = 100 мс |
| Розсіювана потужність Pd (тип K) | 10.0 Вт при Tc 85 °C |
| Pd (тип K) без радіатора | 1.25 Вт при Ta 25 °C |
| Робоча температура | -30…85 °C |
| Корпус | HSIP7-P-2.54, 7 виводів |
Мікросхема TA8403K оригінал ( CD8403CS )
В наявності
57,34 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | Підсилювач кадрової розгортки |
| Кількість виводів | 7 |
| Vcc (рекомендована) | 24 В |
| Vcc (макс.) | 30 В |
| Pd | 15 Вт |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TA8275HQ
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | 4-канальний BTL підсилювач потужності |
| Корпус | HZIP25, 25 виводів |
| Pout (THD 10 %) | 24 Вт (тип.), Vcc 14,4 В, f 1 кГц, RL 4 Ом |
| Робоча напруга Vcc | 9–18 В |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ |
Демонтаж
Мікросхема TA8256BH ( TA8256H , TA8256AH ) демонтаж
В наявності
70,03 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | Трьохканальний підсилювач потужності НЧ |
| Корпус | HZIP12 |
| Pout (THD 10 %) | 6 Вт/канал (тип.), Vcc 20 В, f 1 кГц, RL 8 Ом |
| Напруга живлення | 10–30 В |
| Коефіцієнт підсилення | 34 дБ |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор RU6099R ( RU6099 , RU6099R3 ) оригінал , TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік Vdss | 60 В |
| Тривалий струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C, радіатор); 90 А за Tc 100 °C |
| Rds(on) за Vgs 10 В, Ids 40 А | 6.0 мОм тип. / 7.0 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 мін. / 3 тип. / 4 макс. В |
| Заряд затвора Qg | 72 тип. / 105 макс. нКл |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C); 150 Вт за Tc 100 °C |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Пряма напруга діода Vsd | 0.83 тип. / 1.1 макс. В (Isd 20 А) |
| Час відновлення діода trr | 50 нс (Isd 40 А) |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Корпус (докладно) | TO-220 (TO-220FB-3L) |
| Стан | Оригінал |