Мікросхеми
Демонтаж
Мікросхема BTS650P оригінал демонтаж, TO263-7
В наявності
120,79 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Робоча напруга Vbb(on) | 5–34 В (VIN = 0) |
| Захист від перенапруги Vbb(AZ) | 62 В |
| RON (Tj 25 °C, IL = 20 А, Vbb = 12 В) | 6,0 мОм макс. |
| Струм навантаження IL(ISO) | 70 А (Tc 85 °C) |
| Обмеження струму КЗ IL(SC) | 130 А |
| Розсіювана потужність | 170 Вт (TC ≤ 25 °C) |
| Температура переходу | –40…150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема CA3130EZ (DIP8)
В наявності
96,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas (Intersil) |
| Тип | Операційний підсилювач, BiMOS, вхід MOSFET / вихід CMOS |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення | 5–16 В (±2,5…±8 В при двополярному) |
| Макс. напруга живлення V+ – V- | 16 В |
| Частота одиничного підсилення fT | 15 МГц (Cc = 0, V+ = 15 В, TA = 25 °C) |
| Швидкість наростання | 30 В/мкс (Cc = 0, V+ = 15 В, TA = 25 °C) |
| Вхідний опір | 1,5 ТОм (тип., V+ = 15 В, TA = 25 °C) |
| Вхідний струм | 5 пА (тип., VS = 7,5 В, V+ = 15 В, TA = 25 °C) |
| Температура кристала (макс.) | 150 °C |
Мікросхема CA3140EZ ( CA3140E , CA3140AE ) , DIP8
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas (Intersil) |
| Тип | Операційний підсилювач, BiMOS, вхід MOSFET / біполярний вихід |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення | 4–36 В (±2…±18 В при двополярному) |
| Макс. напруга живлення V+ – V- | 36 В |
| Частота одиничного підсилення fT | 4,5 МГц (тип., VSUPPLY = 15 В, TA = 25 °C) |
| Швидкість наростання | 9 В/мкс (тип., VSUPPLY = 15 В, TA = 25 °C) |
| Вхідний опір | 1,5 ТОм (тип., VSUPPLY = 15 В, TA = 25 °C) |
| Струм споживання I+ | 4 мА тип., 6 мА макс. (VSUPPLY = 15 В, TA = 25 °C) |
| Температура кристала (макс.) | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | -55…125 °C |
Мікросхема CC2420
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments (Chipcon) |
| Стандарт | IEEE 802.15.4 / ZigBee, 2,4 ГГц |
| Живлення (VREG_IN) | 2,1–3,6 В |
| Живлення із зовнішнім регулятором | 1,6–2,0 В |
| Струм RX | 18,8 мА |
| Струм TX | 17,4 мА |
| Чутливість (типова) | -95 дБм |
| Вихідна потужність (номінальна) | 0 дБм |
| Швидкість даних | 250 кбіт/с |
| Температура | -40…85 °C |
| Інтерфейс | SPI |
| Корпус | QLP-48, 7×7 мм |
Мікросхема CD1353CP ( KA2102 )
В наявності
38,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAJING |
| Корпус | DIP14 |
| Живлення вихідного каскаду | 9–18 В |
| Макс. напруга VCC | 20 В (абс. максимум, Tamb 25 °C) |
| Вихідна потужність при 18 В | 2,4 Вт тип., 2,0 Вт мін. (RL = 8 Ом, THD = 10 %, RB = 330 Ом) |
| Вихідна потужність при 12 В | 1,2 Вт тип., 0,9 Вт мін. (RL = 8 Ом, THD = 10 %) |
| Підсилення НЧ | 37 дБ (33–41 дБ) при VI = 30 мВ, VCC = 12 В |
| Струм споживання | 19 мА (14–24 мА) при VCC = 12 В, без сигналу |
| Робоча температура | -20…75 °C |
Мікросхема CD4046BE , DIP
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | CMOS мікропотужна ФАПЧ (PLL) |
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP16 |
| Частота ГКН до | 1,4 МГц (типово, VDD = 10 В) |
| Споживана потужність | 70 мкВт (типово, fo = 10 кГц) |
| Лінійність ГКН | <1 % (типово) |
| Вбудований стабілітрон | 5,2 В |
| Фазові компаратори | 2 |
Мікросхема CD4049BE ( CD4049BD , CD4049UBE , CD4049BP ) , DIP16
В наявності
21,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | шестиканальний інвертуючий CMOS буфер |
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP16 |
| Напруга живлення | 3–18 В (рекомендована) |
| VCC–VSS максимум | 20 В |
| Температура | –55…125 °C |
| Tj максимум | 150 °C |
| IOL | 3,3 мА (VCC = 5 В, VOL ≤ 0,4 В) |
Мікросхема CD4051BE ( HCF4051BE ) , DIP16
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Аналоговий мультиплексор/демультиплексор, 1 з 8 |
| Корпус | DIP16 |
| Однополярне живлення | 3–20 В (нижче 3 В параметри погіршуються) |
| Двополярне живлення | ±3…±10 В |
| Макс. напруга живлення | 20 В (V+ відносно V-) |
| Ron (тип.) | 125 Ом при VDD = 15 В, 25 °C; 180 Ом при VDD = 10 В; 470 Ом при VDD = 5 В |
| Струм витоку каналу (тип.) | ±10 пА при VDD = 15 В |
| Аналоговий сигнал | 20 В (розмах) |
| Споживана потужність у спокої (тип.) | 0,2 мкВт |
| Захист ESD | HBM 3000 В / CDM 2000 В |
| Робочий діапазон температур | -55…125 °C |
Мікросхема CD4052BE ( MC14052BCP , CD4052BCN , HCF4052BE )
В наявності
11,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Аналоговий мультиплексор/демультиплексор, CMOS |
| Канали | 2 канали по 4 входи |
| Напруга живлення (одне джерело) | 3–20 В |
| Напруга живлення (двополярне) | ±3…±10 В |
| Опір відкритого каналу | 125 Ом (типове, VDD = 15 В) |
| Струм витоку каналу | ±10 пА (типове, VDD = 15 В) |
| Діапазон температур | -55…125 °C (free-air) |
| Корпус | DIP16 |
| Кількість виводів | 16 |
Мікросхема CD7388CZ оригінал (заміна для CD7388LCZ )
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Кількість каналів | 4 (BTL) |
| Вихідна потужність на канал, максимум | 41 Вт (типове, Vcc 14.4 В, f 1 кГц, RL 4 Ом, Tamb 25 °C) |
| Вихідна потужність на канал | 26 Вт (типове, THD 10%, Vcc 14.4 В, RL 4 Ом) |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ (BTL, Vcc 14.4 В, f 1 кГц) |
| Струм спокою | 190 мА (типове, без навантаження, Vcc 14.4 В) |
| Напруга живлення, максимум | 18 В (Tamb 25 °C) |
| Корпус | FZIP25 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема CD7522CS демонтаж, SIP-12
В наявності
54,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi China Resources Semico |
| Вихідна потужність | 3,0 Вт (мін. 2,4 Вт) при THD 10 %, VCC 8 В, RL 8 Ом, f 1 кГц |
| Напруга живлення | 3,5–13,5 В |
| Макс. напруга живлення | 14 В (Tamb 25 °C, Vin = 0) |
| Коефіцієнт підсилення | 33 дБ (PO 0,5 Вт, VCC 8 В, RL 8 Ом, f 1 кГц) |
| Потужність розсіювання | 1,92 Вт (Tamb 25 °C) |
| Корпус | SIP-12 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема CHL8510CRT оригінал, DFN10
В наявності
86,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Драйвер верхнього та нижнього N-канальних MOSFET |
| Напруга живлення драйверів | 4.5–13.2 В |
| Рекомендована напруга Vcc | 12 ±10 % |
| Струм нижнього драйвера (джерело / сток) | 4 / 6 А |
| Струм верхнього драйвера (джерело / сток) | 3 / 4 А |
| Частота перемикання | 200–1000 кГц |
| Температура середовища | 0–85 °C |
| Корпус | DFN-10 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема CM501 , QFN48
В наявності
78,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Richtek |
| Корпус | QFN48 (WQFN-48L 7×7 мм) |
| Тип | Мікросхема живлення TFT-LCD панелі |
| Вхідна напруга | 8–14 В |
| Частота перемикання | 500 / 750 кГц (тип., вибір FSEL) |
| Boost: вбудований ключ | 20 В, 100 мОм (тип.) |
| Buck: вбудований ключ | 16.5 В, 3.2 А, 0.15 Ом |
| Buck: вихідна напруга | 1.8–3.3 В |
| VGH / VGL: вихідний струм | 50 мА |
| Потужність розсіювання | 2.941 Вт (TA 25 °C) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Маркування | CMO / CM501 |
Демонтаж
Мікросхема CM6800AG ( CM6800G , CM6800UX , CM6800 ) демонтаж, smd 16pin широкий корпус
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема, контролер PFC/PWM |
| Виробник | Champion Microelectronic |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Корпус (докладно) | SOP-16 (широкий) |
| Кількість виводів | 16 |
| Напруга живлення Vcc | 10–18 В (мін. 10, тип. 15, макс. 18) |
| Vcc, абсолютний максимум | 20 В |
| Опорна напруга Vref | 7.5 В |
| Частота PWM, макс. | 250 кГц |
| Піковий струм виходу PWM OUT | 1 А (абсолютний максимум) |
| Струм старту | 100 мкА (тип., Vcc 12 В, CL 0, кімнатна температура) |
| Робочий струм | 3.0 мА (тип., Vcc 14 В, CL 0) |
| Діапазон робочих температур | -40…125 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема CM6800G оригінал, DIP16
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема, контролер PFC/PWM |
| Виробник | Champion Microelectronic |
| Корпус | DIP16 |
| Корпус (докладно) | DIP16 (PDIP-16) |
| Кількість виводів | 16 |
| Напруга живлення Vcc | 10–18 В (мін. 10, тип. 15, макс. 18) |
| Vcc, абсолютний максимум | 20 В |
| Опорна напруга Vref | 7.5 В |
| Частота PWM, макс. | 250 кГц |
| Піковий струм виходу PWM OUT | 1 А (абсолютний максимум) |
| Струм старту | 100 мкА (тип., Vcc 12 В, CL 0, кімнатна температура) |
| Робочий струм | 3.0 мА (тип., Vcc 14 В, CL 0) |
| Діапазон робочих температур | -40…125 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема CM6800UX , sop-16 вузький корпус
В наявності
197,87 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Champion Microelectronic |
| Призначення | Контролер PFC і PWM в одному корпусі, з малим пусковим струмом |
| Макс. напруга живлення VCC | 20 В (абсолютний максимум) |
| Опорна напруга підсилювача помилки | 2,5 В (мін. 2,45, макс. 2,55) |
| Пусковий струм | 100 мкА при VCC = 12 В, CL = 0 (тип.) |
| Робочий струм | 3,0 мА при VCC = 14 В, CL = 0 (тип.) |
| Частота секції PWM | до 250 кГц |
| Піковий струм виходу PWM OUT | 1 А (абсолютний максимум) |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема CM6800UX оригінал, DIP16
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | контролер PFC/PWM |
| Виробник | Champion Microelectronic |
| Корпус | DIP16 |
| Напруга VCC | 10…18 В |
| Макс. напруга VCC | 20 В |
| Макс. частота ШІМ | 250 кГц |
| Опорна напруга VREF | 7,5 В |
| Струм драйвера затвора | 1 А (пік) |
| Обмеження заповнення ШІМ | 50 % |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема CM6802TAHX ( CM6802 ) , DIP16
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | контролер PFC + ШІМ |
| Струм запуску | 30 мкА (тип.) |
| Робочий струм | 3.0 мА (тип.) |
| Макс. частота ШІМ | 250 кГц |
| Струм драйвера затвора | 0.5 А |
| Поріг VCC OVP | 19.4 В |
| Корпус | DIP16 |
Мікросхема CM6805BG оригінал, sop10
В наявності
247,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема, контролер PFC/PWM |
| Виробник | Champion Microelectronic |
| Корпус | SSOP-10 (R10) |
| Кількість виводів | 10 |
| Частота PFC і PWM | 95 кГц (CM6805B: мін. 85, тип. 95, макс. 106 при 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення PWM | 50 % |
| Струм старту | 100 мкА (тип.) |
| Робочий струм | 2 мА (тип.) |
| Діапазон робочих температур | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема CM8600A ( CM8600C ) , so-8
В наявності
50,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Підсилювач потужності звуку 3 Вт |
| Напруга живлення Vdd | 2.2–5.5 В |
| Vdd, абсолютний максимум | 6.0 В |
| Вихідна потужність на 8 Ом | 1.25 Вт (тип., Vdd 5 В, THD+N 1 %, f 1 кГц) |
| Струм у режимі вимкнення | 0.1 мкА (тип.) |
| Діапазон робочих температур | -40…85 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Виробник | ccmic |
Мікросхема CQ0765RT ( CQ0565RT )
В наявності
67,21 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Drain-Source BVDSS | 650 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку ID (25 °C) | 3,8 А |
| Струм стоку ID (100 °C) | 2,4 А |
| Імпульсний струм IDM | 15 А |
| RDS(on) | 1,4 Ом тип., 1,6 Ом макс. (VGS 10 В, ID 2,3 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 45 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2,6 °C/Вт |
| Поріг запуску Vcc | 15 В (14–16 В) |
| Поріг вимкнення Vcc | 9 В (8–10 В) |
| Частота генератора | 20 кГц (18–22 кГц) |
| Корпус | TO-220F-5L |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
Мікросхема CQ1265RT ( CQ0965RT )
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Drain-Source BVDSS | 650 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку ID (25 °C) | 5,3 А |
| Струм стоку ID (100 °C) | 3,4 А |
| Імпульсний струм IDM | 36 А |
| RDS(on) | 0,75 Ом тип., 0,9 Ом макс. (VGS 10 В, ID 2,3 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 50 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2,5 °C/Вт |
| Поріг запуску Vcc | 15 В (14–16 В) |
| Поріг вимкнення Vcc | 9 В (8–10 В) |
| Частота генератора | 20 кГц (18–22 кГц) |
| Корпус | TO-220F-5L |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
Мікросхема CR5213 ( CR5213C , CR5213E ) , so-7
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chip-Rail |
| Vceo вбудованого транзистора | 450 В (мін.) |
| Vcbo вбудованого транзистора | 700 В (мін.) |
| Струм колектора (Ta 25 °C) | CR5213 – 1,1 А; CR5213C – 1,5 А; CR5213E – 4,0 А |
| Вихідна потужність (85–265 В AC, макс.) | CR5213 – 6 Вт; CR5213C – 7,5 Вт; CR5213E – 12 Вт |
| Макс. напруга VDD | 25 В |
| Статичний робочий струм | 800 мкА (тип.) |
| Корпус | SOP-7 |
Мікросхема CR5228 ( CR5228T ) , DIP8
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга MOSFET Vds | 650 В |
| Rds(on) | 3.6 Ом (typ) |
| Вихідна потужність (90–264 В AC) | 18 Вт |
| Вихідна потужність (230 В AC) | 21 Вт |
| Частота перетворення | 50 кГц |
| Частота в режимі burst | 22 кГц |
| Струм старту | 3 мкА (typ) |
| Напруга вмикання VDD_ON | 14.8 В (typ) |
| Напруга вимикання VDD_OFF | 9 В |
Мікросхема CR5229 ( CR5229T ) оригінал, DIP8
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга BVDSS | 650 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Струм вбудованого MOSFET | 4 А |
| RDS(on) | 3,0 Ом тип., 3,5 Ом макс. (VGS = 10 В, IDS = 1 А) |
| Частота перетворення | 50 кГц (45–55) |
| Вихідна потужність | 18 Вт (85–265 В AC) |
| Температура захисту від перегріву | 160 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема CR6224T , DIP
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга на стоку | 650 В |
| BVDSS | 650 В тип., 620 В мін. (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| RDS(on) | 5,0 Ом тип., 5,8 Ом макс. (VGS = 10 В, IDS = 1 А) |
| Частота перетворення | 50 кГц (45–55) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (70–90) |
| Вихідна потужність | 15 Вт (230 В AC ±15 %), 12 Вт (85–265 В AC), 50 °C навколишнього |
| Температура переходу | –20…150 °C |
Мікросхема CR6228T , DIP
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга на стоку | 650 В |
| BVDSS | 650 В тип., 600 В мін. |
| Частота перетворення | 50 кГц (45–55) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (70–90) (FB = 3,3 В, CS = 0 В) |
| Струм запуску | 20 мкА макс. |
| Вихідна потужність | 27 Вт (230 В AC ±15 %), 16 Вт (85–265 В AC), 50 °C навколишнього |
| Температура переходу | –20…150 °C |
Мікросхема CR6229T
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із вбудованим MOSFET |
| Виробник | Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стоку, макс. | 650 В |
| Rds(on) | 2.0 Ом тип. / 2.5 Ом макс. (Vgs 10 В, Ids 1 А, 25 °C) |
| Робоча частота | 50 кГц (45–55 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (70–90 %) |
| Напруга живлення VDD, макс. | 30 В |
| Вихідна потужність, 230 В AC ±15 % | 28 Вт (open frame, 50 °C) |
| Вихідна потужність, 85–265 В AC | 24 Вт (open frame, 50 °C) |
| Температура переходу | -20…150 °C |
Мікросхема CR6236T , DIP8
В наявності
49,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Первинний ШІМ-перемикач CC/CV із вбудованим MOSFET |
| Виробник | Chip Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга пробою MOSFET (BVdss) | 600 В |
| Rds(on) | 8 Ом тип. / 11.5 Ом макс. |
| Струм стоку, неперервний | 1 А |
| Струм стоку, імпульсний | 4 А |
| Вихідна потужність, 230 В AC ±15 % | 8 Вт (adapter, 50 °C) |
| Вихідна потужність, 85–265 В AC | 7 Вт (adapter, 50 °C) |
| Температура переходу | -20…150 °C |
Мікросхема CR6238T , DIP8 ( PR6238T , ZL0805W )
В наявності
34,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Первинний ШІМ-контролер із вбудованим високовольтним MOSFET |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. вихідна потужність | 10 Вт |
| Напруга живлення VDD, рекомендована | 10–23 В |
| Напруга живлення VDD, макс. | 28.5 В |
| Напруга запуску VDD | 14.5 В (VDD 16 В, 25 °C) |
| Напруга вимкнення VDD | 9 В (VDD 16 В, 25 °C) |
| Макс. частота генератора | 60 кГц |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
Мікросхема CR6842T , DIP8 ( SG6842 )
В наявності
53,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chengdu Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення VDD, макс. (абсолютний максимум) | 40 В |
| Поріг запуску (VDD=15 В, Ta 27 °C) | 16.5 (16.0–17.0) В |
| Струм запуску (VDD=17 В, Ta 27 °C) | 7.5 (тип.) / 30 (макс.) мкА |
| Робочий струм (VDD=15 В, VFB=VSENSE=0 В, Ta 27 °C) | 3.0 (тип.) / 5 (макс.) мА |
| Частота в номінальному режимі (RI=26 кОм) | 67 (63–70) кГц |
| Частота в режимі Green (RI=26 кОм) | 27 (25–29) кГц |
| Обмеження напруги затвора | 16.5 В |
| Час плавного пуску | 1 мс |
Демонтаж
Мікросхема CR6848T демонтаж, DIP8
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chengdu Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення VDD, макс. (абсолютний максимум) | 40 В |
| Напруга живлення VDD, рекомендована | 11–20 В |
| Вихідна потужність, рекомендована | 0–60 Вт |
| Частота ШІМ, рекомендована | 48–100 кГц |
| Струм запуску | близько 10 мкА |
| Робочий струм | близько 2 мА |
| Захист від перенапруги | 26.7 В |
| Обмеження напруги затвора | 16.5 В |
| Потужність розсіювання (абсолютний максимум) | 300 мВт |
| Робоча температура навколишнього середовища | -20…85 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема CR6853T оригінал, DIP8
В наявності
40,42 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга мережі (AC) | 90–264 В |
| Напруга живлення VDD (рекомендовані умови) | 10–30 В |
| Макс. напруга VDD (абсолютний максимум) | 40 В |
| Захист VDD від перенапруги | 34 В |
| Обмеження напруги GATE | 18 В |
| Частота ШІМ (рекомендовано; RI 100 кОм) | 30–150 кГц |
| Макс. вихідна потужність (рекомендовані умови) | 0–60 Вт |
| Робоча температура (рекомендовані умови) | -20…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема CS8326S , so-16
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipstar |
| Корпус | SO-16 |
| Напруга живлення (робочий діапазон) | 3,0–5,0 В |
| Вихід BOOST (PVDD) | 7,5 В |
| Вихідна потужність (THD+N 10%, Vin 3,7 В, RL 4 Ом) | 7,0 Вт |
| Вихідна потужність (THD+N 1%, Vin 3,7 В, RL 4 Ом) | 5,5 Вт |
| ККД | 72 % |
| PSRR (на частоті 217 Гц) | не менше 70 дБ |
| Час запуску | 260 мс |
| Струм спокою | 10 мА |
| Струм у вимкненому стані | менше 0,1 мкА |
| Робоча температура | –40…+85 °C |
Мікросхема CS8509E, so-8
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Моно підсилювач звуку, клас AB/D |
| Виробник | Shenzhenshi Yongfukang Technology |
| Корпус | SO-8 |
| Вихідна потужність, клас D | 8.50 Вт (4 Ом), 4.20 Вт (8 Ом); VDD 8.5 В, THD+N 10 % |
| Вихідна потужність, клас AB | 8.00 Вт (4 Ом), 4.00 Вт (8 Ом); VDD 8.5 В, THD+N 10 % |
| ККД, клас D | 90 % (VDD 5.0 В, Po 0.6 Вт, 8 Ом) |
| Частота перемикання | 750 кГц |
| PSRR | -80 дБ (217 Гц) |
| Струм у режимі вимкнення | 0.1 мкА |
| Напруга живлення, граничне значення | 9.5 В |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Розпіновка | 1 – SD, 2 – ABD, 3 – IN+, 4 – IN-, 5 – VDD, 6 – VO+, 7 – VO-, 8 – GND |
Мікросхема CS8673E , so-16
В наявності
128,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | CS8673E |
| Виробник | Shenzhenshi Yongfukang Technology |
| Тип | стерео підсилювач звуку класу D |
| Корпус | SO-16 |
| Кількість виводів | 16 шт |
| Напруга живлення | 5–26 В |
| Вихідна потужність | 2×33 Вт (8 Ом, 21 В, THD+N 10 %) |
| Моно режим PBTL | 64 Вт (4 Ом, 21 В, THD+N 10 %) |
| Частота перемикання | 300 кГц |
| Сигнал/шум | 102 дБ |
| Захист | струм, коротке замикання, перегрів |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
Мікросхема CSC2313S ( заміна для TM2313 , GS2313S , PT2313L ) , SSOP-28
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | cschip |
| Напруга живлення VDD | 3–10 В (типова 9 В) |
| Крок гучності | 1,25 дБ |
| Регулювання низьких частот | ±14 дБ (VDD 9 В) |
| Стереовходи | 3 |
| Виходи гучномовців | 4 |
| Керування | I2C |
| Робоча температура | від -25 до +85 °C |
| Корпус | SSOP-28 |
Мікросхема CSC2323F оригінал ( заміна для PT2323-S , PT2323S , BT2323M ) , SOP-28
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 6-канальний аудіоселектор |
| Інтерфейс | I2C |
| Корпус | SOP-28 |
| Напруга живлення | 9 В (тип.), мінімум 4,5 В |
| Макс. вхідна напруга | 3,75 В ефективне (1 кГц, THD менше 1 %, RL = 50 кОм) |
| THD | 0,005 % тип. (1 кГц, вхід 0,2 В ефективне, Vcc = 9 В) |
| Сигнал/шум | 100 дБ (Vcc = 9 В) |
| Розділення каналів | 95 дБ (Vin = 1 В ефективне, 1 кГц) |
| Перехресні завади | 80 дБ (Vin = 1 В ефективне, 1 кГц) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема CSC3120 , sop-16
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер з драйвером MOSFET |
| Виробник | E-youda |
| Корпус | SO-16 |
| Макс. частота перемикання | 800 кГц |
| Вихідний струм драйвера | 1,0 А / 1,5 А (джерело / стік) |
| Живлення драйвера VB–VS | VS+10…VS+18 В (VCC = 12 В, TA 25 °C) |
| Напруга на VS | -5…+200 В |
| IQBS | макс. 1 мА (VCC = VBS = 12 В, VAA = 10 В, TA 25 °C) |
| IQCC | макс. 3 мА (VDT = VCC) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
Мікросхема CSC7222 , DIP8
В наявності
67,21 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CSChip |
| Корпус | DIP8 |
| Вихідна потужність | 12 Вт (85–265 В змінної) |
| Напруга колектора вбудованого транзистора | 700 В (мін., IOC = 10 мА) |
| Частота генератора | 61 кГц (Vcc = 5 В) |
| Обмеження струму | 680 мА (25 °C) |
| Теплове відключення | 140 °C |
| Робоча температура переходу | 0…150 °C |