Мікросхеми
Мікросхема TOP256PN , DIP7
В наявності
80,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема, інтегрований off-line ключ |
| Серія | TOPSwitch-HX |
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | DIP7 |
| BVDSS (мін.) | 700 В (IC = 4 мА, TJ = 25 °C) |
| ILIMIT (тип.) | 1.35 А (di/dt = 140 мА/мкс, TJ = 25 °C) |
| Піковий струм DRAIN (макс.) | 4.08 А |
| RDS(ON) при 25 °C (тип. / макс.) | 2.8 / 3.20 Ом (ID = 300 мА) |
| RDS(ON) при 100 °C (тип. / макс.) | 4.1 / 4.75 Ом |
| Частота перемикання | 66 кГц |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема TOP257EN , eSIP-7C
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-HX |
| Максимальна напруга Drain | 700 В (абсолютний максимум) |
| Піковий струм Drain | 5,44 А (абсолютний максимум) |
| Струм обмеження ILIMIT (typ) | 3,40 А при TJ 25 °C, di/dt = 705 мА/мкс |
| RDS(on) typ | 2,0 Ом при TJ 25 °C, ID = 400 мА |
| RDS(on) макс. | 2,30 Ом при TJ 25 °C, ID = 400 мА |
| Частота перемикання | 132 кГц (F-pin до SOURCE, корпуси E/L); 66 кГц з опцією половинної частоти |
| Потужність в адаптері, 230 В AC ±15% | 85 Вт (50 °C навколишнього) |
| Потужність open frame, 230 В AC ±15% | 157 Вт (50 °C навколишнього) |
| Потужність в адаптері, 85–265 В AC | 55 Вт (50 °C навколишнього) |
| Потужність open frame, 85–265 В AC | 119 Вт (50 °C навколишнього) |
| Робоча температура переходу | від -40 до 150 °C |
| Корпус | eSIP-7C |
Демонтаж
Мікросхема TOP258EN ( TOP258EG ) демонтаж, eSIP-7C
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-HX |
| Корпус | eSIP-7C |
| Напруга Drain-Source BVDSS | 700 В (мін., TJ = 25 °C, IC = 4 mA) |
| Rds(on) типове | 1.7 Ом (ID = 500 mA, TJ = 25 °C) |
| Струм обмеження ILIMIT | 4.3 А (тип., TJ = 25 °C) |
| Частота перемикання | 132 кГц |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TOP258MN ( TOP258MG ) , DIP10
В наявності
113,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-HX |
| Корпус | DIP10 (SDIP-10C) |
| Напруга Drain-Source BVDSS | 700 В (мін., TJ = 25 °C, IC = 4 mA) |
| Rds(on) типове | 1.7 Ом (ID = 500 mA, TJ = 25 °C) |
| Струм обмеження ILIMIT | 3.0 А (тип., TJ = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема TOP258PG оригінал (заміна для TOP257PG ), DIP7
В наявності
101,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Тип | Мережевий імпульсний перемикач TOPSwitch-HX |
| Корпус | DIP7 |
| Вихідна потужність, закритий адаптер (230 В AC ±15 %) | 29 Вт (мін. безперервна, 50 °C) |
| Пікова потужність (230 В AC ±15 %) | 77 Вт (50 °C) |
| Вихідна потужність, закритий адаптер (85-265 В AC) | 22 Вт (50 °C) |
| Вихідна потужність, відкрита конструкція (85-265 В AC) | 35 Вт (50 °C) |
| Пікова потужність (85-265 В AC) | 50 Вт (50 °C) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TOP258PN , DIP7
В наявності
84,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-HX |
| Корпус | DIP7 |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В (мін., TJ 25 °C) |
| Імпульсний струм DRAIN | 6,88 А (макс. допустимий) |
| Ліміт струму ILIMIT | 1,65 А (тип., TJ 25 °C) |
| Частота перемикання | 66 кГц (TJ 25 °C) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
Мікросхема TOP258PN оригінал (заміна для TOP257PN ), DIP7
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-HX |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга Drain-Source BVDSS | 700 В (мін., TJ = 25 °C, IC = 4 mA) |
| Rds(on) типове | 1.7 Ом (ID = 500 mA, TJ = 25 °C) |
| Струм обмеження ILIMIT | 1.65 А (тип., TJ = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TOP258YN демонтаж, TO220
В наявності
200,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | TO-220 |
| Максимальна пікова напруга DRAIN | 700 В |
| Напруга пробою BVDSS | 700 В (мін.) при IC = 4 мА, TJ = 25 °C |
| Струм обмеження ILIMIT | 4,30 А при TJ = 25 °C |
| RDS(ON) | 1,7 Ом (тип.) при ID = 500 мА, TJ = 25 °C |
| Частота перемикання | 132 кГц (FREQUENCY з’єднаний з SOURCE) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TOP264KG , eSOP-12
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-JX |
| Напруга пробою DRAIN (BVDSS) | 725 В мін. (VV = Floating, TJ = 25 °C) |
| RDS(on) (TOP264, ID = 150 мА, TJ = 25 °C) | 5.4 Ом тип. / 6.25 Ом макс. |
| Робоча частота | 132 кГц (опція 66 кГц) |
| Вихідна потужність, адаптер / відкрита конструкція, 85–265 В AC | 16 / 30 Вт |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | eSOP-12B (K package) |
Мікросхема TOP264VG оригінал, eDIP-12
В наявності
97,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | eDIP-12 |
| Корпус (докладно) | eDIP-12 (V package, eDIP-12B) |
| Максимальна пікова напруга DRAIN | 725 В |
| Напруга пробою BVDSS | 725 В (мін.) при TJ = 25 °C |
| Струм обмеження ILIMIT | 1,30 А при TJ = 25 °C |
| RDS(ON) | 5,4 Ом (тип.) при ID = 150 мА, TJ = 25 °C |
| Частота перемикання | 132 кГц (FREQUENCY з’єднаний з SOURCE); 66 кГц (FREQUENCY з’єднаний з CONTROL) |
| Потужність в адаптері | 21 Вт (230 В AC ±15 %, мідна площа плати) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TOP265KG оригінал, eSOP-12
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-JX |
| Напруга DRAIN (пікова) | 725 В |
| Струм DRAIN (піковий) | 2.72 А (TOP265) |
| Rds(on) при TJ 25 °C | 4.1 Ом тип. / 4.70 Ом макс. (ID 200 мА) |
| Rds(on) при TJ 100 °C | 6.3 Ом тип. / 7.30 Ом макс. (ID 200 мА) |
| Частота перетворення | 132 кГц (опція 66 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 78 % |
| Потужність, закритий корпус | 33 Вт (230 В AC ±15 %, +50 °C) |
| Потужність, відкрита рама | 53 Вт (230 В AC ±15 %, +50 °C) |
| Корпус | eSOP-12B (K package) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TOP265VG демонтаж, eDIP-12
В наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | eDIP-12 |
| Корпус (докладно) | eDIP-12 (V) |
| Макс. напруга DRAIN | 725 В |
| Піковий струм DRAIN | 2,72 А |
| Частота перетворення | 132 кГц (є варіант 66 кГц) |
| Температура переходу Tj | -40…150 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TOP266EG оригінал, eSIP-7C
В наявності
120,79 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-JX |
| Пробивна напруга BVDSS | 725 В (мін., TJ = 25 °C) |
| Пікова напруга на виводі DRAIN | -0,3…725 В |
| Піковий струм виводу DRAIN | 4,08 А |
| RDS(on), TJ = 25 °C, ID = 300 мА | 2,8 Ом (тип.), 3,2 Ом (макс.) |
| RDS(on), TJ = 100 °C, ID = 300 мА | 4,1 Ом (тип.), 4,75 Ом (макс.) |
| Частота перемикання | 132 або 66 кГц |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 105 °C/Вт |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2 °C/Вт |
| Корпус | eSIP-7C (E package) |
| Кількість виводів | 7 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TOP266VG , eDIP-12
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | eDIP-12 |
| Корпус (докладно) | eDIP-12 (V package, eDIP-12B) |
| Максимальна пікова напруга DRAIN | 725 В |
| Напруга пробою BVDSS | 725 В (мін.) при TJ = 25 °C |
| Струм обмеження ILIMIT | 2,55 А при TJ = 25 °C |
| RDS(ON) | 2,8 Ом (тип.) при ID = 300 мА, TJ = 25 °C |
| Частота перемикання | 132 кГц (FREQUENCY з’єднаний з SOURCE); 66 кГц (FREQUENCY з’єднаний з CONTROL) |
| Потужність в адаптері | 24 Вт (230 В AC ±15 %, мідна площа плати) |
Мікросхема TOP267KG оригінал, eSOP-12
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-JX |
| Напруга DRAIN (пікова, абс. макс.) | 725 В |
| Межа струму ILIMIT | 3,01 А (тип.) при TJ = 25 °C |
| Опір RDS(ON) | 2,0 Ом (тип.), 2,30 Ом (макс.) при ID = 400 мА, TJ = 25 °C |
| Частота перемикання | 132 кГц / 66 кГц |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | eSOP-12 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TOP267V ( TOP267VG ) оригінал, eDIP-12
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мережевий ШІМ-перемикач TOPSwitch-JX |
| Виробник | Power Integrations |
| Напруга BVDSS | 725 В (мін., Tj 25 °C) |
| RDS(on) | 2,0 Ом тип., 2,30 Ом макс. (ID = 400 мА, Tj 25 °C) |
| Частота перемикання | 132 кГц (опція 66 кГц) |
| Корпус | eDIP-12 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TOP268VG , eDIP-12
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | eDIP-12 |
| Напруга стік–витік (мін.) | 725 В (Tj 25 °C) |
| Rds(on) при Tj 25 °C | 1.7 Ом, макс. 1,95 Ом (ID = 500 мА) |
| Rds(on) при Tj 100 °C | 2.5 Ом, макс. 2,9 Ом (ID = 500 мА) |
| Струм обмеження | 3.25 А (Tj 25 °C) |
| Частота перемикання | 132 кГц (опція 66 кГц) |
| Піковий струм стоку (абс. макс.) | 6.88 А |
| Робоча температура переходу | −40…150 °C |
Мікросхема TP181A1-CR оригінал, SC70-6
В наявності
53,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | 3PEAK |
| Коефіцієнт підсилення | 50 В/В (фіксований) |
| Напруга живлення | 2.7–30 В (одноджерельне) |
| Синфазна напруга на вході | -0.3…+36 В (-40…125 °C) |
| Дрейф зміщення (макс.) | 0.5 мкВ/°C (VSENSE = 0 мВ, -40…125 °C) |
| Похибка підсилення (макс.) | 1 % (у всьому діапазоні температур) |
| Струм споживання (тип.) | 120 мкА (VSENSE = 0 мВ) |
| Робочий діапазон температур | -40…125 °C |
| Корпус | SC70-6 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TP181A3-CR оригінал, SC70-6
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | 3PEAK |
| Коефіцієнт підсилення | 200 В/В (фіксований) |
| Напруга живлення | 2.7–30 В (одноджерельне) |
| Синфазна напруга на вході | -0.3…+36 В (-40…125 °C) |
| Дрейф зміщення (макс.) | 0.5 мкВ/°C (VSENSE = 0 мВ, -40…125 °C) |
| Похибка підсилення (макс.) | 1 % (у всьому діапазоні температур) |
| Струм споживання (тип.) | 120 мкА (VSENSE = 0 мВ) |
| Робочий діапазон температур | -40…125 °C |
| Корпус | SC70-6 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TP2412 ( TP2412-SR ) оригінал, so-8
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | 3PEAK |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість каналів | 2 |
| Напруга живлення | 2,2–5,5 В |
| Макс. напруга живлення V+ – V− | 7,0 В (абсолютний максимум) |
| Добуток підсилення на смугу | 10 МГц |
| Швидкість наростання | 7 В/мкс |
| Напруга зсуву | 1 мВ (макс.) |
| Шум напруги | 8,2 нВ/√Гц (f = 1 кГц) |
| Вхідний струм зсуву | 0,3 пА (типово) |
| Струм живлення на канал | 1,4 мА |
| Вихідний струм | 70 мА (падіння 1,0 В) |
| THD+N | 0,0005 % |
| Діапазон температур | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TP4056 оригінал ( TP4056E , 4056E , TC4056A ) , so-8
В наявності
17,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Лінійний зарядний пристрій Li-Ion |
| Виробник | TPOWER |
| Напруга VCC | 4–6 В (тип. 5 В) |
| Напруга закінчення заряду | 4,2 В ±1 % |
| Струм заряду | 1000–1200 мА (RPROG = 1 кОм) |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TP4221B , so-16
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Контролер заряду/розряду Li-ion для power bank |
| Виробник | TPOWER |
| Вхідна напруга зарядки | 4.3–6 В |
| Струм заряду | до 1 А |
| Вихідний струм | до 1.2 А (підвищувальний режим) |
| Рівні індикації | 4 |
| Корпус | SOP16L |
Мікросхема TP4366E ( TP4366 ) , so-8
В наявності
35,72 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TPOWER |
| Вихідна напруга розряду | 5 В |
| Вихідний струм | 1 А (синхронний підвищувальний режим) |
| Струм заряду | 0.8 А (фіксований) |
| ККД розряду | до 93 % при струмі навантаження 1 А |
| Напруга закінчення розряду BAT | 2.85 В |
| Напруга закінчення заряду | 4.2 або 4.35 В |
| Захист входу від перенапруги | 6.5 В |
| Вхідна напруга зарядки | 4.5–5.5 В |
| Робоча температура | -20…85 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
| Корпус (докладно) | ESOP8 (8 виводів з тепловою площадкою) |
Мікросхема TPA1517NE , DIP
В наявності
92,12 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Стерео підсилювач потужності звуку |
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP-20 |
| Корпус (докладно) | DIP-20 (NE) |
| Вихідна потужність на канал | 6 Вт (4 Ом, THD+N = 10 %) |
| Вихідна потужність на канал (THD+N = 1 %) | 5 Вт (4 Ом) |
| Посилення | 20 дБ (фіксоване, кожен канал) |
| Напруга живлення (рекомендована) | 9,5–18 В |
| Напруга живлення, максимум | 22 В |
| Робоча температура | -40…85 °C |
Мікросхема TPA3008D2 , smd
В наявності
98,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | стерео підсилювач потужності класу D, мостове підключення |
| Напруга живлення | 8.5–18 В (AVCC, PVCC, однополярне) |
| Вихідна потужність на канал | 10 Вт (THD+N 10 %, f 1 кГц, RL 16 Ом, VCC 17 В) |
| Мінімальний опір навантаження | 8 Ом |
| ККД | до 92 % |
| Коефіцієнти підсилення | 15.3 / 21.2 / 27.2 / 31.8 дБ |
| Частота генератора | 200–300 кГц |
| Робоча температура повітря | -40…85 °C |
| Корпус | smd (за datasheet 48-pin HTQFP (PHP), PowerPAD) |
| Виробник | Texas Instruments |
Мікросхема TPA3110D2 , smd
В наявності
101,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | стерео підсилювач класу D без вихідного фільтра, SpeakerGuard |
| Напруга живлення | 8–26 В (AVCC, PVCC) |
| Вихідна потужність на канал | 15 Вт (8 Ом, THD+N 10 %, VCC 16 В) |
| Вихідна потужність на канал, VCC 13 В | 10 Вт (8 Ом, THD+N 10 %) |
| Потужність в моно (PBTL) | 30 Вт (4 Ом, THD+N 10 %, VCC 16 В) |
| ККД | 90 % |
| Струм спокою | 32 мА, макс 50 (SD = 2 В, без навантаження, PVCC = 24 В) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | TSSOP-28 EP |
| Виробник | Texas Instruments |
Мікросхема TPA3113D2 оригінал, htssop-28
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | стерео підсилювач класу D без вихідного фільтра, SpeakerGuard |
| Напруга живлення | 8–26 В (AVCC, PVCC) |
| Вихідна потужність на канал | 6 Вт (8 Ом, THD+N 10 %, VCC 10 В) |
| Потужність в моно (PBTL) | 12 Вт (4 Ом, THD+N 10 %, VCC 10 В) |
| ККД | 87 % |
| Струм спокою | 32 мА, макс 50 (SD = 2 В, без навантаження, PVCC = 24 В) |
| Корпус | TSSOP-28 EP |
| Корпус (докладно) | htssop-28 (28-pin TSSOP PWP, PowerPAD, 9.70 x 4.40 мм) |
| Виробник | Texas Instruments |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TPA3116D2 оригінал, HTSSOP-32
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | стерео підсилювач класу D |
| Напруга живлення PVCC, AVCC | 4,5–26 В (рекомендований діапазон) |
| Вихідна потужність | 2 × 50 Вт (4 Ом BTL, 21 В) |
| Частота перемикання | до 1,2 МГц |
| Робоча температура | –40…85 °C |
| Корпус | HTSSOP-32 (DAD), PowerPAD зверху |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TPA3123D2 оригінал, HTSSOP24
В наявності
257,09 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Стереопідсилювач класу D |
| Виробник | Texas Instruments |
| Напруга живлення (PVCC, AVCC) | 10…30 В |
| Потужність на канал (4 Ом, 27 В) | 25 Вт |
| Потужність на канал (4 Ом, 24 В) | 20 Вт |
| Підсилення | 20, 26, 32, 36 дБ |
| Мін. опір навантаження (стерео) | 4 Ом |
| Корпус | HTSSOP24 (PWP, PowerPAD) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TPA3130 ( TPA3130D2 ) , HTSSOP32
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Стереопідсилювач класу D |
| Виробник | Texas Instruments |
| Напруга живлення (PVCC, AVCC) | 4.5…26 В |
| Гранична напруга живлення | 30 В |
| Вихідна потужність (міст 8 Ом, 15 В) | 2 x 15 Вт |
| ККД | >90 % |
| Частота перемикання | до 1.2 МГц |
| Температура навколишнього середовища | -40…85 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 36 °C/Вт |
| Корпус | HTSSOP32 (DAP, 11.00 x 6.20 мм) |
Мікросхема TPS65198 , QFN-28
В наявності
112,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Виходи | 6 CLK, VST, RESET, ODD, EVEN, VGH_F, VGH_R, DISCHARGE |
| Напруга VGH1, VGH2 | 15–38 В |
| Напруга VGL | –3…–23 В |
| Різниця VGH – VGL | 18–56 В |
| Напруга живлення підсилювача AVDD | 8–20 В |
| Робоча температура навколишнього середовища | –40…85 °C |
| Робоча температура переходу | –40…125 °C |
| Корпус | QFN 28 виводів, 4×4 мм |
Мікросхема TSA5511
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors |
| Напруга живлення | 5 В (діапазон 4.5–5.5 В, Tamb 25 °C) |
| Струм споживання | 35 мА (VCC 5 В, Tamb 25 °C; діапазон 25–50 мА) |
| Діапазон вхідної частоти | 64–1300 МГц |
| Коефіцієнт ділення | 256–32767 |
| Частота кварцового резонатора | 4 (3.2–4.48) МГц |
| Опорна частота фазового компаратора | 7.8125 кГц при кварці 4 МГц |
| Робоча температура | -10…+80 °C |
| Температура зберігання | -40…+150 °C |
| Керовані порти | 8 |
Мікросхема TSA5511AT , smd
В наявності
129,25 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors |
| Напруга живлення | 5 В (діапазон 4.5–5.5 В, Tamb 25 °C) |
| Струм споживання | 35 мА (VCC 5 В, Tamb 25 °C; діапазон 25–50 мА) |
| Діапазон вхідної частоти | 64–1300 МГц |
| Коефіцієнт ділення | 256–32767 |
| Частота кварцового резонатора | 4 (3.2–4.48) МГц |
| Опорна частота фазового компаратора | 7.8125 кГц при кварці 4 МГц |
| Робоча температура | -10…+80 °C |
| Температура зберігання | -40…+150 °C |
| Керовані порти | 8 |
| Корпус | SO-20 |
Мікросхема TSA5512T , so-16
В наявності
86,01 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | PLL-синтезатор частоти для ТВ-тюнерів, шина I2C |
| Напруга живлення | 5 В (4.5–5.5 В) |
| Струм споживання | 35 мА при VCC 5 В, Tamb 25 °C |
| Діапазон вхідної частоти | 64–1300 МГц |
| Коефіцієнт ділення | 256–32767 |
| Кварц | 4 МГц (3.2–4.48 МГц) |
| Робоча температура | -10…+80 °C |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема U3115S , so-8
В наявності
110,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | UNI-SEMIC |
| Макс. напруга плаваючого каналу VOFFSET | 300 В |
| Вихідний струм IO- | 1.5 А |
| Затримка вмикання ton (typ) | 400 нс |
| Затримка вимикання toff (typ) | 200 нс |
| Мертвий час (typ) | 200 нс |
| Напруга живлення VCC | 9–20 В |
| Макс. напруга VB відносно COM | 325 В |
| Розсіювана потужність Pd (TA ≤ 25 °C) | 0.63 Вт |
| Робочий діапазон температури | -40…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема UBA2071AT оригінал, so-24
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | драйвер напівмоста для підсвітки CCFL/EEFL |
| Напруга на виводі SH (макс.) | 550 В, Tamb 25 °C |
| Напруга живлення VDD (макс.) | 14 В, Tamb 25 °C |
| Частота ШІМ-димування | 75–1000 Гц |
| Поріг захисту від перенапруги (VFB) | 2,5 В |
| Корпус | SOP-24 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UC2845AN , DIP8
В наявності
35,72 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | PDIP-8 (P), 9,81 × 9,43 мм |
| Напруга живлення VCC, максимум (абсолютна) | 30 В |
| Вихідний струм IOUT, максимум (абсолютний) | 1 А |
| Пороги UVLO (вмикання / вимикання) | 8,4 / 7,6 В |
| Максимальний коефіцієнт заповнення | 46–50 % (тип. 48 %) |
| Опорна напруга VREF | 5 В (4,95–5,05 В) при TJ 25 °C, IO 1 мА |
| Частота генератора | 52 кГц (47–57 кГц) при TJ 25 °C, RT 10 кОм, CT 3,3 нФ |
| Частота генератора, максимум (рекомендована) | 500 кГц |
| Струм запуску | 0,3 мА (макс. 0,5 мА) при VCC 15 В |
| Струм споживання в роботі | 11 мА (макс. 17 мА) при VFB = VISENSE = 0 В, VCC 15 В |
| Температура переходу TJ | -55…150 °C |
Мікросхема UC2845B ( UC2845BD , 2845B , UC2845BD1R2G ) оригінал, so-8
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UC3842B оригінал, so-8
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | SO-8 |
| Опорна напруга Vref (тип) | 5,0 В при IO = 1,0 мА, TJ = 25 °C, VCC = 15 В |
| Частота генератора fOSC (тип) | 52 кГц при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ, VCC = 15 В |
| Поріг увімкнення UVLO (тип) | 16 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 96 % (тип) при VCC = 15 В |
| Вихідний струм (макс.) | 1,0 А |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 30 В |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Стан | Оригінал |