Мікросхеми
Мікросхема LM3914N-1 , DIP18
В наявності
87,42 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | Драйвер світлодіодної шкали |
| Корпус | DIP-18 |
| Кількість виходів | 10 шт. |
| Напруга живлення | 3–15 В (схема з опорною напругою 1,2 В); 3–20 В (умови таблиці параметрів) |
| Струм світлодіода | 2–30 мА (програмується) |
| Опорна напруга | 1,2 В (мін.), 1,28 В (тип.), 1,34 В (макс.) |
| Робочий діапазон температур | 0–70 °C |
| Потужність розсіювання | 1365 мВт (PDIP) |
Мікросхема LM393 ( LM393DT ) оригінал ( LM393D , LM393DR , LM393DR2G , LM393L ) , so-8
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | Здвоєний компаратор напруги |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість компараторів | 2 шт. |
| Напруга живлення | 2–30 В |
| Тип виходу | відкритий колектор |
| Час реакції | 1,3 мкс (VCC = 5 В, TA = 25 °C, RL = 5,1 кОм, CL = 15 пФ) |
| Робочий діапазон температур | 0–70 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LM393 ( LM393N , LM393P ) , DIP8
В наявності
10,34 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | здвоєний компаратор напруги |
| Кількість компараторів | 2 шт |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення (LM393 без B) | 2…30 В |
| Абсолютний максимум напруги живлення | 36 В |
| Вихід | відкритий колектор; сумісний з TTL, MOS, CMOS |
| Напруга зміщення входу Vio | 2 мВ типово, 5 мВ макс. (Vcc 5…30 В, Ta 25 °C) |
| Струм споживання (Vcc 5 В, без навантаження, Ta 25 °C) | 0,45 мА типово, 1 мА макс. |
| Час відгуку | 1,3 мкс типово |
| Робочий діапазон температур | 0…70 °C |
| Виробник | Texas Instruments |
Мікросхема LM393 3PEAK ( LM393-SR ) оригінал, so-8
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Два незалежні компаратори, вихід з відкритим колектором |
| Виробник | 3PEAK |
| Кількість каналів | 2 |
| Напруга живлення | 2–36 В (одне джерело) або ±1–±18 В (двополярне) |
| Макс. різниця напруг живлення V+ − V− | 42 В |
| Струм споживання на компаратор | 150 мкА (тип.) / 300 мкА (макс.), VCC = 5 В |
| Напруга зміщення входу VOS | ±3 мВ (макс.) |
| Вхідний струм зміщення IB | 4 нА (тип.) |
| Вихідна напруга низького рівня VOL | 250 мВ (тип.) / 400 мВ (макс.), IOL = 4 мА, VID = −1 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | −40…125 °C |
| Захист від ESD | 2 кВ (HBM) / 2 кВ (CDM) |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LM4755T
В наявності
88,83 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | стерео підсилювач потужності ЗЧ, 2 канали, з mute |
| Корпус | TO-220, 9 виводів |
| Вихідна потужність на канал, 4 Ом | 11 Вт типово (Vcc 24 В, f 1 кГц, THD+N 10 %, Ta 25 °C) |
| Вихідна потужність на канал, 8 Ом | 7 Вт типово (Vcc 24 В, f 1 кГц, THD+N 10 %, Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення | 34 дБ |
| Робоча напруга живлення | 9…32 В |
| Абсолютний максимум напруги живлення | 40 В |
| Струм споживання, mute вимкнено | 10 мА типово (Vcc 24 В, Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт гармонік THD | 0,08 % типово (f 1 кГц, Po 1 Вт, Rн 8 Ом, Vcc 24 В) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2 °C/Вт |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 °C |
| Виробник | Texas Instruments |
Мікросхема LM4863 , so-16
В наявності
130,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | здвоєний мостовий підсилювач потужності ЗЧ зі стерео підсилювачем для навушників |
| Корпус | SO-16 |
| Вихідна потужність на канал, 8 Ом | 1,1 Вт типово (Vdd 5 В, THD+N 1 %, f 1 кГц, Ta 25 °C) |
| Потужність в режимі навушників, 32 Ом | 85 мВт типово (THD+N 0,5 %, f 1 кГц, Vdd 5 В) |
| Напруга живлення | 2,0…5,5 В |
| Абсолютний максимум напруги живлення | 6,0 В |
| Струм споживання в спокої | 11,5 мА типово (Vdd 5 В, Vin 0 В, Io 0 А, Ta 25 °C) |
| Струм у режимі shutdown | 0,7 мкА типово (Ta 25 °C) |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 °C |
| Виробник | Texas Instruments |
Мікросхема LM4863 ( LM4863N ) , DIP16 ( HWD4863 )
В наявності
40,89 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP16 |
| Напруга живлення | 2.0–5.5 В |
| Струм спокою | 11.5 мА (тип.), 20 мА (макс.) |
| Струм у режимі вимкнення | 0.7 мкА (тип.) |
| Вихідна потужність на 8 Ом | 1.1 Вт (тип., THD+N 1 %, f = 1 кГц, 5 В) |
| THD+N в режимі навушників | 0.5 % (макс.) при 75 мВт на 32 Ом |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
Мікросхема LM4871 , so-8
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення | 2.0–5.5 В |
| Вихідна потужність на 8 Ом | 1.5 Вт (THD 10 %, f = 1 кГц, живлення 5 В) |
| Струм спокою | 6.5 мА (тип.), 10 мА (макс.) |
| Струм у режимі вимкнення | 0.6 мкА (тип.), 2 мкА (макс.) |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
Мікросхема LM723CN , DIP14
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP14 |
| Діапазон вихідної напруги | 2–37 В (регулюється) |
| Максимальна вхідна напруга | 40 В |
| Вихідний струм без зовнішнього транзистора | 150 мА |
| Вихідний струм із зовнішніми транзисторами | понад 10 А |
| Діапазон температур LM723C | 0…+70 °C |
Мікросхема LM741CN ( UA741CN ) , DIP8
В наявності
27,26 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | операційний підсилювач загального призначення |
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга зсуву входу | 2 мВ (тип.), 6 мВ (макс.) при TA = 25 °C, RS ≤ 10 кОм, VS = ±15 В |
| Вхідний струм зміщення | 80 нА (тип.), 500 нА (макс.) при TA = 25 °C |
| Коефіцієнт підсилення за напругою | 20 В/мВ (мін.), 200 В/мВ (тип.) при VS = ±15 В, VO = ±10 В, RL ≥ 2 кОм |
| Струм споживання | 1,7 мА (тип.), 2,8 мА (макс.) при VS = ±15 В, TA = 25 °C |
| Швидкість наростання | 0,5 В/мкс при одиничному підсиленні |
| Робочий діапазон температур (LM741C) | 0…70 °C, free-air |
Мікросхема LM8560 оригінал, SDIP28
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення Vdd (робоча) | -14…-7.5 В (Ta 25 °C, Vss = 0 В) |
| Розсіювана потужність | 700 мВт (Ta 70 °C) |
| Робоча температура | -30…+70 °C |
| Температура зберігання | -55…+125 °C |
| Частота мережі | 50 або 60 Гц |
| Формат часу | 12 або 24 години |
| Звук будильника | 900 Гц |
| Корпус | SDIP-28 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK304DN оригінал (заміна для LNK304DG ) , so-8
В наявності
74,73 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-TN |
| Напруга BVDSS (вбудований MOSFET) | 700 В (мін.; VBP = 6,2 В, VFB ≥ 2 В, TJ = 25 °C) |
| Частота перетворення | 62 / 66 / 70 кГц (мін. / тип. / макс.; TJ = 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення DCMAX | 66 / 69 / 72 % (мін. / тип. / макс.; S2 розімкнено) |
| Напруга на виводі DRAIN (абс. макс.) | -0,3 … 700 В (відносно SOURCE, TA = 25 °C) |
| Температура теплового захисту | 135 / 142 / 150 °C (мін. / тип. / макс.) |
| Робоча температура переходу | -40 … 150 °C (абс. макс.) |
| Модель | LNK304DN |
| Корпус | SOP-7 |
| Вихідний струм, buck (MDCM) | 120 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC) |
| Вихідний струм, buck (CCM) | 170 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC) |
| Обмеження струму ILIMIT | 240 / 257 / 275 мА (мін. / тип. / макс.; di/dt = 65 мА/мкс, TJ = 25 °C) |
| RDS(ON) | 24 Ом тип. / 27,6 Ом макс. (ID = 25 мА, TJ = 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK304PN оригінал, DIP7
В наявності
74,73 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-TN |
| Напруга BVDSS (вбудований MOSFET) | 700 В (мін.; VBP = 6,2 В, VFB ≥ 2 В, TJ = 25 °C) |
| Частота перетворення | 62 / 66 / 70 кГц (мін. / тип. / макс.; TJ = 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення DCMAX | 66 / 69 / 72 % (мін. / тип. / макс.; S2 розімкнено) |
| Напруга на виводі DRAIN (абс. макс.) | -0,3 … 700 В (відносно SOURCE, TA = 25 °C) |
| Температура теплового захисту | 135 / 142 / 150 °C (мін. / тип. / макс.) |
| Робоча температура переходу | -40 … 150 °C (абс. макс.) |
| Модель | LNK304PN |
| Корпус | DIP7 |
| Вихідний струм, buck (MDCM) | 120 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC) |
| Вихідний струм, buck (CCM) | 170 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC) |
| Обмеження струму ILIMIT | 240 / 257 / 275 мА (мін. / тип. / макс.; di/dt = 65 мА/мкс, TJ = 25 °C) |
| RDS(ON) | 24 Ом тип. / 27,6 Ом макс. (ID = 25 мА, TJ = 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK305PN оригінал, DIP7
В наявності
82,25 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-TN |
| Напруга BVDSS (вбудований MOSFET) | 700 В (мін.; VBP = 6,2 В, VFB ≥ 2 В, TJ = 25 °C) |
| Частота перетворення | 62 / 66 / 70 кГц (мін. / тип. / макс.; TJ = 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення DCMAX | 66 / 69 / 72 % (мін. / тип. / макс.; S2 розімкнено) |
| Напруга на виводі DRAIN (абс. макс.) | -0,3 … 700 В (відносно SOURCE, TA = 25 °C) |
| Температура теплового захисту | 135 / 142 / 150 °C (мін. / тип. / макс.) |
| Робоча температура переходу | -40 … 150 °C (абс. макс.) |
| Модель | LNK305PN |
| Корпус | DIP7 |
| Вихідний струм, buck (MDCM) | 175 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC) |
| Вихідний струм, buck (CCM) | 280 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC) |
| Обмеження струму ILIMIT | 350 / 375 / 401 мА (мін. / тип. / макс.; di/dt = 75 мА/мкс, TJ = 25 °C) |
| RDS(ON) | 12 Ом тип. / 13,8 Ом макс. (ID = 35 мА, TJ = 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK306PN оригінал, DIP7
В наявності
90,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP-8B (P), у назві DIP7 |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В (мін., VBP = 6,2 В, VFB ≥ 2 В, Tj 25 °C) |
| Струм обмеження ILIMIT | 482 мА (мін. 450, макс. 515) при di/dt = 95 мА/мкс, Tj 25 °C |
| Опір RDS(on) | 7 Ом (макс. 8,1) при ID = 45 мА, Tj 25 °C |
| Частота перетворення | 66 кГц (62–70) при Tj 25 °C |
| Робочий діапазон Tj | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK354PN
В наявності
73,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP-8B (P) |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В (мін., VBP = 6,2 В, VFB ≥ 2 В, Tj 25 °C) |
| Струм обмеження ILIMIT | 250 мА (мін. 233, макс. 268) при di/dt = 115 мА/мкс, Tj 25 °C |
| Опір RDS(on) | 24 Ом (макс. 28) при ID = 25 мА, Tj 25 °C |
| Частота перетворення | 200 кГц (186–214) при Tj 25 °C |
| Вихідна потужність | 3,5 Вт адаптер / 5 Вт відкрита плата, 230 В AC ±15 % |
| Робочий діапазон Tj | -40…150 °C |
Мікросхема LNK362PN , DIP7
В наявності
49,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-XT |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга Vds (пробій) | 700 В мін. (SOURCE = 0 В, TJ від -40 до 125 °C) |
| Струм обмеження | 130 / 140 / 150 мА (мін./тип./макс.), di/dt = 30 мА/мс, TJ = 25 °C |
| Rds(on) при 25 °C | 48 Ом тип. / 55 Ом макс. (ID = 14 мА) |
| Частота перемикання | 124 / 132 / 140 кГц (мін./тип./макс.), TJ = 25 °C |
Мікросхема LNK364PN оригінал (заміна для LNK363PN ), DIP7
В наявності
72,38 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP-8B (P), у назві DIP7 |
| Напруга DRAIN (абс. макс.) | -0,3…700 В відносно SOURCE, Tamb 25 °C |
| Струм обмеження ILIMIT | 250 мА (мін. 233, макс. 268) при di/dt = 50 мА/мкс, Tj 25 °C |
| Опір RDS(on) | 24 Ом (макс. 28) при ID = 25 мА, Tj 25 °C |
| Частота перетворення | 132 кГц (124–140) при Tj 25 °C |
| Вихідна потужність | 5,5 Вт адаптер / 9 Вт відкрита плата, 230 В AC ±15 % |
| Робочий діапазон Tj | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK564DN ( LNK564DG ) , so-7
В наявності
59,69 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-LP |
| Пробивна напруга MOSFET BVDSS (мін.) | 700 В (TJ 25 °C) |
| Макс. напруга DRAIN | 700 В (абсолютний максимум, TA 25 °C) |
| Піковий струм DRAIN | 200 мА (375 мА при Vdrain < 400 В), абсолютний максимум |
| Обмеження струму ILIMIT | 124 / 136 / 148 мА (мін./тип./макс.), di/dt 40 мА/мкс, TJ 25 °C |
| Частота перетворення fOSC | 93 / 100 / 107 кГц (мін./тип./макс.), TJ 25 °C, VFB 1,69 В |
| Опір відкритого ключа RDS(ON) | 48 Ом тип. / 55 Ом макс. при ID 13 мА, TJ 25 °C |
| Вихідна потужність (LNK564) | 3 Вт (адаптер і відкрита плата, 85–265 В AC та 230 В AC ±15 %) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C (абсолютний максимум) |
| Температура теплового захисту | 135 / 142 / 150 °C (мін./тип./макс.) |
| Корпус | SOP-7 |
Мікросхема LNK564PN оригінал ( заміна для LNK563PN , LNK562PN ), DIP7
В наявності
88,83 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-LP |
| Пробивна напруга MOSFET BVDSS (мін.) | 700 В (TJ 25 °C) |
| Макс. напруга DRAIN | 700 В (абсолютний максимум, TA 25 °C) |
| Піковий струм DRAIN | 200 мА (375 мА при Vdrain < 400 В), абсолютний максимум |
| Обмеження струму ILIMIT | 124 / 136 / 148 мА (мін./тип./макс.), di/dt 40 мА/мкс, TJ 25 °C |
| Частота перетворення fOSC | 93 / 100 / 107 кГц (мін./тип./макс.), TJ 25 °C, VFB 1,69 В |
| Опір відкритого ключа RDS(ON) | 48 Ом тип. / 55 Ом макс. при ID 13 мА, TJ 25 °C |
| Вихідна потужність (LNK564) | 3 Вт (адаптер і відкрита плата, 85–265 В AC та 230 В AC ±15 %) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C (абсолютний максимум) |
| Температура теплового захисту | 135 / 142 / 150 °C (мін./тип./макс.) |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK586DG , so-7
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | SOP-7 |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В |
| Опір RDS(on) | 19 Ом при ID = 33 мА, Tj = 25 °C |
| Поріг ILIMIT | 300 мА |
| Частота | 100 кГц |
| Споживання в режимі очікування | менше 3 мВт при 325 В DC |
Мікросхема LNK586GG оригінал, SMD-8C
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Напруга BVdss | 700 В |
| Потужність 230 В AC | 6,5 Вт |
| Потужність 85–265 В AC | 5,5 Вт |
| Частота перемикання | 100 кГц |
| Режим очікування | менше 3 мВт |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | SMD-8C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK623PG оригінал, DIP7
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | мережевий перемикач із первинною стабілізацією напруги (CV), без оптрона |
| Максимальна напруга Drain | 725 В (абсолютний максимум) |
| Піковий струм Drain | 400 мА (абсолютний максимум; 600 мА при напрузі Drain нижче 400 В) |
| Частота перетворення | 100 кГц (93–106 кГц, TJ = 25 °C) |
| Вихідна потужність (адаптер) | 6,5 Вт (230 В AC ±15 %, вихід 5 В; для 85–265 В AC – 5,0 Вт) |
| Вихідна потужність (відкрита рама) | 9 Вт (230 В AC ±15 %, вихід 5 В; для 85–265 В AC – 6 Вт) |
| Споживання без навантаження | <200 мВт (230 В AC) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP7 (у документі PDIP-8C, суфікс P) |
| Виробник | Power Integrations |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK626PG оригінал ( заміна для LNK624PG , LNK625PG ), DIP7
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-CV |
| Напруга пробою MOSFET (Drain, абс. максимум) | 725 В |
| Частота перемикання (TJ = 25 °C) | 100 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення (TJ = 25 °C) | 54 % |
| Піковий струм стоку, абс. максимум | 720 (1080) мА |
| Вихідна потужність, адаптер (230 В AC ±15 %, 5 В, +50 °C) | 10,5 Вт |
| Вихідна потужність, відкрита рамка (230 В AC ±15 %, 5 В, +50 °C) | 17 Вт |
| Робоча температура переходу (абс. максимум) | -40…150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK6777K оригінал, HSOP11
В наявності
119,38 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-HP |
| Мін. напруга пробою MOSFET (TJ = 25 °C) | 725 В |
| Частота перемикання (TJ = 25 °C) | 132 кГц |
| Вихідна потужність PCB-R2, адаптер (230 В AC ±15 %) | 36 Вт |
| Вихідна потужність PCB-R2, відкрита рамка (230 В AC ±15 %) | 59 Вт |
| Вихідна потужність PCB-W1, адаптер (230 В AC ±15 %) | 25 Вт |
| Вихідна потужність PCB-W1, відкрита рамка (230 В AC ±15 %) | 41 Вт |
| Споживання без навантаження (230 В AC) | <30 мВт |
| Тепловий опір перехід-корпус | 2 °C/Вт |
| Робоча температура переходу (абс. максимум) | -40…150 °C |
| Корпус | eSOP-12B (K package) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK6777V оригінал, DIP-11
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Макс. напруга DRAIN | 725 В (абсолютний максимум) |
| Частота перетворення | 132 кГц (Tj 25 °C, діапазон 120–136 кГц) |
| Потужність при 230 В AC ±15 % | 25 Вт адаптер / 41 Вт відкрита рама |
| Потужність при 85–265 В AC | 19 Вт адаптер / 30 Вт відкрита рама |
| Температура переходу Tj | -40…150 °C |
| Корпус | eDIP-12B (V), 12 виводів |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LP3773 , so-7
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | LANDP (Shenzhen Chip Hope Micro-Electronics) |
| Тип | Контролер PSR з вбудованим біполярним ключем |
| Потужність джерела | до 12 Вт |
| Споживання в режимі очікування | не більше 75 мВт |
| Напруга запуску VCC | 15,5 В (Ta = 25 °C) |
| Поріг мінімальної напруги VCC | 4,0 В |
| Робочий струм VCC | 400 мкА (VCC = 16 В, Ta = 25 °C) |
| Поріг обмеження струму (CC) | 600 мВ |
| Опорна напруга на FB | 4,00 В |
| Максимальна напруга VCC | 30 В |
| Потужність розсіювання | 0,45 Вт |
| Температура переходу | –40…150 °C |
| Корпус | SOP-7 |
Мікросхема LTA504 , so-8
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема |
| Позначення | LTA504 |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема LTA809 ( LTA809FA ) , so-8
В наявності
49,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
| Призначення | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Напруга живлення VDD макс. | 30 В |
| Напруга на вході HV макс. | 500 В |
| Пороги по VDD | 16,5 В / 10,5 В (тип.) |
| Робочий струм споживання | 4 мА (тип.), макс. 5 мА |
| Центральна частота ШІМ | 65 кГц (тип.) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 65 % (тип.) |
| Розсіювана потужність (SOP) | 400 мВт |
| Тепловий опір перехід–повітря (SOP) | 141 °C/Вт |
| Температура переходу | -40…+125 °C |
Мікросхема LTC4054 ( LTH7 , LTH7R ) , sot23-5
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Linear Technology |
| Вхідна напруга Vcc | 4.25…6.5 В |
| Напруга закінчення заряду | 4.2 В (4.158…4.242 В) (0…85 °C, Ibat 40 мА) |
| Струм заряду | до 800 мА (резистор Rprog) |
| Поріг попереднього заряду | 2.9 В (Rprog 10 кОм) |
| Температура переходу (макс.) | 125 °C |
| Корпус | SOT23-5 |
Мікросхема LV1116N ( LV1116 ) , DIP
В наявності
135,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SANYO |
| Корпус | DIP-36S (400 mil), 36 виводів |
| Напруга живлення (макс.) | 10.5 В (Ta 25 °C) |
| Рекомендована напруга живлення | 9.0 В (діапазон 5.0–10.0 В для DIP) |
| Струм спокою | 48 мА (Ta 25 °C, Vcc 9 В) |
| Розсіювана потужність | 700 мВт (Ta 70 °C, DIP) |
| Робоча температура | -25…+70 °C |
| Регулювання гучності | 0…-80 дБ |
| Регулювання тембру | НЧ 20 дБ, ВЧ 18 дБ |
Мікросхема LV47002 оригінал
В наявності
300,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanyo Semiconductor |
| Тип | 4-канальний BTL підсилювач потужності |
| Корпус | HZIP25, 25 виводів |
| Вихідна потужність (макс., JEITA) | 48 Вт на канал (типове, VCC = 15,2 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Вихідна потужність при КНВ 10 % | 28 Вт (типове, VCC = 14,4 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Вихідна потужність при КНВ 1 % | 21 Вт (типове, VCC = 14,4 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Рекомендована напруга живлення | 14,4 В (Ta = 25 °C) |
| Робочий діапазон напруги живлення | 9–16 В (Ta = 25 °C, у межах Pd max) |
| Опір навантаження | 4 Ом (Ta = 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 50 Вт (Ta = 25 °C, з нескінченним радіатором) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LV47004 оригінал ( заміна для LV47004P )
В наявності
261,79 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (раніше Sanyo Semiconductor) |
| Тип | 4-канальний BTL підсилювач потужності |
| Корпус | HZIP25, 25 виводів |
| Вихідна потужність (макс.) | 41 Вт на канал (типове, VCC = 15,2 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Вихідна потужність при КНВ 10 % | 24 Вт (типове, VCC = 14,4 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Вихідна потужність при КНВ 1 % | 17 Вт (типове, VCC = 14,4 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Рекомендована напруга живлення | 14,4 В (Ta = 25 °C) |
| Робочий діапазон напруги живлення | 9–16 В (Ta = 25 °C, у межах Pd max) |
| Опір навантаження | 4 Ом (Ta = 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 50 Вт (Ta = 25 °C, з нескінченним радіатором) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |